走行中も周囲の歩行�vを映し出す、ルネサスのサラウンドビューLSI
ルネサスエレクトロニクスは、�Z載に��化したビジネスを�t開してきているが、このほどクルマのADAS（先進運転�мqシステム）システムに向け、これまでよりも処理�ξ�の高いシステムLSI、R-Car V2Hを開発した。�咾ぅ�ルマ��業をますます�咾�するルネサスの�T向を反映したチップとなっている。その理�yをこれからじっくり解説する。 [→��きを読む]
�\術分析
» セミコンポータルによる分析 » �\術分析
小型・低価格の磁気センサ式モータ�U御を狙うams
オーストリアのIDM半導��メーカー、amsが光学式ロータリエンコーダ並みの�@度を�eつ磁気角度センサICを開発、サンプル出荷を始めた。1分間に7000�v転での誤差は±0.08°、同14,500�v転での誤差が±0.17°と小さく、����AS5047DおよびAS5147が14ピンのTSSOPパッケージ、AS5247がMLF-40と7mm×7mmのパッケージに封�Vされている。 [→��きを読む]
NI、RF/ミクストシグナルIC向けフレキシブルなテスターをリリース
National Instrumentsは、半導��チップの高性�Σ宗�高機�Σ修帽腓錣擦謄侫譽�シブルで再構成可�Δ僻焼���テストシステムSTS（Semiconductor Test System）を開発した（図1）。RFやミクストシグナル半導��のテスト向け。オープンなモジュラー�擬阿�PXIハードウエアプラットフォームをベースにしているため、実�x��から量����にPXIを�\設するだけで�々圓任�る。最�jの��長は開発から量��までの期間�]縮だ。 [→��きを読む]
14nm以�Tに実��期を迎える3次元IC
3次元スタックダイ(3D IC)の実��化には時間がかかると10�Q�iから言われてきた。�x場調�h会社のGartnerによると、3D ICをすでに作��できるようになったTSMCは、1�Q後にはサンプル�攵�を終えるという。セミコンポータルの提携メディアであるSemiconductor Engineeringが最�Zの3次元ICの動きをレビューした。 [→��きを読む]
Lattice、センサ信�ｽ萢�を見越しFPGAにもDSPを4個搭載
Lattice Semiconductorは、スマートフォンやタブレットなどの機�Δ鰓~単に�\�咾垢襪燭瓩�FPGAを開発してきた。今後のスマホに搭載するセンサの数が爆発的に�\えることを見越して、センサ信�ｽ萢���DSPを4個集積したFPGAであるiCE40 Ultra(図1)を����化した。 [→��きを読む]
ON Semi、モバイル端��向けのミクストシグナル����を��々発表
これからも成長が��くと期待されるスマートフォンやタブレット向けに、アナログ�\術を�u�Tとする半導��メーカーならではの����をON Semiconductorが相次いで投入している。ON Semiが�A収した旧��洋電機半導���靆腓蓮�System Solution Groupに�錣�、統括するシニアバイスプレジデントのMamoon Rashid��は日本で指ｧをとっているという。 [→��きを読む]
Mentor Graphics、ヘテロなコアとOSのマルチコアIC総合設��ツールを発表
Mentor Graphicsは、CPUコアが異なるヘテロジニアスで、かつマルチコアのICを容易に設��できる包括的なソリューションを発表した。異なるOS（operating system）の�屬飽曚覆�CPUコアを集積するマルチコアICを設��・検証するのに向く。 [→��きを読む]
AMAT、3D構�]のFinFET、NANDフラッシュに向け新CMPとCVDを発表
![AMAT、3D構�]のFinFET、NANDフラッシュに向け新CMPとCVDを発表](/assets_c/900px/140715-amat.png "AMAT、3D構�]のFinFET、NANDフラッシュに向け新CMPとCVDを発表")
Applied Materialsは、ロジック向けのFinFETプロセス、メモリ向けの3D NANDフラッシュプロセスという�jきな二つの3次元構�](図1)を実現するためのプロセス����： CMP（化学的機械的研磨）とCVD（化学的気相成長）の新����を発表した。 [→��きを読む]
日立の高効率モータのカギは応���敢�
7月9日に日立��作所が発表した、効率96%と高い、アモルファス鉄心を使ったモータ(図1、2)は、材料の加工がカギだった。今�v試作したモータは、国際高効率��格の最高レベルに相当するIE 5をクリアしている。これまでの最高クラスといえよう。 [→��きを読む]
コスト・パフォーマンスで考えるSiCデバイス〜Infineonの�Dり組み
「SiCパワー半導��の価値は、コスト・パフォーマンスで考えよう」。SiCのショットキダイオードやFETを、SiのIGBTと単価だけで比べるとSiCは高い。しかし、システムあるいはモジュールでのコストが�Wければ、ユーザーには�jきなメリットになる。もちろん性�Δ蝋發�。Infineon Technologiesが考えるSiC戦�Sは�x場原理に基づいている。 [→��きを読む]
<<�iのページ 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 次のページ »
