Intelが再びAlteraに、AvagoはBroadcom�A収など�j型M&Aの背景を探る
先週から今週にかけて、半導��企業の�j型�A収が相次いでいる。週��には、IntelがAlteraを�A収するという�Bが2ヵ月ぶりに再�\した。半導��企業のM&Aがこれほどまでに��出した週はかつてあっただろうか。その動きの背景にあるものは何か。半導��・ITという動きの極めて�]い分野だからこそ、�A収を��ぐ�eが見えてくる。 [→��きを読む]
パワー･パワーマネジメント
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GaNの歩�里泙�90%や、耐圧1200Vの�e型構�]など新GaNパワーFET
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GaNの歩�里泙蠅�90%に�屬欧蕕譴覯���性のある設���}法、GaNの耐圧を1200Vまで�屬欧討皀�ン�B�^が1.8mΩcm2とSiC並みに�ZづけることのできるMOSFETなどが試作され、GaNデバイスの常識が変わりつつある���h��県幕張メッセで開��されたテクノフロンティア2015では、新しいパワー半導��GaNに�jきな進歩がみられた。 [→��きを読む]
ドローン向け����は日本が�咾�
先週、幕張メッセで開��された「テクノフロンティア2015」に��設された��1�v国際ドローン�tのせいか、ドローン（無人飛行機）に関するニュースが�Hかった。5月21日の日本経済新聞はドローンの商��化が内外で始まったと伝えた。 [→��きを読む]
Infineon、使いやすさ�_��でIGBTモジュール��業を�啣�
Infineon TechnologiesがIGBTパワーモジュールビジネスに��を入れている。�噞機械や鉄�O�Z両、風��発電など�j電��向けのモジュール(図1)を開発したことに加え、ハイブリッドカー（HEV）や電気�O動�Z（EV）向けのHybridPACK Drive(図2)を開発中である。いずれも��来よりも�jきな電��を扱え、寄�撻ぅ鵐瀬�タンスを下げたことで�W定なスイッチングをサポートする。 [→��きを読む]
Infineon、パワーモジュールのパッケージ新工場を�o開
Infineon Technologiesがドイツのバールシュタイン（Warstein）にパワー半導��パッケージング工��の新工場を�n働させ、このほど�o開した。パワー半導��といえども、LSI同様、小型化・低消�J電��(高効率)化・使いやすさを求められている。このため、単��のトランジスタから、��数のベアチップを実�△靴織皀献紂璽襪悗肇僖奪院璽犬録焚修靴討い�。 [→��きを読む]
2015�Qの世�c半導��ランキング予�[、日本のトップテン圏内は1社に
2015�Qの世�c半導��トップテンランキングには日本のメーカーは東��1社になるかもしれない。このようなショッキングな調�hレポートがIC Insightsから発表された。2014�Qには��10位にとどまっていたルネサスがランク外に落ち、NXP/Freescale合弁会社が7位くらいにランクインされる可��性は高い。 [→��きを読む]
バンプ形成、PCB実�△覆怖�子ビジネスが��発に
ファウンドリやEMS（���]�佗蘋賁腑機璽咼后砲覆鼻▲屮薀鵐匹鯢修暴个気覆ぁ巒�子ビジネス」が国内で��発になっている。�Bセラはウェーハ�屬縫丱鵐廚魴狙�する�佗薀機璽咼垢任△襯ΕА璽魯丱鵐團鵐哀機璽咼垢魍判jし、沖プリンテッドサーキットは横�Q電機のプリント配線���攵�と基��実�△竜�業を�A収する。 [→��きを読む]
20nmの最先端FPGAやSoCの消�J電��を削��するデジタルDC-DCコン
低電圧、�j電流の最先端LSI向けの電源は、今やデジタル�U御する時代になった。数10mV��度のわずかな電圧単位で、電源電圧を�屬欧燭蟆爾欧燭蠅垢襪�らだ。Alteraが�A収したEnpirionは最微細化Gen10のFPGA向け30Aの電源モジュールEM1130を発売した。この�T圧DC-DCコンバータは並�`仕様で電流容量を拡張できる。 [→��きを読む]
���C���Q相次ぎ、��めに転じる半導��メーカー
半導��メーカーが��めに転じたニュースが��出した。東��はSK Hynixと共同でナノインプリント�\術を開発、ロームは、2001�Q3月期に記�{した売��4000億��に�Z��いてきた。ルネサスは��3四半期の���Q発表を行い、営業�W益は8四半期連�����C、経常�W益も332億��の���Cになった。ソニーはCMOSイメージセンサ、��菱は暗�ｶ\術などで��める。 [→��きを読む]
GaN-on-Diamondウェーハをサンプル出荷
英Element Six社がGaN-on-Diamondの4インチウェーハをサンプル出荷した。ダイアモンドの魅��は何といっても絶縁��ながら�X�B�^が極めて低いこと。このため、高周�Sパワートランジスタにはうってつけ(参考�@料1)。�X伝導率が1600W/mKと高く、放�X性が優れているため、��来のSiCを基��とするGaNよりも性�Δ�高い。 [→��きを読む]
