10nmプロセスでIBMと定度するUMC、腮嘿步で瀾隴頂凌蝸を動步
UMCが10nmプロセスでIBMと定度すると6奉13泣に券山した。IBMの禱窖倡券アライアンス∈Technology Development Alliances∷グル〖プにUMCが徊裁し、10nm CMOSプロセス禱窖を倡券する。 [ⅹ魯きを粕む]
プロセス
2013鉗の坤腸の染瞥攣肋灑抨獲は2%籠だが、14鉗は23%籠笆懼、SEMI徒盧
2013鉗の染瞥攣肋灑抨獲另馳は灤漣鉗孺2%籠の325帛ドルになりそうだ、という徒盧をSEMIが券山した。これはSEMIが5奉に券乖したWorld Fab Forecastレポ〖トによるもの。このレポ〖トは染瞥攣LSIだけではなく、LEDやオプトエレクトロニクスの供眷も灤據としている。 [ⅹ魯きを粕む]
LEAP、排富排暗0.37Vで瓢く2MビットSRAMを活侯、鏈ビット瓢侯澄千
NEDO∈糠エネルギ〖帴緩度禱窖另圭倡券怠菇∷とLEAP∈畝你排暗デバイス禱窖甫墊寥圭∷は、0.37Vという你い排暗で瓢侯するSOIのMOSFETを倡券(哭1)、2MビットのSRAMを活侯し、その瓢侯を澄千した。この喇蔡を6奉11泣から疊旁で倡號されている2013 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits∈奶疚VLSI Symposium∷で券山した。 [ⅹ魯きを粕む]
UMC、泣塑のIDMにはカスタマイズで灤炳
P. W. Yen會、駱涎UMC家 CEO 駱涎媽2疤のファウンドリ措度であるUMC。2012鉗の坤腸のファウンドリ措度においてはそれまでの媽2疤から4疤に鑼いた。海鉗は船き手しを哭る。丸泣したCEO∈呵光沸蹦勒扦莢∷のP. W. Yen會にその晾いを使いた。 [ⅹ魯きを粕む]
EIDEC、グロ〖バル定蝸で10nm駱の裁供にEUV瞥掐謄回す∈3∷×レジスト
フォトレジストでは、候鉗まではポジ房レジストを蝗い、豺嚨刨16nm笆布、LWR∈俐升の療さ¨line width roughness∷1.3nm笆布、炊刨10mJ/cm2笆布、という眶猛を評ていた。豺嚨刨とLWR、炊刨の話つのパラメ〖タはトレ〖ドオフの簇犯にあるため、話つのパラメ〖タを呵努步させる澀妥がある(哭8)。海鉗は、ネガ房レジストを蝗ってどこまでいけるかの悸賦である。 [ⅹ魯きを粕む]
EIDEC、グロ〖バル定蝸で10nm駱の裁供にEUV瞥掐謄回す∈2∷×マスク浮漢
EUVは濕劑を譬冊しやすいX俐の辦鹼であるため、各池廢にはレンズではなく瓤紀饒を網脫する。瓤紀各池廢のマスクブランクスは、W/Moの帆り手し姥霖菇隴を何っている。ここに風促が掐るとパタ〖ンが夏んでしまうため、痰風促にしたい。マスク浮漢は稍材風である。 [ⅹ魯きを粕む]
EIDEC、グロ〖バル定蝸で10nm駱の裁供にEUV瞥掐謄回す∈1∷×車妥
EUVのマスク、レジスト禱窖倡券のコンソ〖シアムである、EUVL答茸倡券センタ〖∈EIDEC∷が呵奪の寵瓢鼠桂を乖った(哭1)。僑墓13.4nmのX俐を蝗うEUVリソグラフィでは、ASMLだけが溪各劉彌を倡券しているが、EIDECは溪各劉彌笆嘲のEUV答塑禱窖を減け積つ。叫獲は柜柒13家で、長嘲5家も鼎票甫墊で徊裁、繃付瀾侯疥とレ〖ザ〖テックは劉彌倡券パ〖トナ〖として徊裁、3絡池と緩度禱窖另圭甫墊疥も徊裁する辦絡コンソ〖シアムだ(哭2)。 [ⅹ魯きを粕む]
駱涎UMC、20nmをスキップ、14nmFINFETプロセスで船き手し晾う
ファウンドリのUMCは28nmプロセスの翁緩墑を叫操しており、その翁緩憚滔橙絡を渴めている面、20nmプロセスをスキップして、14nmのFINFETプロセス惟ち懼げに晾いを故っていることを湯らかにした(哭1)。 [ⅹ魯きを粕む]
3奉票屯、4奉も泣塑瀾染瞥攣ˇFPD瀾隴劉彌の攻拇さ魯く
泣塑瀾染瞥攣ˇFPD瀾隴劉彌が攻拇さを積魯している。このほどSEAJ∈泣塑染瞥攣瀾隴劉彌定柴∷が券山した、4奉の減廟馳ˇ任卿馳ˇB/Bレシオのデ〖タでは、減廟馳が籠え魯け、黎奉徒鱗した奶り、B/Bレシオは鼎に1.00を畝え攻拇を拜積している。 [ⅹ魯きを粕む]
EUV箕洛が斧えてきたか、IntelがASMLと殊拇を圭わせ10nmに救潔
EUV∈Extreme Ultra Violet∷リソグラフィ禱窖の附覺が湯らかになった。Intelは2013鉗に14nmのトライゲ〖トFETプロセスを瞥掐するが、肌の10nmノ〖ドでは193iとEUVのミックスになるだろうと徒盧する。これはEIDEC Symposium 2013で湯らかにしたもの。 [ⅹ魯きを粕む]
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