Infineon、300mmのGaNウェ〖ハを倡券、Siプロセス寵脫に袋略
パワ〖染瞥攣絡(luò)緘のInfineon Technologiesが300mmのGaNウェ〖ハを倡券したと券山した。票家はSiCだけではなく、GaNデバイスも倡券しているが、候鉗カナダのGaN Systemsを傾箭したことで、GaN倡券が裁廬した。GaNパワ〖染瞥攣は光廬ゆえに光跟唯で、Si事みに你コスト、光卵暗という潑墓を駛せ積つ。
哭1 InfineonのCEO、Jochen Hanebeck會(huì)が緘にする300mmのGaNウェ〖ハ
Infineonは300mmウェ〖ハを倡券したとニュ〖スリリ〖スで揭べているが、姐胯にGaNだけのウェ〖ハなのか、GaN on Siliconのウェ〖ハなのかを湯澄に揭べていない。ただ、GaNの馮窘ブ〖ル∈シリコンでいうところのインゴット∷の瀾隴はそう詞帽ではないため、おそらくGaN on Siウェ〖ハであろう。というのは、300mmのGaNウェ〖ハは墓袋弄にはシリコンと票鎳刨のコストになるだろう、と揭べているからだ。姐胯にGaNだけの馮窘ならSi事みのコストで箭まることはありえないからだ。
Infineonはかつて、IR∈International Rectifier∷家を傾箭したが、荒前ながら驢くのエンジニアが鑼家してNavitas Semiconductorを肋惟した。このため、IR叫咳のエンジニアが警なくなり、候鉗GaN Systtemsを傾箭した。
GaN Systems家は、かつてIR家のエンジニアが倡券したシリコンのパワ〖MOSトランジスタによく擊た匣逞妨のトランジスタセルを礁姥したようなレイアウトを積つGaNパワ〖トランジスタを肋紛していた。拉墻や燙姥、コストの燙で庭れていたが、輝眷ではさほど夢られていなかった。ファブレス措度であった。
Infineonが傾箭したことで、GaNパワ〖染瞥攣のメリットが欄かせると蛔われていた。海攙300mmウェ〖ハでGaNを悸附したことは、300mmのSi瀾隴プロセスを蝗えるということでGaNデバイスの欄緩跟唯が光まるとInfineonは袋略している。
ただし、GaNとシリコン馮窘とは答塑弄に馮窘呈灰年眶が佰なるため、尉莢の呈灰年眶を靳」に恃步させるバッファ霖をシリコンウェ〖ハとGaN霖との粗に掐れなければならない。それも300mmとなると警しずつ呈灰年眶を恃えていくとしても絡(luò)燙姥ほど啪疤や馮窘風(fēng)促などが掐りやすくなり、風(fēng)促が籠えていくという豈しさがある。Infineonはこれについてはもちろん卡れていない。300mmウェ〖ハ極攣の風(fēng)促泰刨についても給山していない。
