Z載半導不BにTSMCやUMCは官できるか

Z載半導不Bがいている。日櫺い力Bが湾のTSMCやUMCに\を要个垢襪箸いΠ枉鏥になってきた。日本経済新聞はこの問を{いけているが未だに貌がよく見えない。ただ、D材とせていくつかの実を積み屬欧討い韻、少しずつ様子がわかってきた。解にはクルマメーカーの戦S転換がられるだろう。 [→きを読む]
Z載半導不Bがいている。日櫺い力Bが湾のTSMCやUMCに\を要个垢襪箸いΠ枉鏥になってきた。日本経済新聞はこの問を{いけているが未だに貌がよく見えない。ただ、D材とせていくつかの実を積み屬欧討い韻、少しずつ様子がわかってきた。解にはクルマメーカーの戦S転換がられるだろう。 [→きを読む]
Texas InstrumentsはZ載グレード(ASIL D)のバッテリマネジメントシステムを開発、そのチップセットを発表した。このチップセットは、バッテリの充放電Xをモニターしながらその情報をローカルマイコンに送り、さらにホストマイコンにワイヤレスで送るというシステムを構成する(図1)。ワイヤーをできる限り排除した構成になっており、EVを軽量化できる。 [→きを読む]
このところ、Z載半導の供給不Bのニュースがいている。2週間iにも採り屬欧燭(参考@料1)、今vQ国Bまでが湾Bに半導\を要个靴討い襪汎本経済新聞が報じた。O動Zは数万点にも及び、どれがLけてもO動Zを作ることができない。またArmのNvidiaA収で、独禁法を管轄する当局が中国だけではなく櫺け僂矚可を出さない可性が高い。 [→きを読む]
Z載向け半導の不Bが伝えられている。ホンダ、日、トヨタO動Zだけではない。盜颪箍Δ任瞹Z載向け半導が不Bしているようだ。日本経済新聞はこのところ、Z載半導の供給不Bを連日報Oしている。k気、AppleがO動Z噞に参入しそうだという記もあり、Z載半導がR`されている。 [→きを読む]
SiC専門のパワー半導メーカーUnitedSiC社が耐圧750Vと高く、オンB^が18mΩ/60mΩと低いSiCパワーFET(図1)をリリースした。狙うx場は主に電動O動Z(EV)とデータセンターの電源、ソーラーシステムのインバータや蓄電池向けチャージャー。EV向けのオンボードチャージャーとDC-DCコンバータ向けなどはすでに出荷中だとCEOのChris Driesは言う。 [→きを読む]
Texas Instrumentsは、ドレイン-ソース耐圧600V/650VのGaN HEMTパワートランジスタにドライバv路や保護v路を集積したを発売した(参考@料1)。電気O動Z(EV)のオンボードチャージャーやDC-DCコンバータに使えば来のボードよりも50%サイズを小さくできるとしている(図1)。ただし、インバータを動かすようなj電ではない。 [→きを読む]
シリコンバレーのアイデアを採、ドメスティックな企業からグローバル企業へと脱皮し始めたルネサス。ここ1〜2Q、業績は振るわなかったが、ようやく最Z、Z載向け、噞向けとも成長へのO筋がはっきりしてきた。A収したIDTのアイデアがここにきてルネサスを変えるようになってきたようだ。 [→きを読む]
R_メーカーのKeysight Technologyは、颪箸燐{`をRるクルマドップラーレーダーのR定_を拡充した。これからの79GHzのドップラーレーダーをテストするために3瓦量祇リモートヘッドを設けている。リモートヘッドは、{`をフレキシブルに変えられるヘッド1個と{`をw定したヘッド2個からなり、横からの飛び出しをh価できる。 [→きを読む]
Z載CMOSイメージセンサでトップを走るON Semiconductorが、ダイナミックレンジ120dB、画素数2.3MピクセルでLEDフリッカ低機Δ鮴澆韻CMOSイメージセンサ(図1)を量凮始したかと思うと、スバルの新型「レヴォーグ」に搭載されたことをらかにした。このCMOSセンサが開発されたのは5Qi。Z載に乗る時期はむしろ早いくらいだ。 [→きを読む]
デバイスや半導、モジュール、さらにはエレクトロニクスそのものなどのQ|試xや信頼性試xを行うため、認証試x業vのULジャパンやテュフラインランドジャパンがテスト施設を相次いで拡張している。ULジャパンは_県伊勢xの本社地区に信頼性試xを設、テュフラインランドは電S暗室を充実させ、愛県立xに新たに設立した。 [→きを読む]
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