澎記染瞥攣嬸嚏のパワ〖染瞥攣の300mmプロセスラインに盡換がある妄統(tǒng)
澎記の染瞥攣嬸嚏である澎記デバイス&ストレ〖ジ家がパワ〖染瞥攣供眷である裁察澎記エレクトロニクスに300mmウェ〖ハプロセスラインを肋ける妄統(tǒng)が湯らかになった。裁察澎記は2023鉗4奉に300mm灤炳のパワ〖染瞥攣糠瀾隴棚の彈供及を乖い、2024鉗刨柒での蒼漂を徒年しているが、孟蹋なパワ〖染瞥攣は丁惦冊娟にならないだろうか。
哭1 澎記のパワ〖染瞥攣禍度は賈很羹けに蝸を掐れていく 叫諾¨ 澎記デバイス&ストレ〖ジ家
もともと排蝸柴家や糯蘋など給鼎インフラビジネスに動(dòng)い澎記は、これまでもパワ〖染瞥攣を評罷としてきた。それも緩度脫やインフラ脫の絡(luò)排蝸怠達(dá)が評罷面の評罷で、それ笆嘲にも賈很羹けソリュ〖ションと、デ〖タセンタ〖/サ〖バ〖羹けのソリュ〖ションを積っている∈哭1∷。瀾墑ポ〖トフォリオでも、家柴インフラや緩度羹けソリュ〖ションが誰少だった。
ここにきてEV步への絡(luò)きなうねりと、カ〖エレクトロニクスへの絡(luò)きな見妥が、シリコンのパワ〖染瞥攣を稿病ししている。毋えばEV∈排丹極瓢賈∷といえば、インバ〖タ脫のパワ〖染瞥攣やSiC MOSFETなどにすぐ廟謄が礁まるが、EVでなくとも悸はパワ〖染瞥攣はクルマのあちらこちらに何脫されている。パワ〖ウィンドウやワイパ〖などのモ〖タ額瓢や、LEDランプのドライバなどパワ〖染瞥攣の脫龐は悸に驢い。これに裁えてEVシステムになれば、呵你嘎4つの炳脫にパワ〖染瞥攣が蝗われる。トラクションインバ〖タ、OBC∈On Board Charger∷、BMS∈Battery Management System∷、そしてDC-DCコンバ〖タだ。
もちろん、これから部鉗にも畔るトレンドのACES∈Autonomy、Connectivity、Electricity、Sharing∷あるいはCASEに灑え、パワ〖染瞥攣の炳脫は籠えていく。その辦毋が極瓢笨啪やADAS∈黎渴笨啪システム∷羹けのステアリングˇバイˇワイヤ〖數(shù)及だ。これはハンドル∈ステアリング∷の嗚と賈即とがつながっていない糠しいシステムで、ハンドルを攙すとその逞刨を浮夢して漣嗚の羹きをモ〖タで拇臘する禱窖である。ここにもパワ〖染瞥攣が蝗われる。賈即などの怠常嬸墑は染瞥攣よりも悸は慨完拉が礙いからだ。攙啪や漣稿笨瓢する眷圭の怠常の結(jié)酬聽は風(fēng)かせない。OEMに艱亨すると怠常で叫丸ることをできるだけシリコンに彌き垂えるという瓢きが1980鉗洛から魯いてきており、これからももっと籠えていく斧奶しだ∈哭2∷。
哭2 クルマ1駱碰たりのパワ〖染瞥攣∈MOSFET∷は籠え魯けている 叫諾¨ 澎記デバイス&ストレ〖ジ家
賈很羹け染瞥攣は倡券から悸蝗脫まで5×7鉗かかるため、沒袋弄な肥丹に焊寶されない。2023鉗の坤腸染瞥攣がマイナス喇墓になることは澄悸なのに、賈很染瞥攣だけがプラス喇墓が斧哈まれている。
パワ〖染瞥攣と辦庚にいってもそれだけでは瓢かない。パワ〖染瞥攣を額瓢するためのドライバIC、さらにドライバICに回吾を叫すマイコン、そしてマイコンに冉們を滇めるためのセンサとアナログIC、そして鏈攣の染瞥攣を瓢かすための排富脫IC、すなわちPMICが澀妥となる。このシグナルチェ〖ンの面で呵你嘎澀妥なのはドライバICとアナログICやマイコンだ。澎記は、パワ〖染瞥攣に裁え、ドライバIC、マイコンなどのシグナルチェ〖ンを菇喇する染瞥攣にも蝸を掐れる。
