先週、IntelおよびSamsungの2024�Q度��2四半期（4〜6月期）の���Qがそれぞれ発表された。Intelは、売�幢Yが�i四半期、�i�Q四半期とほぼ同じ128億ドルだったが、営業�W益はほぼゼロという�T果であった。Samsungの半導���靆腓稜��幢Yは、�i�Q同期比ほぼ2倍、�i期比でも23%�\の28兆5600億ウォン（1ウォン=0.00073ドル）で、営業�W益は6.45兆ウォンだった。 [→��きを読む]
メモリビジネスは好調、�噞向け��メモリビジネスはまだ不調。このようなビジネス�X況が浮かび�屬�った。2024�Q��2四半期（4〜6月期）におけるメモリの�f国SK hynixの売�幢Yは、�i�Q同期比（YoY）2.25倍の16兆4230億ウォン（1ウォン=0.11��）と好調だったのに�瓦靴董▲泪ぅ灰鵑�SoC、アナログのルネサスエレクトロニクスの売�幢Yは同2.7%��の3588億��となった。 [→��きを読む]
2024�QにおけるNANDフラッシュとDRAMのメモリの売�幢Yは�i�Q比でそれぞれ77%、75%と�jきく�Pびるだろうと、TrendForceが発表した。在�Uがほぼ�k�Cされ��給�X況が改��、平均単価も�屬�ってきたためだ。メモリはようやく�v復が本�颪砲覆蝓⇒蓊Qは�jきく成長すると見込んでいる。 [→��きを読む]
�盜颪離謄�サス�Δ�半導���噞に14億ドル（約2300億��）を���\すると7月6日の日本経済新聞が報じた。Samsung電子は2024�Q4~6月期の営業�W益が10兆4000億ウォン（約1兆2100億��）だったと発表した。メモリ�x況は�v復しつつあり、SK Hynixは2028�Qまでの5�Q間に12兆��を投�@すると発表、キオクシアも新�\術開発により2Tビット��をサンプル出荷した。 [→��きを読む]
SK hynixは、次世代スマートフォン向けのストレージとなるNANDフラッシュの新��格Zoned UFS（あるいはZUFS 4.0）����を開発した。エッジAI向けのストレージとして、2024�Q��3四半期に量��する��画である。経時劣化を改良し������命は40%長くなるという。SK HynixはHBMの成功に��き、NANDでもAI応��メモリでの成長を狙う。 [→��きを読む]
長いゴールデンウィークが開け、その間DRAMメーカーのHBM（High Bandwidth Memory）への開発が��々発表された。これまで圧倒的にリードしてきたSK Hynixに��きSamsung、さらにMicron TechnologyなどがHBM����をサンプル出荷している。2日にはファウンドリPSMCが新工場を��湾に設立、半導���噞は��めの�e勢を見せた。 [→��きを読む]
Micron Technologyは、512GBから2TBまでの容量を�eつ、クライエントSSD（半導��ディスク）「Micron 2500 NMVe」のサンプル出荷を開始した。このSSDには232層でQLC（Quad Level Cell）を�eつNANDフラッシュ（図1）を搭載している。また、このNANDフラッシュを搭載した企業向けストレージ顧客向けの「Crucial SSD」は量��を開始した。 [→��きを読む]
��湾地震に遭われた�機垢砲�見舞い申し�屬欧泙后� その�i日（4月2日）、東�Bで「2024�Q��湾半導��デー」が開��された。��湾のPSMC（Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp.）は宮城県に日本のSBIと共同でファウンドリ工場を建設する予定であり、そのPSMCの会長兼CEOのFrank Huang��がこのイベントで講演した。 [→��きを読む]
Micron、Samsungが3D-IC�\術を使ったDRAMメモリであるHBM3Eを相次いで����化した（図1）。HBMメモリは�j容量のメモリを�k度に�j量に並�`読み出しできるデバイスであり、AIチップやSoCプロセッサと�k緒に使われる。SK hynixがこれまでHBM1や2、3のメモリ����に��を入れてきたが、コストがかかるため他社はあまり��を入れてこなかった。 [→��きを読む]
先週、2023�Q��4四半期（4Q）におけるSamsungの���Q発表があり、SK hynixと共にメモリトップ2社の4Q業績が��らかになった。これによるとSamsungのDRAMはすでに���Cに転換したと述べ、NANDフラッシュはまだ���Cのままのようだ。DRAMはAIチップとセットで使われるため、�收�AI向けに��要の�v復が早い。NANDの�v復は��れているようだ。 [→��きを読む]
