図1　SK hynixの321層NANDフラッシュ 出�Z：SK hynix

これまでは昨�Q6月に発表した238層が最高だったという。NANDフラッシュは1層ごとにメモリセルを形成することで集積度を�屬欧討�たが、総数を�屬欧譴��屬欧襪曚蒜枩�のスルーホールの加工ずれが問��になりがちだ。このためフラッシュメーカーはウェーハの張り合わせ�\術を使って半分の層数で集積度を�屬欧討�た。モノリシックに層数を高めれば高めるほどずれやすくなり、��層数に渡る配線��のスルーホールの形成は�Mしくなる。

SK hynixが高集積にできたのは、プラグ（Plug）と�}ぶプロセス�\術を使ってチップを�_ね合わせる�\術を実現したため。このプラグとは基��に�瓦靴��貭��妓�のスルーホールのことで、�k度に複数のセルを�收�できるという。SK hynixは、積層するための�\術的なブレークスルーを見つけたことで300層以�屬��攵�ラインに載せることができたとニュースリリース（参考�@料1)では述べられている。

この3プラグプロセスは3��のウェーハを�_ね合わせる工��のこと。�攵奟率を�_��するこのプロセスは、プラグプロセスを3�v終えた後、��く最適化プロセスを通して電気的に3つのプラグを接��するという。このプロセス開発にあたり、SK hynixは低応��材料を開発し、��てのプラグのアラインメントを�O動的に�T��する�\術を導入したとしている。プラグ内に�mめ込む新材料は、ウェーハの割れを防ぐことが�`的である。

これまでの238層NANDの開発プラットフォームと同じものを321層NANDにも使えるようにしたため、��来の238層����よりも59%も�攵掚が改��したという。この�T果、データ転送�]度は12%向�屬掘�読み出し性�Δ�13%�屬�った。AIのデータを蓄積するAIストレージ�x場に期待している。今�vの集積度は1Tビット。

�k�気�Mictronは、これまでの60TB�j容量SSDの消�J電��25Wよりも20%低い20WのSSDを実現した。20Wでの転送�]度は12GB/sの性�Δ鮨�す、この「Micron 6550 ION」は厚さ7.5mmのフォームファクタE3.S仕様で（図2）、��5世代のPCIe Gen5に�官�している。

図2　Micron 6550 IONシリーズ　E3.SフォームファクタのMicron 60TB SSDは左�屐―儘Z：Micron Technology

読み出し、書き込み性�Δ��]い。シーケンシャル読み出しは12GB/s、シーケンシャル書き込み�]度は5GB/sと共に��来��よりも2倍以�峭��]だ。さらにランダム読み出しも1600KIOPSと�]い。

またエネルギー効率も高く、消�J電��当たりのシーケンス読み出しは600MB/s/W、シーケンス書き込みは250MB/s/W、ランダム読み出しは80KIOPS/Wである。

小型のフォームファクタなので、2Uラックに40��のE3.SのSSDが収納できる。データセンターなどでE3.Sフォームファクタを収容できるサーバー36��に収納すれば44.2PBもの�j容量ストレージになる。AIのワークロードをするストレージとしての応��を狙う。このSSDに搭載するNANDフラッシュは、Micronの��8世代TLC NANDを�W��したという。

参考�@料
1. “SK hynix Starts Mass Production of World’s First 321-High NAND”, SK hynix Newsroom, (2024/11/21)