ただし、脫龐に炳じてパワ〖染瞥攣を蝗い尸ける。繞脫弄で40~100Vだとシリコンのパワ〖MOSFET、それ笆懼から700V鎳刨までならシリコンIGBTやGaN、800V笆懼ならSiC MOSFETというわけだ。
哭3 オン鳥鉤猴負(fù)を渴めてきた 叫諾¨ 澎記デバイス&ストレ〖ジ家
眶翁が呵も驢い瀾墑は、いたるところで蝗われる井房モ〖タ額瓢脫のSi MOSFETで、そのための300mmウェ〖ハラインとなる。悟凰の墓いMOSFETは、オン鳥鉤と卵暗とはトレ〖ドオフの簇犯にあるため、腮嘿裁供禱窖によってオン鳥鉤を布げながら、鄂順霖を答饒婁の布の數(shù)へ弓げていくという菇隴を納滇してきた。トレンチ禱窖はその辦つだ。100V廢のMOSFETで呵井のオン鳥鉤25mΩ/mm2を悸附している∈哭3∷。また、スイッチング祿己を負(fù)らすため、大欄推翁を負(fù)らすセル菇隴も何脫してきた。セル菇隴とは、パワ〖トランジスタは井さなトランジスタを絡(luò)翁に事誤儡魯した霹擦攙烯で山附されるが、その井さな答塑MOSFETのことを回す。
冷憋卵暗がシリコンの10擒というSiC亨瘟を蝗ったMOSFETにも蝸を掐れ幌めた。これまでIGBTでも灤炳できる650V卵暗のSiC MOSFETを僥魯儡魯して3.3kV廢の糯蘋賈尉羹けに悸脫步、さらに緩度脫の排富羹けにも欄緩している。さらにその黎の800V廢のクルマには卵暗1200VのSiC MOSFETが塑呈弄に蝗われるようになる∈哭4∷。澎記は、Si MOSFETでも蝗われているス〖パ〖ジャンクション數(shù)及の菇隴をSiCに瞥掐し、3.3kV笆懼の創(chuàng)俐排蝸討羹けのSiC MOSFET倡券にも艱り寥んでいるという。創(chuàng)俐排蝸討では、慎蝸やソ〖ラ〖などの浩欄材墻エネルギ〖にSiCを蝗えば、蝗うパワ〖トランジスタの翁を負(fù)らせるためSiCのメリットが欄きてくる。
哭4 SiCは糯蘋から徊掐しクルマ、さらに浩エネへと鷗倡 叫諾¨ 澎記デバイス&ストレ〖ジ家
絡(luò)排蝸ˇ光卵暗パワ〖トランジスタだけではなく、澎記は蝗い盡緘の守網(wǎng)なパワ〖ICも脫罷する。モ〖タ擴(kuò)告脫にマイコンとドライバICや瘦割攙烯、排富攙烯などを1チップに礁姥したSmartMCD∈Motor Control Device∷も倡券している。パワ〖トランジスタのモジュ〖ル∈6改寥∷に木馮し、デジタル慨規(guī)を流るだけでパワ〖染瞥攣を擴(kuò)告できる。CPUを礁姥しているため、ソフトウエアでプログラム材墻で、そのための倡券ボ〖ドと倡券茨董も捏丁する∈哭5∷。
哭5 パワ〖ICのSmartMCDも捏丁 叫諾¨ 澎記デバイス&ストレ〖ジ家
さらに、悸狠のクルマに烹很した箕にパワ〖MOSFETの瓢侯補(bǔ)刨懼競覺輪やEMI∈Electro-Magnetic Interference∷のようなスイッチングノイズの屯灰をモデルベ〖スシミュレ〖ションによって囪盧できるようにするため、MOSFETのSPICEモデルをAnsys家のモデルベ〖ス肋紛ツ〖ルのTwinBuilderに烹很、捏丁できるようにした。これによってMOSFETをクルマに烹很する漣にシミュレ〖ションで、毋えば蛤汗爬の逞を妒がるような瓢侯の箕にパワ〖トランジスタの補(bǔ)刨懼競やノイズ覺斗を浮沮できるようになった。
澎記が海攙、淡莢棱湯柴を倡號し、パワ〖染瞥攣の車妥を疽拆したことは、海稿茍めに啪じていくという系膘でもある。
