SiCウェ〖ハの欄緩翁は2023鉗も22%喇墓の斧哈み
2023鉗の坤腸染瞥攣輝眷は10%鎳刨のマイナス喇墓になりそうだという斧奶しの面、賈很羹けだけはプラス10%鎳刨の喇墓が徒鱗されている。面でもパワ〖MOSFETに蝗うn房SiCウェ〖ハの見妥が籠えている。2022鉗には漣鉗孺15%鎳刨の喇墓を績したが23鉗も22%喇墓、さらに2027鉗まで鉗唯士堆17%で喇墓し魯けそうだ。
哭1 SiCウェ〖ハ綏眶の夸敗 叫諾¨TECHCET
SiCウェ〖ハ喇墓の斧奶しを券山したのは染瞥攣亨瘟輝眷漓嚏の輝眷拇漢柴家TECHCET∈徊雇獲瘟1∷。6インチ∈150mm∷垂換で2022鉗には88.4它綏のウェ〖ハが叫操され、23鉗は107.2它綏に籠裁すると徒鱗する。
SiCウェ〖ハの見妥が光まるのは、絡(luò)排蝸あるいは光廬の炳脫怠達(dá)羹けのパワ〖デバイス羹けSiデバイスが濕妄弄嘎腸に奪燒いてきたからだ、とTECHCETは斧ている。SiのIGBTがパワ〖デバイスの面看をこれまで貍めてきたが、さらなる光廬ˇ絡(luò)排蝸ではもはや嘎腸という條だ。SiCは馮窘拉が緬悸に懼がってきて排灰敗瓢刨が懼がり、MOSFETの排萎推翁が羹懼してきた。サプライチェ〖ンも郊悸してきた。裁えてSiC見妥は排丹極瓢賈∈EV∷だけではなく締廬郊排怠や浩欄材墻エネルギ〖、緩度脫パワ〖怠達(dá)の光跟唯步などで光まりつつある。
締廬郊排達(dá)では800×900Vに競暗して排操をバッテリに流り哈むためトランジスタの卵暗として1200Vが澀妥になる。浩欄材墻エネルギ〖ではソ〖ラ〖、慎蝸とも木萎から睛脫件僑眶∈50/60Hz∷の蛤萎を侯り叫すため光卵暗トランジスタの賴澄なパルス瓢侯が澀妥で、それを6600Vの餐俐に提す?jié)驻ⅳ搿Ｂ寻丹猡堡欷泄猡い郅丧靴铩讥去楗螗弗攻郡慰簸暇胜坪绚啶郡帷iCの庭疤拉が叫てくる。IGBTで650Vなら、1200VのSiCは僥誤儡魯の眶を染負(fù)できる。緩度脫でも光排暗が澀妥な怠達(dá)、毋えばイオン慮ち哈み劉彌や裁廬達(dá)なども票屯に光卵暗潑拉が欄かされる。
欄緩翁が籠えてきた辦傍には、SiC馮窘ブ〖ル∈Siのインゴット陵碰∷を瀾隴するメ〖カ〖が籠えていることも逼讀している。Wolfspeedやonsemi、STMicroelectronicsなどのSiCデバイスメ〖カ〖が馮窘も侯るという庫木琵圭房へ瓢いていることも琳根している∈徊雇獲瘟2∷。
また、X-trinSiCやHalo Industriesのように、SiC馮窘ブ〖ルからウェ〖ハにスライス、エッジ甫酸、山燙甫酸、麗爵、エピタキシャル喇墓など、デバイスのプロセスに澀妥なウェ〖ハを裁供する漓嚏度莢も叫てきた。SiCはシリコンと般い、ダイヤモンド、BNなどに肌ぐ蓋い亨瘟であり、さらに步池挑墑に懾咯しにくい亨瘟でもあるため、Siと票屯のプロセスは蝗えない。SiC漓脫のプロセス劉彌が澀妥となる。
徊雇獲瘟
1. "Silicon Carbide (SiC) Wafer Supply Gets Squeezed", TECHCET (2023/05/09)
2. ≈SiCパワ〖染瞥攣、サプライチェ〖ンからOEM澄瘦まで庫木琵圭步へ瓢く∽、セミコンポ〖タル (2023/04/27)
