2024年1月26日
∶緩度尸老
SiCˇGaNのWBG∈Wide Band Gap∷染瞥攣がもはや帽攣ではなくシステムボ〖ドを頂い圭う箕洛に掐った。澎疊ビッグサイトで倡かれたオ〖トモ〖ティブワ〖ルド2024では、パワ〖染瞥攣トップのInfineon Technologiesと、SiCトップのSTMicroelectronicsがガチンコ盡砷を斧せた。InfineonがGaN炳脫瀾墑ポ〖トフォリオを績(jī)し、STは8インチウェ〖ハSiCデバイスとシステムを斧せた。
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2023年12月11日
∶降粗ニュ〖ス尸老
ロ〖ムと澎記デバイス&ストレ〖ジ∈哭1∷が拷懶していたパワ〖染瞥攣の丁惦澄瘦紛茶を沸貉緩度臼が千年し、尉家に輸錦垛が蛤燒されることが瘋まった。儉陵および沸緩絡(luò)棵がNvidia CEOのJensen Huang會(huì)と柴いGPUの泣塑への丁惦澄瘦を妥懶した。蠟紹はAIチップにも輸錦垛を毀辯する。蠟紹は染瞥攣など欄緩翁に炳じて狼庭而する慌寥みを捏捌している。恕客狼の懼嘎馳を20%とする。
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2023年11月28日
∶緩度尸老
ON Semiconductorがonsemiと柴家の嘆疚を恃構(gòu)してから3鉗たった。傅CypressのCEOであったHassane El-Khoury會(huì)がトップに艦扦、onsemiの數(shù)羹をインテリジェントパワ〖とインテリジェントセンサに年めた。炳脫としてはクルマと積魯材墻家柴に廟蝸し、2022鉗から2027鉗までの染瞥攣のCAGR∈鉗士堆喇墓唯∷4%よりも光い10×12%の喇墓唯を謄回す。El-Khoury會(huì)はこのような面袋紛茶を閃いている。
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2023年10月25日
∶緩度尸老
哼泣ドイツ睛供柴的疥が肩號(hào)し、インフィニオンテクノロジ〖ズジャパンが措茶禍壇渡となっている泣迫オクト〖バ〖禱窖蛤萎柴∈奶疚オクト〖バ〖テック∷が倡號(hào)された。Infineon TechnologiesのCMO∈チ〖フマ〖ケティングオフィサ〖∷であり艱涅舔柴メンバ〖でもあるAndreas Urschitz會(huì)∈哭1∷が答拇怪遍を乖い、パワ〖染瞥攣坤腸トップの悸蝸の妄統(tǒng)がわかった。
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2023年8月 9日
∶禱窖尸老∈染瞥攣瀾墑∷
STMicroelectronicsがSiCやGaNなどのパワ〖染瞥攣を鷗績(jī)すると鼎に、AIを蝗ったモ〖タ擴(kuò)告やIO-Linkインタ〖フェイスを蝗った緩度怠達(dá)ネットワ〖ク羹けのソリュ〖ションなど、パワ〖染瞥攣を蝗ったソリュ〖ションをTechno-Frontier 2023で斧せた。パワ〖染瞥攣帽攣では汗侍步しにくいが、ソリュ〖ションで杠狄にメリットを斧える步する里維だ。
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2023年7月26日
∶禱窖尸老∈瀾隴ˇ浮漢劉彌∷
GaNパワ〖デバイスがすでにスマ〖トフォンの締廬郊排達(dá)などに蝗われているが、GaN馮窘の裁供にもメドがついたようだ。SiC票屯、GaNバルク馮窘も蓋く、バルクのインゴットからウェ〖ハにスライスすることが豈しかった。ディスコが孺秤弄詞帽にスライスできる禱窖を倡券、ウェ〖ハとして蝗える箭翁も37.5%籠やせることがわかった。
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2023年5月30日
∶緩度尸老
澎記の染瞥攣嬸嚏である澎記デバイス&ストレ〖ジ家がパワ〖染瞥攣供眷である裁察澎記エレクトロニクスに300mmウェ〖ハプロセスラインを肋ける妄統(tǒng)が湯らかになった。裁察澎記は2023鉗4奉に300mm灤炳のパワ〖染瞥攣糠瀾隴棚の彈供及を乖い、2024鉗刨柒での蒼漂を徒年しているが、孟蹋なパワ〖染瞥攣は丁惦冊(cè)娟にならないだろうか。
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2023年4月27日
∶輝眷尸老
SiCパワ〖染瞥攣輝眷が締廬に童き懼がっている。クルマの排瓢步によりインバ〖タやオンボ〖ドチャ〖ジャ〖にSiCが蝗われているが、このEV輝眷に羹けて奧年丁惦するための里維弄な捏啡やM&Aが寵券步している。SiCパワ〖染瞥攣の輝眷憚滔はまだ16帛ドル鎳刨だが、2026鉗にはCAGR35%で53.3帛ドルに籠裁するという斧奶しまで叫てきた∈哭1∷。
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2023年3月 6日
∶降粗ニュ〖ス尸老
泣塑券の黎眉ファウンドリのラピダス家が頌長(zhǎng)蘋の籬盒輝に翁緩供眷の肋彌を瘋めた。傅話臀排怠の染瞥攣供眷であった糠熾供眷を泣塑のファンドが傾箭、JSファンダリとして2022鉗12奉に叫券したが、そのレポ〖トを3奉6泣の泣沸緩度糠使が鼠じた。SiC倡券を渴めてきたロ〖ムがGaNパワ〖IC禱窖にも捐り叫している。
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2023年2月10日
∶禱窖尸老∈プロセス∷
光卵暗のパワ〖染瞥攣には、濕劑潑拉としてSiよりも冷憋卵暗の光いSiCやGaNの數(shù)が銅網(wǎng)だ。しかしながらSiCでは1200Vの卵暗を評(píng)られるが、光擦でなかなか舍第しない。GaNの玻房HEMTトランジスタは650V鎳刨しか卵暗が評(píng)られない。こんな撅急がSi、SiC、GaNのパワ〖染瞥攣でこれまでまかり奶っていた。
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