TIが柴吶供眷でGaNを欄緩倡幌、Infineonは更さ20µmの300mmウェ〖ハ禱窖
パワ〖染瞥攣禱窖が寵券になっている。Texas Instrumentsは、テキサス劍ダラス供眷に裁え、泣塑の柴吶供眷でもGaNパワ〖染瞥攣の供眷を蒼漂させたことを券山した。ダラスのGaN媽1供眷だけでなく柴吶の媽2供眷がフル欄緩するようになると欄緩墻蝸は4擒になるという。またInfineon Technologiesは更さがわずか20µmのSi 300mmウェ〖ハを蝗える欄緩を菇蜜した。
TIは坤腸面の凋爬でGaNパワ〖染瞥攣を侯る攣擴を蜜くことで、經丸のパワ〖染瞥攣丁惦稍顱にならないように灤借する。2030鉗までにGaNの欄緩は95%笆懼籠裁するようにする。≈TIは10鉗笆懼もGaN瀾隴禱窖を酸いてきたことで200mmウェ〖ハを墑劑千年することに喇根し、スケ〖ラブルに∈供眷や凋爬を籠やすという罷蹋∷コスト跟唯光く瀾隴できるようになったため∈哭1∷、泣塑の柴吶でもGaNを瀾隴できるようになった∽とTIの禱窖と瀾隴嬸嚏のシニアVPであるMohammad Yunus會は胳っている。
哭1 TIはGaN染瞥攣の沸賦が10鉗笆懼ある 叫諾¨Texas Instruments
GaN染瞥攣は、傅」排蝸跟唯の爬でSiよりも庭れていることは、GaN輝眷のトップ凌いを遍じているPower Integrationsがビデオなどで揭べている。TIはPIやNavitas Semiconductorを納いかけており、GaN染瞥攣でパワ〖尸填を淘納している。GaNはスマ〖トフォンやパソコンの井房排富アダプタ〖に蝗われているが、ひとえにエネルギ〖跟唯が光いために井房にできることが絡きなメリットとなっている。また、呵奪は、踩捻脫のエアコンの井房ˇ光跟唯モ〖タ〖額瓢にも蝗われており、跟唯の紊さの爬で額瓢攙烯を井さくできる潑墓が絡きい。
TIはGaNパワ〖染瞥攣が光卵暗だけではなく你卵暗の瀾墑でも光跟唯というメリットを庭黎して、瀾墑ポ〖トフォリオを路えている。久銳排蝸が警ないということはGaNを蝗う排灰攙烯もっと井房にできるという罷蹋だ。
TI迫極のGaNオンSi∈シリコン∷プロセス禱窖は、礁姥步しやすく、GaNパワ〖トランジスタとドライバ檬や攙烯を礁姥できる。さらに、8000它箕粗の慨完拉活賦にもクリアし、瘦割攙烯も礁姥でいるため、光排暗システムを奧鏈に瘦つように肋紛できる。GaN瀾隴菠烯セスに蝗われる黎渴弄で跟唯の光い劉彌を蝗って、より井房でより排蝸跟唯の光いチップを欄緩できるという。GaN肋紛禱窖によってより警ない垮と付亨瘟で瀾隴できるため、GaNを蝗うシステム瀾墑も茨董にやさしい瀾墑になる。
GaN染瞥攣は卵暗900Vの瀾墑があり、經丸に畔ってさらに光卵暗へと渴んでいくという。
光排暗光跟唯の炳脫としてはロボットや浩欄材墻エネルギ〖、サ〖バ〖の排富など炳脫がある。
TIは海鉗のはじめに、300mmウェ〖ハ懼にGaN瀾隴禱窖の倡券にも喇根したという。海稿はGaN瀾隴プロセスを300mmウェ〖ハで悸附できるように弓げていき、經丸の300mmウェ〖ハ步に灤炳する。
更さ20µmで排蝸跟唯を15%羹懼
パワ〖染瞥攣トップのInfineon Technologiesは、9奉にGaNの300mmウェ〖ハを倡券したと揭べた∈徊雇獲瘟1∷ほか、8奉にはマレ〖シアのクリムに200mmのSiCパワ〖染瞥攣供眷をオ〖プンした∈徊雇獲瘟2∷。10奉瑣には、更さわずか20µmで300mmウェ〖ハのパワ〖染瞥攣ウェ〖ハプロセスを澄惟した∈徊雇獲瘟3∷。
300mmのシリコン染瞥攣では答饒のシリコンウェ〖ハの更さを850µm鎳刨にしなければ充れるという看芹があり、胺いやすさから更くしてきた。しかし、パワ〖染瞥攣ではpn儡圭で券欄する更さによる錢鳥鉤のため跟唯が礙くなることから、ウェ〖ハ借妄が姜わってから泅く猴ってきた。それも胺いやすさを雇胃して40×60µmまで泅くしている。
海攙20µｍに泅くできたことで、答饒鳥鉤は染負し、パワ〖染瞥攣システムの排蝸跟唯は15%羹懼するという。ただし、これだけ泅くするとさすがに光卵暗にはできないため、光排暗の排蝸討や極瓢賈などには蝗えないが、48V廢のデ〖タセンタ〖廢の排富脫龐には耙蝸を券帶しそうだ。
徊雇獲瘟
1. ≈Infineon、300mmのGaNウェ〖ハを倡券、Siプロセス寵脫に袋略∽、セミコンポ〖タル、(2024/09/12)
2. ∪Infineon opens the world∏s largest and most efficient SiC power semiconductor fab in Malaysia∩, Infineon Technologies Press Releases, (2024/08/08)
3. ∪Infineon unveils the world∏s thinnest silicon power wafer, pushing technical boundaries and improving energy efficiency∩, Infineon Technologies Press Releases, (2024/10/29)
