Samsung、DRAMアレイを12��TSVで積層、24GBのHBMをまもなく量��へ
Samsungは、12��のDRAMアレイチップを積層し、TSV（Through Silicon Via）で接��した24GBのHBMデバイスを開発、ハイエンド�x場向けにまもなく量��すると発表した。TSVで穴をあけた総数は6万個以�屬肪�するとしている。 [→��きを読む]
メモリ
キオクシアでの�`出始まる、データセンター��要も�v復で好スタート
東��メモリが10月1日から「キオクシア（KIOXIA）」と社�@を変��した。先週は、その直�iの9月30日に、Western Digitalの�\術&戦�S担当プレジデントのSiva Sivaram��とのインタビュー記��や、四日�x工場への投�@��画などの記��、HDDのディスクを�攵�する昭和電工の記��などSSDとHDDの記��が、新�撻�オクシアを後押ししている。 [→��きを読む]
中国YMTCが64層3D-NANDフラッシュを�Q��までに量�凮始
中国内のNANDフラッシュメーカーであるYMTC（長江メモリ�\術）が64層の3D-NANDフラッシュ����の量��を今�Q中に始めると��数のメディアが報じた。中国の�_���xで開��された「2019 Smart China Expo」で�t��されたという。YMTCは現在、��光集団の半導��1�靆腓任△襦� [→��きを読む]
EUVレジストの�f国への輸出を経�愱が��可した背景
日�f��易�C�oがくすぶる中、経済�噞省は、半導��材料の�k�陲瑠f国向け輸出を��可した、と8月9日の日本経済新聞が報じた。この背景は後述するようにサプライチェーンのグローバル化が�jきく、半導��を舞��にした��易�C�oは無�T味になりつつある。別の�B��だが、東��メモリがストレージクラスメモリを開発したと発表した。 [→��きを読む]
日�f通商問��で、SamsungはTSMCに�瓦靴���り
先週、Samsungの2019�Q��2四半期の���Qが発表されると共に、TSMCの業績も発表され、好�款箸世辰�。折しも日�f関係の�K化が���Eから半導��通商問��へと��点が�，気譴襪覆�、Samsung��TSMCのライバル争いが��化しそうな勢いだ。 [→��きを読む]
DRAMの値下がりはQ3でも10〜15%マイナスが��く
DRAM単価の値下がりが�Vまらない。半導���x場調�h会社のTrendForceはこの��3四半期（7〜9月）のモバイルDRAMは単��、eMCP（Embedded Multi-Chip Package）/ µMCPも含め、10〜15%値下がりしそうだと発表した。半導���x場����が�v復の兆しを見せてきた中で、DRAMだけが�v復が��れそうだ。 [→��きを読む]
半導���x場の��るいニュースが��出、設��投�@・CMOSセンサ�\��
半導���x場に��るさが出てきた。直�Zの2019�Q4〜6月期の���Qは良くないものの、今後に向けた投�@の動きが出てきた。さらに株式�x場でも半導��関連株が�峺�している。長期的に半導��が成長�噞であることが認識されたようだ。AppleがIntelの5Gモデム�靆��A収を��めというニュースもあった。 [→��きを読む]
東��メモリがキオクシアに社�@変��、半導��景気が�峺�き始める
東��メモリが2019�Q10月1日に社�@を「キオクシア株式会社」と変える、と発表した。��業会社の東��メモリグループを統括する�eち株会社の東��メモリホールディング株式会社はキオクシアホールディングス株式会社に変��する。また、半導���噞が�峺�き始めたというシグナルが出始めてきた。 [→��きを読む]
Western Digitalがクルマのストレージ�x場に�jきな�O信
東��の四日�x工場でコラボレーションしているWestern DigitalがNANDフラッシュのクルマ応��に��を入れている。昨�Qのクルマ関係の�t��会でも、�a度��格を満たす信頼性試�xデータなどを�o開してきた。WDがなぜ3D-NAND�擬阿任瞹Z載に使えるメモリを実現できたのか、その理�yを同社Automotive & Connected Solution�靆�����マーケティングマネージャーのRussell Ruben��(図1)が��らかにした。 [→��きを読む]
MRAMはマイコンやプロセッサへの集積化で��低消�J電��の威��を発ｧ
東���j学CIES主��のテクノロジーフォーラム（図1）が今�Qも開��され、STT-MRAM�\術の位��づけがより��確になってきた。マイコンやロジックへの組み込みメモリ（RAM）としての位��づけである。ReRAMやPCRAMのような書き換え�v数に�U限のあるデバイスは、不ｧ発性メモリROMに�Zい使い�気��里泙�。 [→��きを読む]
