Samsung、EUVリソによる1z nmプロセスで16Gb DRAMを翁緩倡幌
Samsungは、EUVリソグラフィを蝗った1z nm∈15nm漣稿∷プロセスによるLPDDR5慌屯の16GビットDRAMの翁緩を倡幌したと券山した。DRAMはこれまでのコンピュ〖タ見妥に裁え、AIのニュ〖ラルネットワ〖クモデルの遍換にも澀ず蝗うため、海稿の見妥の袋略が絡きい。1パッケ〖ジに8綏のDRAMチップを腳ね、16GBを菇喇している∈哭1∷。
哭1 16GBのLPDDR5瀾墑 叫諾¨Samsung
Samsungは海鉗の3奉、1z nmの肌のD1a nmプロセスのDRAMをDDR4慌屯で活侯券山しているが∈徊雇獲瘟1∷、その箕もEUVリソグラフィで裁供している。しかし、メモリの翁緩にEUVを蝗うのはこれが介めてとなる。
士賣供眷媚孟に12它8900士數メ〖トルの炮孟∈6答のサッカ〖眷陵碰∷にSamsungの士賣媽2ラインがある∈哭2∷。この欄緩ラインは、黎眉染瞥攣を瀾隴する供眷と疤彌づけられており∈徊雇獲瘟2∷、DRAMの肌には、3D-NANDフラッシュ、ファウンドリサ〖ビスにも蝗っていく。
哭2 氟肋している箕のSamsungの士賣媽2ライン 叫諾¨Samsung
1z nmプロセスは、DRAMとしては呵も腮嘿なプロセス禱窖。驕丸の翁緩チップよりも30%泅く裁供しており、これを8綏腳ねて1パッケ〖ジとしての16GBの推翁に慌懼げている。驕丸の1y nmプロセスで16GB DRAMを1パッケ〖ジに箭めようとすると、12Gビットチップを8綏と8Gビットチップが4綏澀妥だった。1z nmプロセスで腮嘿步し16Gビットに光礁姥にすることで、8綏のチップで貉んだとしている。
翁緩する16GビットのLPDDR5のデ〖タレ〖トは、6.4Gビット/擅と光廬であり、5G灤炳で剩淬カメラのスマ〖トフォンや擂り決み材墻なスマホでの網脫を晾っている。Samsungはこの糠房16GB LPDDR5パッケ〖ジで2021鉗に坤腸面のスマホメ〖カ〖に任卿していくとしている。さらに極瓢賈羹けに蝗脫補刨認跋を弓げた慨完拉の光い瀾墑も捏丁するとしている。
徊雇獲瘟
1. Samsung Announces Industry∏s First EUV DRAM with Shipment of First Million Modules (2020/3/25)
2. Samsung Begins Mass Production of 16Gb LPDDR5 DRAM at World∏s Largest Semiconductor Line (2020/8/30)
