肌坤洛TFET、鼎棠TFET、finFET灤FDSOIなど糠デバイスが礁まったIEDM2013
IEEE IEDM∈International Electron Device Meeting∷では、トンネルFET∈TFET∷をはじめとする肌坤洛染瞥攣の券山がさまざまな甫墊疥、絡池、措度からあった。TFETにはサブスレッショルド排萎の飯夾を締皆にできるというメリットがあるため、稱家はこれを欄かし、5nmノ〖ドを晾い、0.5V笆布の排富排暗を晾う。 [ⅹ魯きを粕む]
亨瘟ˇ挑墑ˇ嬸亨
SEMICONジャパン、憚滔教井の辦數で袋略絡きい怠常嬸墑メ〖カ〖
黎降、SEMICONジャパン2013が倡號された。鷗績は、穗磨メッセのホ〖ル1×6で乖われ、柜狠柴的眷でセミナ〖が倡かれた。度腸で廟謄された澎疊エレクトロン∈TEL∷とApplied Materialsとの禍度琵圭についての侯度に掐っているという券山があった。 [ⅹ魯きを粕む]
SEMIのウェ〖ハ叫操燙姥の夸敗から斧える染瞥攣緩度の糠しいトレンド
2013鉗媽3煌染袋におけるシリコンウェ〖ハの叫操燙姥は、漣袋孺で2%負の23帛4100士數インチになったと、SEMIは券山した。これは漣鉗票袋孺でも2%負である。墓袋弄に斧て、このところシリコンの燙姥は、やや顱僻み覺輪にある。 [ⅹ魯きを粕む]
スマホ脫排灰亨瘟で動い泣塑の步池ˇ亨瘟メ〖カ〖
NECがスマ〖トフォンの肋紛瀾隴から瘧鑼を山湯し、パナソニックも票屯の瓢きを斧せる面、8奉31泣の泣塑沸貉糠使が≈泣塑のスマホ牲寵への掘鳳∽と瑪した家棱を非很した。嬸墑禱窖を斧木し、まねのできない瀾墑を侯ることだとする。クラレ、疊セラがその辦茨となる亨瘟に蝸を掐れている。アドバンテストのSSD浮漢劉彌倡券のニュ〖スも謄を苞く。 [ⅹ魯きを粕む]
染瞥攣瀾隴劉彌は攻拇、TSMC姥端抨獲、G450C/SEMATECHへニコン/澎レ徊裁
染瞥攣瀾隴劉彌が攻拇だ。SEAJが券山した5奉の減廟馳ˇ任卿馳ˇB/Bレシオを斧る嘎り∈徊雇獲瘟1∷、海鉗は懼羹きになりそうだ。SEAJは黎降、2013×2015鉗刨の泣塑瀾染瞥攣瀾隴劉彌の斧奶しを券山、泣塑沸貉糠使も7奉5泣燒けでそのニュ〖スを非很した。黎降はニコンが450mm羹け劉彌倡券のG450Cに徊裁するというニュ〖スもあった。 [ⅹ魯きを粕む]
EIDEC、グロ〖バル定蝸で10nm駱の裁供にEUV瞥掐謄回す∈3∷×レジスト
フォトレジストでは、候鉗まではポジ房レジストを蝗い、豺嚨刨16nm笆布、LWR∈俐升の療さ¨line width roughness∷1.3nm笆布、炊刨10mJ/cm2笆布、という眶猛を評ていた。豺嚨刨とLWR、炊刨の話つのパラメ〖タはトレ〖ドオフの簇犯にあるため、話つのパラメ〖タを呵努步させる澀妥がある(哭8)。海鉗は、ネガ房レジストを蝗ってどこまでいけるかの悸賦である。 [ⅹ魯きを粕む]
EIDEC、グロ〖バル定蝸で10nm駱の裁供にEUV瞥掐謄回す∈2∷×マスク浮漢
EUVは濕劑を譬冊しやすいX俐の辦鹼であるため、各池廢にはレンズではなく瓤紀饒を網脫する。瓤紀各池廢のマスクブランクスは、W/Moの帆り手し姥霖菇隴を何っている。ここに風促が掐るとパタ〖ンが夏んでしまうため、痰風促にしたい。マスク浮漢は稍材風である。 [ⅹ魯きを粕む]
EIDEC、グロ〖バル定蝸で10nm駱の裁供にEUV瞥掐謄回す∈1∷×車妥
EUVのマスク、レジスト禱窖倡券のコンソ〖シアムである、EUVL答茸倡券センタ〖∈EIDEC∷が呵奪の寵瓢鼠桂を乖った(哭1)。僑墓13.4nmのX俐を蝗うEUVリソグラフィでは、ASMLだけが溪各劉彌を倡券しているが、EIDECは溪各劉彌笆嘲のEUV答塑禱窖を減け積つ。叫獲は柜柒13家で、長嘲5家も鼎票甫墊で徊裁、繃付瀾侯疥とレ〖ザ〖テックは劉彌倡券パ〖トナ〖として徊裁、3絡池と緩度禱窖另圭甫墊疥も徊裁する辦絡コンソ〖シアムだ(哭2)。 [ⅹ魯きを粕む]
パソコンからモバイルへのメガトレンドの裁廬に灤炳する排灰稱家
パソコンからモバイルへの瓢きが裁廬している。黎降のニュ〖スはこの瓢きを斧禍に瓤鼻している。ディスプレイパネル、NANDフラッシュ、CMOSセンサ、プリント答饒、モバイル奶慨インフラ、鏈てが、スマホˇタブレットへのメガトレンドに捐っている。 [ⅹ魯きを粕む]
EUV箕洛が斧えてきたか、IntelがASMLと殊拇を圭わせ10nmに救潔
EUV∈Extreme Ultra Violet∷リソグラフィ禱窖の附覺が湯らかになった。Intelは2013鉗に14nmのトライゲ〖トFETプロセスを瞥掐するが、肌の10nmノ〖ドでは193iとEUVのミックスになるだろうと徒盧する。これはEIDEC Symposium 2013で湯らかにしたもの。 [ⅹ魯きを粕む]
