DRAMの猛布がりはQ3でも10×15%マイナスが魯く
DRAM帽擦の猛布がりが賄まらない。染瞥攣輝眷拇漢柴家のTrendForceはこの媽3煌染袋∈7×9奉∷のモバイルDRAMは帽攣、eMCP∈Embedded Multi-Chip Package∷/ µMCPも崔め、10×15%猛布がりしそうだと券山した。染瞥攣輝眷鏈攣が攙牲の名しを斧せてきた面で、DRAMだけが攙牲が覓れそうだ。
モバイルDRAMの猛布がりが賄まらない呵絡(luò)の付傍は、瀾墑哼桿が徒鱗笆懼に委まっているため。これまで哼桿を負(fù)らすため、擦呈を布げてきたが、まだはけ磊れていないようだ。モバイルDRAMはこれにより、2019鉗媽1煌染袋から3煌染袋息魯10×15%猛布げしてきたことになる。
モバイルDRAMの肩脫龐であるスマ〖トフォン輝眷の海鉗の斧奶しは、5%負(fù)であることに恃わりないと斧る。DRAM帽擦が2017鉗、2018鉗と猛懼がりが魯き、DRAMビジネスはバブルといえる覺斗を欄み叫した。その粗欄緩翁をあまり籠やさなかったため、睛家やスマホメ〖カ〖は企腳、話腳の券廟でDRAMの眶翁を澄瘦した。海攙は惟眷が嫡啪し、傾い緘輝眷となっている。
哼桿猴負(fù)の斧奶しが惟たないため、DRAMメ〖カ〖は欄緩拇臘に掐った。しかし、悸狠は券山するほど絡(luò)翁に負(fù)緩することはなく、概いプロセスラインの欄緩墻蝸を負(fù)らし、糠しいプロセスへの磊り侖えを渴めている。DRAMメ〖カ〖は肩蝸瀾墑の祿己が叫るまでに、欄緩墻蝸を絡(luò)きく負(fù)らすことはなさそうだ、とTrendForceは斧ている。
DRAMプロセスの黎眉は1X nmプロセス∈Xは9ないし8∷だが、トップのSamsungはその肌の1Y nmプロセスを玲く惟ち懼げ、トップを拜積したいとしている∈徊雇獲瘟1∷。2疤のSK Hynixも1X nmプロセスと1Y nmプロセスを圭わせて鉗瑣までに80%にしたいと雇えており、海鉗稿染から1Y nmプロセスのDRAMを欄緩していく。SKはさらに躥柜の課李にあるM10供眷をDRAM欄緩からCMOSイメ〖ジセンサの欄緩へ磊り侖え、海鉗の稿染には翁緩する紛茶だ(徊雇獲瘟2)。
糠しいプロセスを瞥掐することで、モバイルDRAMの拉墻をもっと懼げ、LPDDR4シリ〖ズへと啪垂していく。驕丸のLPDDR3の丁惦に灤してはあまり姥端弄ではなく、LPDDR4は海鉗面に75%まで弓がると斧ている。LPDDR3は2020鉗には15%に負(fù)警するだろうという。黎眉のスマ〖トフォンは肌坤洛瀾墑のLPDDR5を何脫すると斧られており、2020鉗には輝眷へ抨掐されそうだ。ただし、碰介の擦呈はLPDDR4よりも20×25%光いため、輝眷でも10%鎳刨に偽まるだろうという。
山1 Samsungが券山した2019鉗媽2煌染袋の嬸嚏侍P/L 叫諾¨Samsung Electronics
DRAMの你搪する屯灰は、塑泣券山されたSamsungの媽2煌染袋の瘋換鼠桂∈山１∷にも附れている。これによると、鏈家卿懼馳は56名1300帛ウォン∈1ウォン♂0.092邊∷、蹦度網(wǎng)弊が6名6000帛ウォンとなり、このうち染瞥攣嬸嚏は卿懼馳が漣鉗票袋孺27%負(fù)の16名900帛ウォンで、蹦度網(wǎng)弊は71%負(fù)の3名4000帛ウォンとなった。漣袋孺では染瞥攣の卿懼馳、蹦度網(wǎng)弊は、それぞれ11%籠、17.4%負(fù)と你搪は魯いている。それでも、まだ樂機(jī)にはなっていない。
徊雇獲瘟
1. Samsung Electronics Announces Second Quarter 2019 Results (2019/07/31)
2. SK Hynix Inc. Reports Second Quarter 2019 Results (2019/07/25)
