Micronが1γnmノードのDRAMをサンプル出荷、その実��は？
Micron Technologyが1γnmノードのDDR5DRAMをサンプル出荷した。1γnmというサイズは10nmクラスのようで、EUV����の導入が��須になる。Micronの微細な�\術によって、スピードは現世代の1βnmノードのDRAMと比べ、8Gbpsから9.2Gbpsと高�]になり、消�J電��は20%削��され、集積度は30%�屬欧襪海箸�できる(図1)。 [→��きを読む]
メモリ
Gartnerが2024�Q世�c半導��トップテンランキングを発表、Nvidiaは3位
�x場調�h会社のGartnerが2024�Q世�cの半導��トップランキングを発表した。これによると1位はSamsungで、2位Intel、3位Nvidiaとなっている。Gartnerは、半導��の�x場��模を求めることに主眼があるため、ファウンドリ企業は含んでいない。ファブレス企業やIDMがファウンドリを使うとコストとなるが、ファウンドリには売り�屬欧箸覆襦�つまりファウンドリ企業も含めると売�幢Yをダブルカウントすることになる。 [→��きを読む]
セミコンがらみのニュースが相次ぎ、�盜颪任魯櫂好�Nvidiaで�j�@ぎ
先週は、セミコン・ジャパン（SEMICON Japan）が東�Bビッグサイトで開かれ（図1）、新聞�Q�Lもセミコン関係のニュースが相次いだ。14日の日本経済新聞はTSMCの�y本工場は12月中に量�凮始とし、キオクシアが新型メモリへの�T欲を見せた。スタートアップEdgeCortixのAIチップ、13日にはラピダスの東会長の�疑砲簔羚颪厘�要動向などもセミコンからのニュースであった。�盜颪任�Nvidiaの次に期待されるBroadcomが�B��となった。 [→��きを読む]
NANDフラッシュ・ラッシュ；SK hynix が321層、Micronは 60TBの小型SSD
�f国SK hynixがこれまで最高層数となる321層のNANDフラッシュの�攵�を2025�Q�i半に開始すると発表、��Micron Technologyは��来����の20%消�J電��の低い60TB（テラバイト）のSSD（半導��ディスク）を開発、顧客向けの認証プロセスを開始した。共にTLC（3ビット/セル）�擬阿�NANDフラッシュで、今後の�x場�v復に向けて新����を出してきた。 [→��きを読む]
メモリ企業Micronの最新業績から、見えてくる景気動向
��Micron Technologyの2024�Q度��4四半期（2024�Q6〜8月期）の業績が日本時間26日に発表された。これによると、売�幢Yは�i�Q同期比93%�\の77.5億ドルとなった。営業�W益も同�W益率19.6%の15.2億ドルとほぼ復調した。またキオクシアが東�B証�w�D引所への�崗貉�期を11月以�Tに��期すると25日の日本経済新聞が報じた。 [→��きを読む]
DRAM、単価�峺�のおかげで売り�屬欧�昨�Qの2倍に
世�cのDRAMビジネスが�v復、2024�Q��2四半期（2Q）おけるDRAM�噞の売�幢Yは�i�Q同期比（YoY）2倍、�i四半期比（QoQ）24.8%�\の229億ドルになった。トップのSamsungはYoYで2.17倍の98億ドル、2位のSK hynixは2.30倍の79億ドルと2倍以�屬了\加である。 [→��きを読む]
キオクシア、ソニー、TELの���Q報告から読み�Dれるもの
お�V休みに入る�iの先週、キオクシアやソニーセミコンダクタソリューションズ、東�Bエレクトロン（TEL）などの2024�Q��2四半期（4〜6月期）の���Qが発表された。それによれば、半導��メーカー2社は順調な�v復を見せ、TELは中国比率が約50%にまで高まっていた。半導������の��要は少しずつ�v復しているが、������要の�v復はやや��い。 [→��きを読む]
Intel、Samsungが�Q々Lunar Lake、メモリで期待するAIパソコン�x場
先週、IntelおよびSamsungの2024�Q度��2四半期（4〜6月期）の���Qがそれぞれ発表された。Intelは、売�幢Yが�i四半期、�i�Q四半期とほぼ同じ128億ドルだったが、営業�W益はほぼゼロという�T果であった。Samsungの半導���靆腓稜��幢Yは、�i�Q同期比ほぼ2倍、�i期比でも23%�\の28兆5600億ウォン（1ウォン=0.00073ドル）で、営業�W益は6.45兆ウォンだった。 [→��きを読む]
メモリビジネスは好調に、�噞向け��メモリはまだ不調��く
メモリビジネスは好調、�噞向け��メモリビジネスはまだ不調。このようなビジネス�X況が浮かび�屬�った。2024�Q��2四半期（4〜6月期）におけるメモリの�f国SK hynixの売�幢Yは、�i�Q同期比（YoY）2.25倍の16兆4230億ウォン（1ウォン=0.11��）と好調だったのに�瓦靴董▲泪ぅ灰鵑�SoC、アナログのルネサスエレクトロニクスの売�幢Yは同2.7%��の3588億��となった。 [→��きを読む]
2024�QのNANDフラッシュ売�幢Yは�i�Q比77%�\の674億ドルに成長
2024�QにおけるNANDフラッシュとDRAMのメモリの売�幢Yは�i�Q比でそれぞれ77%、75%と�jきく�Pびるだろうと、TrendForceが発表した。在�Uがほぼ�k�Cされ��給�X況が改��、平均単価も�屬�ってきたためだ。メモリはようやく�v復が本�颪砲覆蝓⇒蓊Qは�jきく成長すると見込んでいる。 [→��きを読む]
