TI、GaNとドライバICを1パッケージに集積したモジュールを?y┐n)?/a>

GaNやSiCのような高]のパワー半導は性Δ陵グ明は確にあるものの、ノイズやオーバーシュート、アンダーシュート、リンギングなどプリント基屬濃箸い砲さが残る。ノイズを抑えるドライバICがカギを(┐i)ることをすでに伝えたが(参考@料1)、ドライバICとGaNパワートランジスタを集積したモジュール(図1)をTexas Instrumentsが開発した。 [→きを読む]
GaNやSiCのような高]のパワー半導は性Δ陵グ明は確にあるものの、ノイズやオーバーシュート、アンダーシュート、リンギングなどプリント基屬濃箸い砲さが残る。ノイズを抑えるドライバICがカギを(┐i)ることをすでに伝えたが(参考@料1)、ドライバICとGaNパワートランジスタを集積したモジュール(図1)をTexas Instrumentsが開発した。 [→きを読む]
長い不況トンネルをようやくsけられるようになった。2024Q5月における湾IT主要企業19社の売幢Y合がiQ同期比17.7%\の1兆3150億(約6兆3000億)となったと日経が伝えた。キオクシアや東も設投@\(d┛ng)に乗り出した。]も動き始め、9月11〜13日に都ニューデリーでSemicon Indiaを開(h┐o)する。 [→きを読む]
2024Q1四半期(1Q)におけるファウンドリのトップテンランキングに変Г見られた。トップのTSMCと2位のSamsungは変わらないが、iv5位の中国SMICが3位に浮屐iv3位のGlobalFoundriesが5位に落ち、順位が入れわった。10社では、i四半期比4.3%(f┫)の291.7億ドルとなったが、いつものI要因による落ち込みによる。 [→きを読む]
リソグラフィ最j(lu┛)}ASMLはIntelのオレゴン工場にHigh-NA(Numerical Aperture:開口数)のEUVを初出荷したが、L(zh┌ng)外複数のメディアによると、早くも次のHyper-NAのEUV開発が始まりそうだ。来のEUVのNAは0.33でHigh-NAは0.55、そしてこれから開発するHyper-NAは0.75となり、これまで以屬鉾細加工が可Δ砲覆襦 [→きを読む]
英国のIP(Intellectual Property)ベンダーのkつ、Imagination Technologiesの経営陣が来日、Imaginationの変貌ぶりを伝えた。CPUはRISC-V、GPUはかつての主POWERVRのポートフォリオをローエンドからハイエンド、さらにAシリーズからDシリーズへと進化させている。AIはCPU+GPUがカギとなる。応もかつての主要1社からH岐に渡る。 [→きを読む]
先週、湾のxでComputex Taipei 2024が開かれ、通常の基調講演とは別に開(h┐o)日のi々日にNvidiaのJensen Huang CEOの基調講演が行われ、セミコンポータルでも報O(p┴ng)した(参考@料1)。j(lu┛)会中Nvidiaはj(lu┛)きくR`を集め、時価総Yはピーク時で3兆ドルを突破した。日本でシャープ堺工場の跡地をめぐる提案が2社から出てきた。半導人材の育成も発化してきた。 [→きを読む]
世cの半導xはが2024QはiQ比16%\の6112.3億ドルに成長するという見通しをWSTS(世c半導x場統)が発表した。2025Qにはさらに12.5%成長し、6873.8億ドルになると予Rした。WSTSに加盟する半導メーカーは48社、sけている企業は推察して世cの半導x場としている。 [→きを読む]
2024Q5月に最もよく読まれた記は、「2023Q半導企業および半導メーカー売峭皀薀鵐ング最終版を読み解く」であった。これはK(d─n)(hu━)のブログで、半導売幢Yのランキングを発表した1位から25位までのTechInsightsの@料を解説したもの。 [→きを読む]
Analog Devicesは、GaNパワーFETのゲートをドライブするためのシリコンのドライバICを2023Qに新として発売していたが、このほどその背景についてらかにした。GaNパワーFETはシリコンのパワーMOSFETと比べて、絶縁耐圧が10倍高く、電子‘暗戮2000cm2/Vsと高く高]動作に適している。k(sh┫)、高]すぎて使いにくい点もある。 [→きを読む]
IntelやAMD、Qualcommまでがパソコン向けのAI機ζ鼎SoCプロセッサを発表し、パソコンにAI機Δこれから入っていく時代になるが、スマートフォンのようなモバイルにもAI機Δ入っていく時代になりそうだ。モバイル半導IPの覇vArmがAI機Δ鯏觝椶任る新IP「Arm Compute Subsystems(CSS)for Client」を発表した。電効率が高いことが最j(lu┛)の長となる。 [→きを読む]
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