2021鉗7×9奉袋の染瞥攣稱家の瘋換が鼠桂された。漣鉗票袋孺で斧ると30%喇墓を畝えた措度はAMDの54%籠、Samsungの40%籠、ルネサスの44.6%籠と魯叫した。さらに20%笆懼の喇墓を績した措度はTexas Instrumentsの22%籠、Amkorの24%籠、TSMCの22.6%籠、ASEの22%籠、などがある。いずれも染瞥攣稍顱で欄緩籠や擦呈籠などで卿懼馳が凱びた。Apple、TSMCのニュ〖スもある。 [ⅹ魯きを粕む]
忙煤燎や、SDGs∈積魯材墻な17灌謄の謄篩∷を茫喇するために染瞥攣が腳妥な舔充を蔡たすことが湯澄になってきた。10奉25泣の泣塑沸貉糠使は、客供幣辣を蝗ったSDGsの艱り寥みを疽拆している。忙煤燎は槳的薄聯(lián)刁の凌爬の辦つにもなっているが、染瞥攣はそれを茫喇するためのテクノロジ〖の辦つだ。EV羹け排糜欄緩にトヨタも蝸を廟ぐ。 [ⅹ魯きを粕む]
この1降粗も染瞥攣稍顱とクルマのニュ〖スが陵肌いだ。染瞥攣稍顱は染瞥攣エンジニア稍顱につながり、2021鉗1×8奉の滇客眶が漣鉗票袋の7充籠となっている。Siウェ〖ハメ〖カ〖のSUMCOが籠緩を瘋めた。NORのフラッシュメモリも猛懼がり飯羹が叫ている。また、クルマの排瓢步禱窖は緬悸に渴んでいる。 [ⅹ魯きを粕む]
コロナ慘でのテレワ〖ク見妥が辦檬皖し、柜柒輝眷では8奉におけるパソコンの任卿馳が漣鉗票奉孺で2峰の皖ち哈みを斧せている。また、面墓袋弄にEV∈排丹極瓢賈∷羹けの排糜欄緩供眷が寵券になってきた。EVは極瓢笨啪禱窖をはじめとして、これからのACES∈Autonomy, Connectivity, Electricity and Sharing∷禱窖のひとつ。 [ⅹ魯きを粕む]
染瞥攣稍顱は碰尸豺久される斧哈はないが、極瓢賈メ〖カ〖がこれまでのジャストインタイム數(shù)及を斧木し、染瞥攣の哼桿袋粗を眶カ奉鎳刨と墓くする數(shù)羹へと磊り侖える。票箕に、ユ〖ザ〖である極瓢賈メ〖カ〖が染瞥攣の腳妥拉を千急し幌めた。 [ⅹ魯きを粕む]
SiCパワ〖トランジスタ∈MOSFET∷の輝眷がようやく惟ち懼がり幌めた。パワ〖染瞥攣に蝸を掐れてきたonsemiは、SiC馮窘メ〖カ〖であるGT Advanced Technologyを傾箭、SiCパワ〖トランジスタを庫木琵圭として欄緩する數(shù)克を績した。またSiCのスタ〖トアップであるU(xiǎn)nitedSiCはすでに極瓢賈メ〖カ〖に羌掐していることを湯らかにした。 [ⅹ魯きを粕む]
染瞥攣稍顱をきっかけに、染瞥攣の腳妥拉が警しずつ炕譬し幌めた。蠟紹は9奉2泣の喇墓里維の面で、沸貉奧鏈?zhǔn)菥恪嗜酒硵仱文_妥拉∷と客の啼瑪に卡れている。染瞥攣稍顱、EV步でますます腳妥になる染瞥攣SoCに簇して泣穿供度糠使が帕え、クルマ緩度の客亨が面柜へ萎れている屯灰を泣塑沸貉糠使が帕えている。 [ⅹ魯きを粕む]
ルネサスエレクトロニクスが毖Dialog Semiconductor家を傾箭したことで、糠たなウィニングコンボ∈Winning Combo∷瀾墑、すなわちシナジ〖跟蔡を欄み叫す瀾墑凡を39瀾墑にまで橙郊した。すでに極瓢賈脫から緩度脫IIoT、そしてインフラ羹けの瀾墑まで努脫した。これにより、デジタル步の悸沮悸賦や悸脫步への袋粗を辦丹に沒教できるようになる∈哭1∷。 [ⅹ魯きを粕む]
パワ〖染瞥攣のトップメ〖カ〖、Infineon Technologiesがいよいよ極瓢賈羹けのSiCパワ〖モジュ〖ルやトランジスタの欄緩を塑呈步させる。それも1200Vへの灤炳だ。卵暗1200Vであれば、800V廢光排暗の排丹極瓢賈∈EV∷にも灤炳できる。EVのメインドライブとしてSiCへの袋略は泣塑メ〖カ〖も絡(luò)きいが、その塑呈瞥掐の箕袋を斧紛らっている。 [ⅹ魯きを粕む]
EV羹けのドメインコントロ〖ラのコンセプト∈哭1∷をTexas Instrumentsが湯らかにした。EVには瓢蝸となるモ〖タを額瓢するインバ〖タだけではなく、DC-DCコンバ〖タ、オンボ〖ドチャ〖ジャ〖∈OBC∷、バッテリ瓷妄システム∈BMS∷も風(fēng)かせない。これらの怠墻ごとにECUを侯るのではなく、ECUをいくつかまとめてドメインとするという雇え數(shù)だ。 [ⅹ魯きを粕む]
