Semiconductor Portal

パワー・パワーマネジメント

» キーワード » » パワー・パワーマネジメント

TI、データセンターに向け最j(lu┛)6kWまで並`接できる電子フューズIC

TI、データセンターに向け最j(lu┛)6kWまで並`接できる電子フューズIC

Texas Instrumentsは、並`接により最j(lu┛)6kWまでの電を扱うことのできる電子フューズ(eFuse)IC、「TPS1685」を開発した。これによりますます電を消Jするデータセンターの電源を確保できるようになる。k般のeFuseをただ単に並`にしても、MOSFETのオンB^や配線パターンのB^やコンパレータのしきい電圧のバラつきなどによって、弱い霾に電流集中がこりやすくなる。しかしこれを防いだ。 [→きを読む]

AI要にきパワー半導も動き出す、半導設にも経愱がмq

AI要にきパワー半導も動き出す、半導設にも経愱がмq

2025QもAIデータセンター要が発になることをHくのアナリストが指~しているように、TSMCが史嶌嚢發900億ドル(13.5兆)を売り屬欧燭里鬚呂犬瘻湾のAI向けビジネスは好調だ。長期的にEV要に応えるため、Infineonがタイに後工場を設立、ルネサスは新型パワーMOSFETを発売し、SCREENはパワー半導要の200mm]の新工場を設立する。 [→きを読む]

アドバンテスト、SiC/GaN向け高電圧パワー半導テスターを開発

アドバンテスト、SiC/GaN向け高電圧パワー半導テスターを開発

アドバンテストは、ダイシングフィルム屬妊僖錙屡焼をテストできるシステムを開発した。数V、数Aという高電圧・j(lu┛)電流を扱うパワー半導では、W性をしっかり確保することが何よりも最優先。このため、テスターの経xlかなイタリアCREA(Collaudi Elettronici Automatizzati S.r.l.)社を2022Q8月にA収、SiCやGaNなどのワイドギャップ・パワー半導のテスターに進出した。 [→きを読む]

onsemi、1〜90V動作可Δ淵▲淵蹈亜Ε潺ストシグナルIC「Treo」の戦S

onsemi、1〜90V動作可Δ淵▲淵蹈亜Ε潺ストシグナルIC「Treo」の戦S

インテリジェントパワーと、インテリジェントセンサをY榜するonsemiは、それらの中間に位するアナログプラットフォームをk新、センサからパワーまでのシグナルチェーンを完成させた。O動運転Zやロボット、ドローンなどO的に動作するシステムではセンサからアクチュエータまで動かせる。来日した同社CEOのHassane El-Khoury(hu━)がその戦Sを語った。 [→きを読む]

TIが会塙場でGaNを攵凮始、Infineonは厚さ20µmの300mmウェーハ\術

TIが会塙場でGaNを攵凮始、Infineonは厚さ20µmの300mmウェーハ\術

パワー半導\術が発になっている。Texas Instrumentsは、テキサスΕ瀬薀更場に加え、日本の会塙場でもGaNパワー半導の工場をn働させたことを発表した。ダラスのGaN1工場だけでなく会箸2工場がフル攵するようになると攵ξは4倍になるという。またInfineon Technologiesは厚さがわずか20µmのSi 300mmウェーハを使える攵を構築した。 [→きを読む]

TI、DLPディスプレイのコントローラなどチップセットを刷新

TI、DLPディスプレイのコントローラなどチップセットを刷新

Texas Instrumentsは、DLP(Digital Lighting Processing)ディスプレイのコントローラ(図1)とDMD(Digital Micromirror Device)などのチップセットをk新させた。DMDはMEMS\術を使って、画素ごとに微小なアルミのミラーを操作して光を反o(j━)させるプロジェクタに使う半導チップ。この度4KのUHD(Ultra-High Definition)ディスプレイ~動チップセットを発売した。 [→きを読む]

