面柜染瞥攣緩度、メモリ、ファブレス、ファウンドリで喇墓へ
面柜の染瞥攣は、メモリとファウンドリ、そしてファブレスが肩蝸になりそうだ。これはSEMICONジャパン2017でのセミナ〖で面柜輝眷を拇漢したSEMI駱涎のClark Treng會(huì)が績(jī)したもの。メモリはDRAMと3D-NANDフラッシュが肩蝸となる。面柜孟眷措度だけではなく嘲柜措度の抨獲による肋灑抨獲も籠裁している。
哭1 面柜での染瞥攣供眷氟肋の抨獲馳はメモリとファウンドリに 叫諾¨SEMI
面柜の染瞥攣緩度は2017鉗に供眷氟肋を渴め、2018鉗でも供眷糠肋の徒年が驢い∈哭1∷。供眷の氟肋が姜わると肋灑の嚷掐になるため2018鉗の染瞥攣肋灑抨獲馳は塑呈步する。2018鉗に供眷を氟肋するところは、2019鉗に劉彌の嚷掐になるため、染瞥攣瀾隴劉彌は面柜ではむしろこれから2018鉗、19鉗がブレ〖クの鉗となる。SEMI ChinaのLung Chu會(huì)は、2017鉗の肋灑抨獲馳で、面柜は躥柜、駱涎に肌ぐ媽3疤の垛馳だったが、2018鉗は媽2疤に若迢すると揭べている。
面柜における染瞥攣瀾隴劉彌の啼瑪の辦つは、肋灑抨獲がまだ稍顱していることだ、とSEMI駱涎のTeng會(huì)は胳る。2017鉗に糠たに19ものプロジェクトが渴乖しているが、肋灑抨獲は19鉗にピ〖クを忿えるとしている。
面柜に供眷を糠肋したり、肋灑抨獲を乖ったりするのは面柜孟眷措度だけではない。嘲柜措度やその圭售もまた肋灑抨獲を動(dòng)步している(哭2)。海鉗、漣供鎳のプロセス肋灑に抨獲したのは、Intelのファブ68で、3D-NANDへのシフトに、SK HynixもDRAMにC2棚にそれぞれ蝗った。ファウンドリでも駱涎のUMCと孟眷のSMICがそれぞれファブ12X、ファブB2に抨獲した。2018鉗には、墓咕ストレ〖ジやTSMCの祁疊供眷フェ〖ズ1、GlobalFoundriesの喇旁供眷、孟眷の懼長(zhǎng)糙蝸腮排灰のファブ2、省氟臼陂糙ICのDRAM供眷などが肋灑抨獲を徒年している。2019鉗にはさらに藍(lán)糙葷各礁媚の祁疊供眷、Samsungの讕奧供眷、SK Hynix、孟眷のSMICの糠供眷、圭阮墓垛のDRAM供眷なども徒年している。
哭2 面柜への肋灑抨獲は孟眷措度だけではなく嘲柜措度も抨獲馳を籠やしている 叫諾¨SEMI
面柜が蝸を掐れるのはやはりメモリ∈哭3∷。DRAMはSK Hynixが蝸を掐れてきたが、NANDフラッシュはIntelやSamsungも抨獲を費(fèi)魯する。2018鉗の欄緩墻蝸はほとんど籠えていないが、2019鉗から籠動(dòng)の跟蔡が山れてくると、SEMIは徒鱗する。NANDフラッシュはもちろん3D-NAND菇隴の欄緩墻蝸籠動(dòng)であるから、すぐに跟蔡は山れてこないが、やはり2019鉗くらいから籠動(dòng)されるとみる。
哭3 メモリ抨獲は腳妥な里維 叫諾¨SEMI
3D-NANDの籠緩は澎記にとって都耙になるが、悸は面柜はメモリだけではない。籠緩を紛茶しているSMICに裁え、UMCやTSMC、GlobalFoundriesの嘲柜廓や孟眷の懼長(zhǎng)糙蝸腮排灰もファウンドリを籠動(dòng)する。
哭4 面柜染瞥攣緩度のセグメント侍任卿馳 叫諾¨SEMI
そして肋紛蝸も深れない。ファブレス染瞥攣措度の卿り懼げは緬悸に喇墓している(哭4)。碰介は染瞥攣付擦に灤する客鳳銳孺唯のやや光い、稿供鎳が呵も任卿馳が絡(luò)きかったが、2000鉗の媽1肌染瞥攣ブ〖ムでSMICに洛山されるように漣供鎳供眷が叫丸、その稿でファブレスのIC肋紛措度も欄まれてきた。セミコンポ〖タルでは、面柜のファブレス染瞥攣の懼疤10家についてレポ〖トしたが(徊雇獲瘟1∷、媽1疤のHiSilicon、2疤のStreadtrumで斧られるように、スマ〖トフォンのアプリケ〖ションプロセッサを肋紛する措度が喇墓するようになった。哭4では、2016鉗には稿供鎳の卿り懼げよりもファブレスの卿り懼げの數(shù)が驢くなり、嫡啪した。
ファブレスのこの尉家は、海やQualcommやMediaTekの孟疤を都かすようになった。ここ1×2鉗のQualcommやMediaTekの稍慷は面柜輝眷におけるファブレス染瞥攣メ〖カ〖によるもの。面柜は柜緩步を夸京しており、柜緩?fù)ザ訾侠韦槠Dられてきている。3D-NANDやDRAMなどのメモリにも部らかの庭而忽がなされるという羹きは驢い。
徊雇獲瘟
1. 面柜のファブレス染瞥攣、鉗唯20%喇墓が魯く (2017/12/21)
