坤腸弄な染瞥攣稍顱が鼠じられ、玲くも稱家が糠供眷の氟肋に瓢き叫した。駱涎の祁啊彩禱は駱涎頌の糠頌輝にあるTaishan Nanlin Technology供度媚孟で、300mmウェ〖ハのDRAM供眷を糠肋すると券山した。ソニ〖セミコンダクタソリュ〖ションズは、墓宏俯に氟肋していた糠供眷の蒼漂を6奉に幌める。Intelはファウンドリ禍度の勵哼杠狄が50家いるとCEOのPat Gelsinger會が21鉗媽1煌染袋瘋換鼠桂で揭べた。 [ⅹ魯きを粕む]
黎降ショッキングなニュ〖スが萎れた。Micron Technologyか、Western Digitalがキオクシアを傾箭する材墻拉を浮皮していると、勢柜沸貉繪Wall Street Journalが鼠じた∈徊雇獲瘟1∷。このWSJの鼠蘋を減けて、泣塑沸貉糠使∈徊雇獲瘟2∷や奶慨家ロイタ〖や、ITビジネス萎奶廢メディアのCRN∈徊雇獲瘟3∷やビジネスニュ〖ステレビのCNBC∈徊雇獲瘟4∷、ダウジョ〖ンズ券乖のITビジネスメディアのBarron∏sも鼠じた∈徊雇獲瘟5∷。 [ⅹ魯きを粕む]
NANDフラッシュの肩妥措度の木奪2020鉗媽4煌染袋における卿懼馳ランキングが券山された。NANDフラッシュ鏈攣の輝眷は漣袋孺2.9%負の140帛9900它ドルとやや凱びが七步した∈哭1∷。面柜糙百彩禱への叫操が9奉15泣笆慣匿まったことに裁え、哼桿拇臘による。潑にキオクシアの慮封が呵も絡(luò)きく11.4%負となった。 [ⅹ魯きを粕む]
Micron Technologyが介めて1α(アルファ) nm∈15nm笆布とみられる∷のプロセスで肋紛ˇ瀾隴したDRAMの翁緩を券山した。これまでDRAMプロセスでは、20nm笆布の肋紛ル〖ルを1x (19×18)nm 、1Y nm (17×16)、1z (16×15) nm、と井癸みに癸んできた。海攙は1z nmよりも1檬腮嘿なプロセスで侯ったということになる。 [ⅹ魯きを粕む]
チップ票晃を腳ね圭わせる3肌傅ICが塑呈步する。メモリメ〖カ〖のMicron Technologyが176霖のNANDフラッシュを倡券した禱窖∈徊雇獲瘟1∷を湯らかにした。悸は88霖のNANDフラッシュメモリセルを腳ね圭わせて菇喇していた。 [ⅹ魯きを粕む]
躥柜のSK Hynixは、Intelが面柜の絡(luò)息供眷に積つNANDフラッシュとストレ〖ジ禍度を90帛ドルで傾箭すると券山した。NAND瀾墑とウェ〖ハプロセス禍度も崔む。SKにとって呵絡(luò)のライバルはSamsung。そのためにキオクシアにも獲塑徊裁してきた。Intelは、3D-Xpointメモリ瀾墑であるOptane瀾墑禍度に簇しては緘庶さない。 [ⅹ魯きを粕む]
ArmのメモリIP嬸嚏が迫惟、スピンオフしてCerfe Labsを肋惟した∈徊雇獲瘟1∷。Ce∈Correlated Electron∷RAMと鈣ぶ、動陵簇排灰廢の亨瘟を蝗った稍帶券拉RAMのメモリIPを捏丁する。これまでのArmと票屯、IPベンダ〖としてのビジネスを乖う。動陵簇排灰廢とは、排灰が帽迫で瓢侯するのではなく、排灰票晃が陵簇を瘦ちながら刁瓢する亨瘟。 [ⅹ魯きを粕む]
Samsungは、EUVリソグラフィを蝗った1z nm∈15nm漣稿∷プロセスによるLPDDR5慌屯の16GビットDRAMの翁緩を倡幌したと券山した。DRAMはこれまでのコンピュ〖タ見妥に裁え、AIのニュ〖ラルネットワ〖クモデルの遍換にも澀ず蝗うため、海稿の見妥の袋略が絡(luò)きい。1パッケ〖ジに8綏のDRAMチップを腳ね、16GBを菇喇している∈哭1∷。 [ⅹ魯きを粕む]
AIチップと息瓢するメモリは、DRAMをスタックに姥み腳ねたHBM2Eか、それともGDDR6 SDRAMか、どちらが努しているのだろうか。その批えをRambusがこのほど湯らかにした∈哭1∷。極瓢笨啪のレベル3になると濕攣千急の遍換借妄でメモリバンド升は200GB/sを畝えるようになる。では、どのメモリを聯(lián)買すべきか。 [ⅹ魯きを粕む]
この1降粗はニュ〖スが攔りだくさんで、面柜のDRAM紛茶、NTTとNECの奶慨捏啡、TSMC灤Samsungレポ〖ト、そしてシリコンバレ〖のVCであるSequoia Capitalの泣塑渴叫、ス〖パ〖コンピュ〖タ少遲の坤腸辦などがあった。これらのニュ〖スの絡(luò)染に鼎奶するのは勢面飼白里凌との考い簇犯であることが粕み艱れる。 [ⅹ魯きを粕む]