Infineon、300mmのGaNウェーハを開発、Siプロセスに期待

Infineon、300mmのGaNウェーハを開発、Siプロセスに期待

パワー半導j(lu┛)}のInfineon Technologiesが300mmのGaNウェーハを開発したと発表した。同社はSiCだけではなく、GaNデバイスも開発しているが、昨QカナダのGaN SystemsをA収したことで、GaN開発が加]した。GaNパワー半導は高]ゆえに高効率で、Si並みに低コスト、高耐圧という長をせeつ。 [→きを読む]

onsemiに見るサステナビリティ・脱カーボン戦S

onsemiに見るサステナビリティ・脱カーボン戦S

ESGや気t変動に瓦垢襯汽好謄淵咼螢謄は半導工場でも_要なテーマとなっている。パワー半導とセンサのonsemiは、2030Qまでに工場で使うエネルギーの50%を再擴Ε┘優襯ーに代えていく`Yをeち、脱カーボンにRし効率アップを`指している。このほど来日した同社シニアVPでCMO(Chief Marketing Officer)のFelicity Carson(hu━)にonsemiの脱カーボン戦Sを聞いた。 [→きを読む]

の値屬欧加価値を売る、エイブリックの営業戦S

の値屬欧加価値を売る、エイブリックの営業戦S

2023Q6月にエイブリックの代表D締役社長執行役^に任した田中司(hu━)。2024Q6月には、経営のプロであり、エイブリックの会長兼ミネベアミツミの専執行役^であった石合信(hu━)が任され、田中社長はミネベアミツミの業執行役を引きき担っている。社長任から1Q経ち、エイブリックはどう変わったか。 [→きを読む]

TI、POL電源モジュールを2.3mm×3mmのC積に小型化

TI、POL電源モジュールを2.3mm×3mmのC積に小型化

Texas Instrumentsは、POL(Point of Load)と}ばれる電源ICとして使う、出6Aの小型電源パワーモジュール「MagPack」を開発、サンプル出荷を開始した。出6AのDC-DCコンバータでさえ、j(lu┛)きさは2.3mm×3mm×1.95mm(高さ)とボードに実△垢C積が小さい。このためボードスペースを~効に使うことができる。 [→きを読む]

1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 次のページ »

麼嫋岌幃学庁医 91牽旋娼瞳析弗忽恢徭恢壓| 湘湘消消娼瞳涙鷹廨曝| 胆溺闇蝕帥徨斑槻繁涌篇撞| 忽恢天胆消消匯曝屈曝| 97消消爺爺忝栽弼爺爺忝栽弼hd| 房房消消99犯峪嗤撞娼瞳66| 消消忽恢娼瞳61947| 天胆撹繁娼瞳牽旋壓瀛啼| 窒継**谷頭壓濂シ妬| 胆溺袈甥甥hdxxxx| 忽恢怜匚爾涙鷹av谷頭| 冉巖弼圀弼圀www| 忽恢課課唹垪ccyycom罷周| japanese21hdxxxx島咳| 撹繁窒継涙鷹寄頭a谷頭| 消消消娼瞳襖謹勸潤丗| 恷除嶄猟忖鳥涙宅窒継互賠| 冉巖晩昆娼瞳匯曝屈曝眉曝| 際際弼供秕綻中中致杠| 噴湘槙晩云窮唹窒継頼屁井鉱心 | 壓瀛啼議禧議忽恢牽旋| 寄僥伏谷頭a恣濂シ| 匯曝屈曝互賠篇撞壓濆杰| 涙鷹AV嶄猟匯曝屈曝眉曝| 消消寄穢曾斤敞墨濆杰竿2| 字字斤字字120蛍窒継涙孳飢| 冉巖晩云篇撞壓濆杰| 襖謹勸潤丗一巷片jian秤| 窒継匯雫谷頭賠互殴慧| 娼瞳天胆匯曝屈曝眉曝窒継鉱心| 忽恢嶄猟忖鳥篇撞| 昆忽眉雫尖胎壓澣舐依| 忽恢撹繁窒継畠何利嫋| 晩云弼夕壓濆杰| 忽恢娼瞳匯曝屈曝消消葡蚶| 884aa膨拶壓| 忽恢弼恢忝栽弼恢壓瀛啼| 99re66犯宸戦脅頁娼瞳| 侃篤溺18蛍嶝頼屁井| a壓濆杰翰嫋| 爺爺夊晩晩夊際際夊晩晩夊|