Hassane El-Khoury會∈哭1∷が、箋緘の沸蹦莢として廟謄されていたCypress SemiconductorのCEOから、2020鉗にonsemiのCEOになり、2鉗が沸とうとしている。onsemiはこの粗に絡きく恃わった。極瓢賈と緩度脫の染瞥攣を積っているonsemiは、インテリジェントパワ〖とインテリジェントセンサにフォ〖カスすることを渴めてきた。onsemiのメッセ〖ジはかなり湯澄になってきた。CEOのHassane El-Khoury會にその里維について使いた。 [ⅹ魯きを粕む]
SiCデバイスがようやく惟ち懼がってきた。勢onsemiがニュ〖ハンプシャ〖劍ハドソンにSiC馮窘ブ〖ル∈Siのインゴット陵碰∷欄緩の糠供眷を肋惟、倡疥及を乖った∈哭1∷。勢睛壇臼のジ〖ナˇレモンド柜壇墓幢も叫朗するという蝸の掐れようだった。また、GaNデバイス輝眷で呵絡緘のNavitasがSiCメ〖カ〖のGeneSiC Semiconductorを傾箭した。 [ⅹ魯きを粕む]
IoTがDX∈デジタルトランスフォ〖メ〖ション∷の答塑禱窖として鉗唯20%で緬悸に喇墓している粗に、エネルギ〖の跟唯步を謄回すグリ〖ントランスフォ〖メ〖ション∈GX∷も緬悸に幌まっている。ここでは染瞥攣とバッテリが答塑禱窖となる。トヨタが踩捻脫排糜禍度に徊掐、勢スタ〖トアップが奧擦な亨瘟で你擦呈排糜の倡券、パナソニックが絡籠緩、泣惟が流排俐の爬浮雌渾サ〖ビス倡幌、といった瓢きが謄惟つ。 [ⅹ魯きを粕む]
EV∈排丹極瓢賈∷の締廬郊排や浩欄材墻エネルギ〖のDC-ACコンバ〖タなどの脫龐に羹け、1200Vあるいは2000Vのパワ〖SiC MOSFETでオン鳥鉤を負らした瀾墑が頂い圭っている。UnitedSiCを傾箭したQorvoが1200V卵暗でオン鳥鉤23mΩ(哭1)、SiCデバイス任卿馳トップのSTMicroelectronicsを納いかけるInfineonが2000V卵暗でオン鳥鉤20mΩ鎳刨のSiC MOSFETを券山した。 [ⅹ魯きを粕む]
排丹極瓢賈∈EV∷が郊排達のコスト猴負やサブスクリプションモデル瞥掐など糠しい活みを夸渴しており、また浩欄材墻エネルギ〖券排の叫蝸を賄めるなど、これからのパワ〖染瞥攣の輝眷橙絡の材墻拉が弓がっている。沸貉緩度臼が嘆燒けたグリ〖ントランスフォ〖メ〖ション∈GX∷は、乳迄にも泣塑が叫覓れただけにパワ〖染瞥攣輝眷の途孟は弓い。 [ⅹ魯きを粕む]
卵暗1200Vと光く、しかもオン鳥鉤7mΩと祿己の井さなSiCパワ〖MOSFETをInfineon Technologiesが叫操し幌めた。このCoolSiC MOSFET 1200V M1Hファミリには、篩潔のTO247パッケ〖ジの帽攣トランジスタに裁え、インバ〖タなどに努したパワ〖モジュ〖ルEasy 3Bパッケ〖ジも捏丁する。 [ⅹ魯きを粕む]
このところパワ〖染瞥攣の見妥の光まりを績す禍悸が魯」叫てきている。EV∈排丹極瓢賈∷輝眷の惟ち懼がりと鼎に郊排肋灑の郊悸步、さらに排蝸丁惦稍顱による匿排の豺久、浩欄材墻エネルギ〖瞥掐の光まりなどだ。これらの禍悸はパワ〖染瞥攣の見妥橙絡を績している。インドでも染瞥攣緩度が惟ち懼がりを斧せている。ここでもEVとスマホがカギを愛る。 [ⅹ魯きを粕む]
澎記デバイス&ストレ〖ジ家は、裁察澎記エレクトロニクス家の菇柒にパワ〖染瞥攣羹け300mmの欄緩ラインを糠肋すると券山した。極瓢賈の排瓢步や緩度怠達の極瓢步が晾いとしているが、廄爬はやはりEVだ。坤腸面の極瓢賈メ〖カ〖がEVに律を艱り幌めた面でトヨタは候鉗12奉になってようやくEV里維を券山した。泣沸は康腳すぎたと山附した。 [ⅹ魯きを粕む]
SPI柴鎊嘎年Free Webinar¨ウェブだけではお帕えしきれないような腳妥なニュ〖スを尸老し、辦つのテ〖マをウェビナ〖でより考速していきます。 [ⅹ魯きを粕む]
ドイツInfineon Technologiesがオ〖ストリアのフィラハに氟肋していた300mm窗鏈極瓢步の糠供眷を蒼漂させた∈哭1∷。9奉17泣∈票泣泣塑箕粗20箕30尸∷にオ〖プニングセレモニ〖を倡號、セレモニ〖の呵稿に、クリ〖ンル〖ムから窗喇ウェ〖ハを積ち叫して額け燒けるというデモまで蠕溪した∈徊雇獲瘟1∷。300mmの泅いウェ〖ハを欄緩するが、2022×23鉗のEVや浩欄材墻エネルギ〖見妥橙絡を徒鱗して氟肋した。 [ⅹ魯きを粕む]
