NANDフラッシュˇラッシュ〃SK hynix が321霖、Micronは 60TBの井房SSD
躥柜SK hynixがこれまで呵光霖眶となる321霖のNANDフラッシュの欄緩を2025鉗漣染に倡幌すると券山、勢Micron Technologyは驕丸瀾墑の20%久銳排蝸の你い60TB∈テラバイト∷のSSD∈染瞥攣ディスク∷を倡券、杠狄羹けの千沮プロセスを倡幌した。鼎にTLC∈3ビット/セル∷數及のNANDフラッシュで、海稿の輝眷攙牲に羹けて糠瀾墑を叫してきた。
哭1 SK hynixの321霖NANDフラッシュ 叫諾¨SK hynix
これまでは候鉗6奉に券山した238霖が呵光だったという。NANDフラッシュは1霖ごとにメモリセルを妨喇することで礁姥刨を懼げてきたが、另眶を懼げれば懼げるほど芹俐のスル〖ホ〖ルの裁供ずれが啼瑪になりがちだ。このためフラッシュメ〖カ〖はウェ〖ハの磨り圭わせ禱窖を蝗って染尸の霖眶で礁姥刨を懼げてきた。モノリシックに霖眶を光めれば光めるほどずれやすくなり、鏈霖眶に畔る芹俐脫のスル〖ホ〖ルの妨喇は豈しくなる。
SK hynixが光礁姥にできたのは、プラグ∈Plug∷と鈣ぶプロセス禱窖を蝗ってチップを腳ね圭わせる禱窖を悸附したため。このプラグとは答饒に灤して庫木數羹のスル〖ホ〖ルのことで、辦刨に剩眶のセルを欄喇できるという。SK hynixは、姥霖するための禱窖弄なブレ〖クスル〖を斧つけたことで300霖笆懼を欄緩ラインに很せることができたとニュ〖スリリ〖ス∈徊雇獲瘟1)では揭べられている。
この3プラグプロセスは3綏のウェ〖ハを腳ね圭わせる供鎳のこと。欄緩跟唯を腳渾するこのプロセスは、プラグプロセスを3攙姜えた稿、魯く呵努步プロセスを奶して排丹弄に3つのプラグを儡魯するという。このプロセス倡券にあたり、SK hynixは你炳蝸亨瘟を倡券し、鏈てのプラグのアラインメントを極瓢弄に餞賴する禱窖を瞥掐したとしている。プラグ柒に雖め哈む糠亨瘟は、ウェ〖ハの充れを松ぐことが謄弄である。
これまでの238霖NANDの倡券プラットフォ〖ムと票じものを321霖NANDにも蝗えるようにしたため、驕丸の238霖瀾墑よりも59%も欄緩拉が猖簾したという。この馮蔡、デ〖タ啪流廬刨は12%羹懼し、粕み叫し拉墻は13%懼がった。AIのデ〖タを眠姥するAIストレ〖ジ輝眷に袋略している。海攙の礁姥刨は1Tビット。
辦數のMictronは、これまでの60TB絡推翁SSDの久銳排蝸25Wよりも20%你い20WのSSDを悸附した。20Wでの啪流廬刨は12GB/sの拉墻を績す、この≈Micron 6550 ION∽は更さ7.5mmのフォ〖ムファクタE3.S慌屯で∈哭2∷、媽5坤洛のPCIe Gen5に灤炳している。
哭2 Micron 6550 IONシリ〖ズ E3.Sフォ〖ムファクタのMicron 60TB SSDは焊懼 叫諾¨Micron Technology
粕み叫し、今き哈み拉墻は廬い。シ〖ケンシャル粕み叫しは12GB/s、シ〖ケンシャル今き哈み廬刨は5GB/sと鼎に驕丸墑よりも2擒笆懼光廬だ。さらにランダム粕み叫しも1600KIOPSと廬い。
またエネルギ〖跟唯も光く、久銳排蝸碰たりのシ〖ケンス粕み叫しは600MB/s/W、シ〖ケンス今き哈みは250MB/s/W、ランダム粕み叫しは80KIOPS/Wである。
井房のフォ〖ムファクタなので、2Uラックに40駱のE3.SのSSDが箭羌できる。デ〖タセンタ〖などでE3.Sフォ〖ムファクタを箭推できるサ〖バ〖36駱に箭羌すれば44.2PBもの絡推翁ストレ〖ジになる。AIのワ〖クロ〖ドをするストレ〖ジとしての炳脫を晾う。このSSDに烹很するNANDフラッシュは、Micronの媽8坤洛TLC NANDを網脫したという。
徊雇獲瘟
1. ∪SK hynix Starts Mass Production of World∏s First 321-High NAND∩, SK hynix Newsroom, (2024/11/21)
