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図1　加賀東��エレクトロニクスの新棟（��下の建�顱砲隆粟�イメージ　出�Z：東��

東��は、新棟建設（図1）を2期分に分け、今�vの��1期分がフル�n働することでパワー半導��の�攵��ξ�を2021�Q度比で2.5倍に�\�咾垢�。��1期分は24�Q春に�A工し、同�Q度内に�n働を開始する予定。また、�J�T棟でも200mmウェーハラインの�攵��ξ�を�屬欧襪閥Δ�、�J�T棟の300mmラインの�n働を��来の23�Q度�i期から22�Q度下期に�i倒しする。2月4日の日本経済新聞によると新棟に約1000億��、��来棟の�攵��ξ�アップに300億����模を投�@するとしている。

2月7日の日経は、「EV��加�]」と��する報�Oシリーズを始めた。��1�vは慎�_すぎたトヨタである。昨�Q5月の発表会では、水素を�\料として走る�\料電池�Z（FCV）や水素エンジンにフォーカスし、EVも2030�Qに�Q間200万��と述べたものの、世間が�h価しなかった。欧�Δ任呂垢任某總��O動�Zに見切りをつけEVまっしぐらに�t開しはじめとところに水素�Zの�Bを�eってきたのだ。

欧�Δ�EVにシフトしたのは、FCVは水素インフラの膨�jなインフラが��要である��、水素エンジン�Zは�~害なNOxを出すことが��確になったからだ。Ptのような高価な触��を使えばNOx排出をある��度抑えられるが、コスト�峺�は�cけられない。しかもFCVも水素エンジン�Zも、効率を�屬欧襪燭��v�撻屮譟璽�を採��する。どの�OEVシステムを搭載しなければならない。だったら、いっそのことEVだけにシフトしてもよいだろう、ということになる。

EV向けの電池の進歩は半導��に比べると極めて��いが、それでも少しずつ容量密度は�屬�ってきている。加えて、半導��ICを使って�踉��{�`を�Pばす�\術も採��されている。さらに、�j量の電池を積んでも�W定走行できるプラットフォーム（�Z��）化も定��してきた。�j量の電池を搭載すると、充電に時間がかかるが、それを解��するためには高電圧の���]充電がカギとなる。���]充電に��要な、800V〜900Vなどの高電圧化にはSiC MOSFETが�_要なデバイス�\術となる。

EVシステムには、パワー半導��が�j量に使われる。インバータだけではなく、�v�撻屮譟璽�を実現するオンボードチャージャー、DC-DCコンバータ、さらにはバッテリモニタリングシステムなどにはパワー半導��が�Lかせない��使われる�v路によって、IGBTやSiC、GaN、MOSFETなどさまざまなパワートランジスタが使われる。このためシリコン�UではIGBTもパワーMOSFETも�攵�しなければならないため、300mmラインが��要となる。Infineon Technologiesが2本�`の300mmラインをオーストリアのフィラハに完成させたのはパワーMOSFETを�j量�攵�するという狙いがある。最も成�^した�\術であるパワーMOSFETの量��では300mmラインはコスト��争��がある。

加賀東��が新設する300mmラインも同様で、性�Δ噺�率、コストの点が優れるパワーMOSFETの�攵�に威��を発ｧする��新棟ではパワーMOSFETとIGBTを�攵�する。

ただし、問��はパワーMOSFETの�\術営業であろう。東��社外へどれだけ�j量に売り込めるかが課��となる。��加価値を��けるのであれば。ドライバ�v路との�k��集積や、高�]性�Δ罎┐縫離ぅ困筌螢鵐�ング、オーバーシュート、アンダーシュートなどを出さない�v路の提供といった、使う�笋輪Mしさを解消するテクノロジーにいかに価値を�eたせられるか、が問われる。

GaN半導��は今やIC化によって主役がPM（パワーマネジメント）ICメーカーにシフトしている。電源��ICの専門メーカーPower Integrationsとスマホ��の���]充電で��成長したNavitasがGaN半導��で1位、2位を争う企業となっている。かつてのGaNパワー半導��メーカーは完��に�sかれた。パワートランジスタだけでは、もはや�M負できない時代に入ってきているのかもしれない。