Samsung、クルマ脫256GBのフラッシュストレ〖ジを翁緩倡幌
Samsung Electronicsがクルマ脫256 GB繞脫寥み哈みフラッシュストレ〖ジ∈eUFS∷の翁緩を倡幌した。票家は2017鉗9奉に128GBのクルマ脫のeUFSを介めて翁緩步したが、海攙はストレ〖ジ推翁を擒籠させた懼に、JEDEC UFS 3.0篩潔憚呈に潔凋したもの。
哭1 Samsungの256 GB寥み哈みフラッシュストレ〖ジ 叫諾¨Samsung Electronics
NANDフラッシュはこれまで、啡掠排廈、デジタルカメラ、スマ〖トフォン、パソコンへと脫龐を弓げてきたが、Samsungはクルマ炳脫にも橙絡している。悸は、海鉗の1奉16泣に倡號された柜狠カ〖エレクトロニクス禱窖鷗でもWestern Digital∈奠SanDisk∷がこれからはクルマ脫にNANDフラッシュを蝗おうとアピ〖ルしていた。クルマ脫では、ADASをはじめ、インフォテインメントや閉窘ダッシュボ〖ドなどへの脫龐を晾う。Samsungはすでに256 GBのeUFSをクルマメ〖カ〖羹けに叫操しているという。
極瓢賈炳脫では、潑に補刨認跋を弓げた。糠瀾墑は、瓢侯面、およびパワ〖セ〖ブモ〖ド鼎、-40°C×+105°Cに橙絡した。驕丸の寥み哈みマルチメディアカ〖ド∈eMMC∷では、瓢侯モ〖ドでは-25°C×+85°C、パワ〖セ〖ブモ〖ドでは-40°C×+85°Cが瘦沮補刨認跋だったという。
海攙、瓢侯補刨認跋を橙磨できたことで、阜しい茨董に努したメモリをデザインインできることを極瓢賈メ〖カ〖に捏捌していく、とSamsungのNANDマ〖ケティングVPのKyoung Hwan Han會は胳る。まず光甸賈輝眷を緘幌めに鏈極瓢賈輝眷に羹けてビジネスを橙絡していくとしている。
この糠瀾墑は、センサも灑えており、デバイス補刨が105°Cを畝えると、ホストのアプリケ〖ションプロセッサに奶夢し、クロック廬刨を布げ補刨を布げる怠墻がある。裁えて、256 GBのeUFSは、シ〖ケンシャル粕み叫しが材墻で、その廬刨は850 MB/擅で、ランダム粕み叫し瓢侯では45,000 IOPS。デ〖タリフレッシュ怠墻もUFSスペックのバ〖ジョン3.0にある。
