Samsung、32Gビット DRAM倡券で、悸潰恕を12nm甸と山附
Samsung Electronicsが12nm甸の腮嘿步禱窖を蝗って32GビットDDR5 DRAMを倡券した。悸潰恕の12nmという山附を染瞥攣メ〖カ〖がしたことはこれが介めて。これまでメモリメ〖カ〖は20nm笆布のプロセスを1x nm、1y nm、1z nm、1α nm、1β nm、1γ nm、と1×2nmずつ癸んできた。ロジックメ〖カ〖は、14/16nmプロセスから10nm、7nm、5nm、4nm、3nmと鈣んできたが、悸潰恕は14×13nmで賄まったままだ。
哭1 Samsungが倡券した32GビットDDR5 DRAM 叫諾¨ Samsung Electronics
これまでロジックでは14/16nmプロセスから悸潰恕と絡(luò)きくかけ違れてきた。眶鉗漣にはIntelの10nmプロセスとTSMCの7nmプロセスとはほぼ霹しい、と咐われていた。しかし、どちらも賴澄な潰恕を山附していない。10nm收りから、帽疤燙姥碰たりのトランジスタ眶で腮嘿步を山附するようになってきたからだ。帽疤燙姥碰たりのトランジスタ眶ではTSMCの7nmプロセスとIntelの10nmプロセスはほぼ票じなのである。
腮嘿步が賄まった呵絡(luò)の妄統(tǒng)は、沒(méi)チャンネル跟蔡でプレ〖ナトランジスタのゲ〖ト墓が嘎腸に丸ており、さらに芹俐升と芹俐粗持も10nm笆布の潰恕を、リソグラフィ禱窖を蝗って賴澄に磊れなくなってきたからだ。MOSトランジスタはFinFETやGAA∈Gate All Around∷菇隴でリ〖ク排萎を娃えるようになったが、芹俐升と粗持は腮嘿步に灤炳できなくなった。Micronが1βnmプロセスのDRAM倡券を候鉗11奉のオンライン淡莢棱湯柴で券山した箕∈徊雇獲瘟1∷、僧莢は夢(mèng)らん撮して1βとは部nmかと劑啼してみた。Micronは13nm笆布、と批えている。
染瞥攣の腮嘿步の渴步は22nmまではほぼ芹俐升と芹俐粗持を2/3ずつ腮嘿步することでチップ燙姥の籠裁も裁蹋して礁姥刨を2擒に懼げてきた。このため、腮嘿步の渴步とム〖アの恕摟とは票辦渾されるようになってきた。しかし、ム〖アの恕摟は、辦つの礁姥攙烯チップに礁姥されるトランジスタ眶は18×24カ奉ごとに擒籠していく、という年盜であり、腮嘿步とは木儡簇犯なかった。
ところが、SPI柴鎊嘎年セミナ〖≈TSMC甫墊∽で疽拆したように∈徊雇獲瘟2∷、芹俐升と芹俐粗持で山附されていたスケ〖リング摟をリニアスケ〖リングと鈣び、燙姥碰たりのトランジスタ眶で山附することをエリアスケ〖リングと鈣ぶようになってきた。TSMCと撅に辦斤に殊んできたファブレスメモリ措度Etron TechnologyのCEOであるNicky Lu會(huì)は、≈TSMCはリニアスケ〖リングからエリアスケ〖リングをとるように恃わった∽、と≈KIT/Symetrix International Symposium 2022∽∈徊雇獲瘟3∷の怪遍の面で揭べている。
TSMCをはじめとする≈染瞥攣瀾隴∽メ〖カ〖が20nm笆布のプロセスを悸潰恕で山附すると、メモリもロジックもテクノロジ〖の渴步が渴んでいないように斧えてしまう。このため、メモリメ〖カ〖は、20nmから19×18nmに敗乖すると1x nmプロセスと山附し、ロジックメ〖カ〖は14/16nmから10nmや7nmと山附した。まるで腮嘿步テクノロジ〖がずっと魯いているように斧える。だからTSMCは悸潰恕を瘋して咐わなかった。エリアスケ〖リングでさえ、TSMCはデンシティスケ〖リング∈Density Scaling∷と山附したり、IntelやimecなどはDTCO∈Design Technology Co-optimization¨肋紛とプロセスの票箕呵努步∷と山附してきた。
海攙はじめてSamsungは悸潰恕の12nm甸メモリと山附した。もはや、1γ nmまでやってきた笆懼、悸潰恕を叫さざるを評(píng)なくなったためであろう。
さて、Samsungは腮嘿步によってメモリの礁姥刨を32Gビットと擒籠させたことで、倡券したDRAMモジュ〖ルは、ダイ∈頑のチップ∷を姥み腳ねる霖眶が染尸で貉むようになり、恬拆なTSV∈Through Silicon Via∷プロセスを蝗わずに貉んだという。これにより久銳排蝸を10%猴負(fù)できたとしている。12nm潰恕の茫喇に蝗ったリソグラフィがEUVかArF閉炕マルチパタ〖ニングかについては湯らかにしていない。
しかも腮嘿步禱窖で礁姥刨を擒籠できたことから1TBのメモリモジュ〖ルの蘋が倡けたとしている。1TBの絡(luò)推翁だと欄喇AI羹けの絡(luò)推翁メモリとしてAIス〖パ〖コンピュ〖タに蝗えるだけではなく、クラウドビジネスを乖うデ〖タセンタ〖での事誤遍換借妄などを光廬步する妥滇にも炳えられるようになる。翁緩倡幌は2023鉗瑣を徒年している。
徊雇獲瘟
1. ≈Micron、1β nmノ〖ドの64GビットのDDR5x-DRAMをサンプル叫操∽、セミコンポ〖タル (2022/11/08)
2. ≈≮瓢茶≯TSMC甫墊〜柴鎊嘎年Free Webinar∈9/28∷∽、セミコンポ〖タル (2022/10/04)
3. "CeRAM: Correlated Electron Memory", KIT/Symerix International Symposium (2022/08/25)
