アドバンテスト、SiC/GaN向け高電圧パワー半導��テスターを開発
アドバンテストは、ダイシングフィルム�屬妊僖錙屡焼���をテストできるシステムを開発した��数��V、数��Aという高電圧・�j電流を扱うパワー半導��では、�W��性をしっかり確保することが何よりも最優先。このため、テスター����の経�x�lかなイタリアCREA（Collaudi Elettronici Automatizzati S.r.l.）社を2022�Q8月に�A収、SiCやGaNなどのワイドギャップ・パワー半導��のテスターに進出した。
図1 SiC/GaN向け保護�v路搭載パワー半導��テスター 出�Z：アドバンテスト
パワー半導��はSiのIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）からSiCやGaNを使ったMOS/MIS FET（ワイドギャップ半導��トランジスタ）への�々圓�いよいよ普及期に入り、1200V や1600Vといった高電圧のパワー半導��デバイスを破�sせずに�R定しなければならなくなってきた。これまでのような400V�UのEV（電気�O動�Z）システムから800V�Uのシステムへと�々圓垢襪燭瓩澄���に���]充電に�官�するためには高電圧に�官�する��要がある。��に充電スタンドでは���]充電はEVの普及に�Lかせない。例えば800V�U以�屬覆�10分で満充電の80%まで充電できるといわれている。
アドバンテストは、CREAのテスター「MTシリーズ」に、アドバンテストが�u�Tなダイ・プローバの新����「HA1100」を組み合わせた統合テスト・セル・ソリューション「KGD Test Cell」を開発した。完成したウェーハをダイシングしてフィルムなどの�Хeフィルムに載せたまま、チップごとに数��Vを印加してDC��性やスイッチング��性などを�R定できる。
高電圧・�j電流を流すパワー半導��の�R定には�e険を伴うだけではなく、デバイスや�R定�_を破��するリスクもある。例えば誤って�v路を�]絡させたときに異常な�j電流が流れ、半導��デバイスを破�sし、さらにプローブや�v路の�k�陲鮠�な発�Xで溶かしてしまう恐れもある。そうなると�R定����の設�△鴃T理しなければならないためラインを�Vめなければならなくなり、�n働率が�j幅に落ちてしまう。
CREA社はPCI（Probe Card Interface） Technologyと�}ぶ�����D�u済みの�\術がある。これは�R定�_内�陲念枉鐡杜�を検出するとデバイスを遮��して保護する�\術だ。ダイシングした後のダイの�X��でテストできるだけではなく、ダイを複数個基��に載せて基��の試�x、さらにその基��をモジュールに実�△靴織皀献紂璽襪了釋xも可�Δ砲覆�。
アドバンテストによると、テスト����と、DUT（Device Under Test）をテスト����に搬送するハンドラーとはこれまで別構成になっており、パワー半導��ではユーザーが合わせていたという。この新����「HA1100+MTシリーズ」では、テスト����とハンドラーを�k��化しているため使いやすい。加えて、�k��化してもダイごとに�R定できるため、合格したダイと、��格外れや不良��のダイとの混在を防ぐことができるため。モジュール試�xでの歩�里泙蠍��屬盍�待できる。
HA1100は2025�Q��2四半期に世�c的に販売する予定となっている。
