AIチップセットとして蝗われるHBM3EのDRAMの瀾墑步陵肌ぐ
Micron、Samsungが3D-IC禱窖を蝗ったDRAMメモリであるHBM3Eを陵肌いで瀾墑步した∈哭1∷。HBMメモリは絡推翁のメモリを辦刨に絡翁に事誤粕み叫しできるデバイスであり、AIチップやSoCプロセッサと辦斤に蝗われる。SK hynixがこれまでHBM1や2、3のメモリ瀾墑に蝸を掐れてきたが、コストがかかるため戮家はあまり蝸を掐れてこなかった。 [ⅹ魯きを粕む]
メモリ
SamsungのDRAM、SK Hynix鏈家が23鉗媽4煌染袋に輥機步に啪垂
黎降、2023鉗媽4煌染袋∈4Q∷におけるSamsungの瘋換券山があり、SK hynixと鼎にメモリトップ2家の4Q度烙が湯らかになった。これによるとSamsungのDRAMはすでに輥機に啪垂したと揭べ、NANDフラッシュはまだ樂機のままのようだ。DRAMはAIチップとセットで蝗われるため、欄喇AI羹けに見妥の攙牲が玲い。NANDの攙牲は覓れているようだ。 [ⅹ魯きを粕む]
淡峽推翁を擒籠した糠HDD禱窖をSeagateが倡券
HDD∈ハ〖ドディスク劉彌∷の淡峽泰刨羹懼は、辦檬般うレベルに茫した。Seagate Technologyが倡券したHAMR∈錢輸錦數姬丹淡峽¨ハマ〖と券不∷は、悸狠の瀾墑に努脫されたもので、これまでは捏捌賄まりだった。海攙の糠禱窖は、ディスク婁の畝呈灰菇隴と、粕み艱り/今き哈み婁の翁灰アンテナ、という奇めいた咐駝がキ〖ワ〖ドだ。 [ⅹ魯きを粕む]
DIMMよ、さらば、Micronが糠房メモリモジュ〖ルLPCAMM2をサンプル叫操
いよいよメモリモジュ〖ルで拉墻や久銳排蝸が圍廬される箕洛がやってきた。墓い粗、篩潔となってきた、ソケットに賃し哈むタイプのDIMM∈Dual Inline Memory Module∷やSO∈Small Outline∷DIMMの蛤侖箕袋に汗し齒かる。これからのAIパソコンやさらなる光拉墻ˇ你久銳排蝸が妥滇されるコンピュ〖タ羹けに病さえつける儡魯數及のCAMM∈Compression Attached Memory Module∷をMicronがサンプル叫操した。 [ⅹ魯きを粕む]
キオクシア、WDとの琵圭ならず、SBI/PSMC、デンソ〖など染瞥攣抨獲は寵券に
キオクシアホ〖ルディングスとWestern Digitalとの琵圭蛤灸が棲好した、と10奉27泣の泣塑沸貉糠使が鼠じた。SBIホ〖ルディングスと駱涎のファウンドリPSMC∈Powerchip Semiconductor Manufacturing Co., Ltd∷が泣塑に染瞥攣供眷を肋惟することで圭罷していたが、弟倦俯に侯る數克を蓋めた、と28泣の泣沸が鼠じた。デンソ〖は2030鉗までに5000帛邊を抨獲、ソシオネクストは3nmプロセス羹け肋紛を緘齒ける。 [ⅹ魯きを粕む]
Samsung、32Gビット DRAM倡券で、悸潰恕を12nm甸と山附
Samsung Electronicsが12nm甸の腮嘿步禱窖を蝗って32GビットDDR5 DRAMを倡券した。悸潰恕の12nmという山附を染瞥攣メ〖カ〖がしたことはこれが介めて。これまでメモリメ〖カ〖は20nm笆布のプロセスを1x nm、1y nm、1z nm、1α nm、1β nm、1γ nm、と1×2nmずつ癸んできた。ロジックメ〖カ〖は、14/16nmプロセスから10nm、7nm、5nm、4nm、3nmと鈣んできたが、悸潰恕は14×13nmで賄まったままだ。 [ⅹ魯きを粕む]
鼎棠トンネリングを網脫する糠稍帶券拉RAMで毖ベンチャ〖が呵庭建巨を減巨
フラッシュメモリの柜狠柴的であるFlash Memory Summit 2023において、Most Innovative Flash Memory startup嬸嚏で呵庭建巨を毖柜のスタ〖トアップQuinas Technologyが減巨した∈哭1∷。この糠房メモリは翁灰蝸池弄な版竿房ポテンシャルの鼎棠トンネル附據を網脫して排操を叫し掐れする數及のデバイス。Quinasは毖ランカスタ〖絡池の券湯を禍度步する措度。 [ⅹ魯きを粕む]
インドでの染瞥攣礁姥答孟が附悸弄に
デリスキング∈De-risking¨忙面柜∷への瓢きから、インドに染瞥攣礁姥答孟を侯ろうとするインド蠟紹の鈣びかけに讕婁緊柜が炳じている。インド蠟紹は泣勢息啡の承今を蛤わした。勢柜のApplied MaterialsやLam Research、Micronなどが玲廬インドへの抨獲を動步する。ディスコもインド凋爬を浮皮する雇えを績し、廣長籃泰供度がApplied Materialsと寥んで染瞥攣瀾隴劉彌をインドで侯る。 [ⅹ魯きを粕む]
メモリは2023鉗媽2煌染袋も柔淮だが、各湯も斧えた
Samsung、SK Hynixの2023鉗媽2煌染袋∈2Q∷瘋換が券山になった。それぞれ蹦度祿弊は、4名3600帛ウォン、2名8820帛ウォンの絡升な樂機となった。メモリはファウンドリと孺べるとキズは考い。嫡に攻拇なときはファウンドリより網弊が絡きい。また奪い經丸、SEMICON Indiaが倡號されそうになってきた。その潔灑が渴んでいる。 [ⅹ魯きを粕む]
踏丸賈很コンピュ〖タ羹けLPDDRのNORフラッシュ、Infineonがサンプル叫操
クロックの惟ち懼がりと慣布でトリガ〖をかけるLPDDR∈Low Power Double Data Rate∷禱窖は、これまでDRAMの光廬步禱窖であった。これを光廬アクセスに蝗ったNORフラッシュメモリをInfineon Technologiesが倡券、サンプル叫操を倡幌した。晾いは賈很コンピュ〖タのリアルタイム瓢侯である。LPDDR4のDRAMと孺べ粕み叫しアクセス箕粗が10nsと5擒廬いという。 [ⅹ魯きを粕む]
