Qualcommが腕時型モバイル端を今Q4Qに発売

Qualcommは、スマートフォンと連携する腕時型デバイス「Toq」を今Qの4四半期(10〜12月)に発売する。実際に販売するのは100%子会社のQualcomm Connected Experiences社であり、この腕時型スマートウォッチにはQualcommの子会社の連携\術が詰まっている。 [→きを読む]
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Qualcommは、スマートフォンと連携する腕時型デバイス「Toq」を今Qの4四半期(10〜12月)に発売する。実際に販売するのは100%子会社のQualcomm Connected Experiences社であり、この腕時型スマートウォッチにはQualcommの子会社の連携\術が詰まっている。 [→きを読む]
DSPコアの開発メーカーであるCEVA(シーバ)社が}ぶれ機Δ溌解偽\術のアルゴリズムを開発、それらをrり込んだIPを商化した。スマートフォンのように薄く小型のカメラには搭載がMしい}ぶれ防V機Δ鬟愁侫肇Ε┘△納存修垢。 [→きを読む]
英国の工業ダイヤモンド材料メーカーであるElement Six Technologies社が日本での動を本格化させている。これまで工業のダイヤモンド砥やパウダーなど駘的にwいという長を擇し機械的な作業の分野にRしていたが、エレクトロニクスにもを入れ始めた。X伝導の良さにR`している。 [→きを読む]
絶縁や半導pn接合の微小なリーク電流R定_で定hのあるKeithley Instrumentsが、使いM}を格段に向屬気、R時間をj幅に]縮したR定_SMU(Source Measurement Unit)を61万で発売した。SMUは電圧源、電流源を内鼎轡ーブトレーサやデジタルマルチメータの機Δ魴eつDCR定_。同社がTektronixと経営統合し、シナジー効果を発ァしただ。 [→きを読む]
イスラエルに本社をくファウンドリメーカーのTowerJazzがこのほど、日本国内にもデザインセンターを充実させることをらかにした。これは、同社CEOのRussel Ellwangerが7月下旬に開かれたTowerJazz Technical Global Symposiumで述べたもの。 [→きを読む]
Si IGBTやパワーMOSFETの性Δ鬯える、SiCやGaNといった高a半導トランジスタが期待されながらjきく成長していけない最jの問はコスト。SiCはSiよりも10倍も高い。Siのパワートランジスタは]プロセスがSiCやGaNに比べて完成しており、来の設△使え、低コストである。化合馮焼はどうやってコストの壁を突破するか、そのkつのアイデアをTransphorm(トランスフォーム)社が提案した。 [→きを読む]
フリースケール・セミコンダクタ・ジャパンがx販Zのカーレース、Super GTに参戦する。ADAS(Advanced Driver Assist System:次世代ドライバーмqシステム)を実際のレースでテストしてみるのがその`的だ。]度やエンジンv転数などのZ両情報、クルマのi後左の周辺情報、そしてドライバーの情報を、同期をとりながらDuしていく。 [→きを読む]
MOSトランジスタのゲートしきい電圧Vthのバラつきを本的にらす\術企業のSuVolta(スボルタ)社。このほど、ARMコアで高性Αδ秕嫡J電を実証、さらにUMCと28nmプロセスを共同開発することを発表した。この\術は、Vthバラつきを小さくできるため、電源電圧を下げ、消J電を削できる。 [→きを読む]
パワー半導にを入れているInfineon Technologiesは、そのプロセス工場で300mmウェーハの攵を始めたが、パッケージに関しても新しいコンセプトを次々と]ち出している。例えば、ボンディングワイヤーを使わずにCuピラーをいて、パワートランジスタとドライバトランジスタのv路を接するというマルチチップパワーパッケージ\術を、7月17〜19日東Bで開されたTechno Frontier2013でo開した。 [→きを読む]
Xilinxは、20nmルールのLSIを早くもテープアウトした。デザインルールが20nmと微細化すると、集積できるv路が膨jになるため、アーキテクチャを根本的に見直し、UltraScaleと@けた(図1)。CLB(Configurable Logic Block)周りの配線や、DSPブロック、クロック分配などを最適化した。 [→きを読む]
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