コストˇパフォ〖マンスで雇えるSiCデバイス×Infineonの艱り寥み
≈SiCパワ〖染瞥攣の擦猛は、コストˇパフォ〖マンスで雇えよう∽。SiCのショットキダイオ〖ドやFETを、SiのIGBTと帽擦だけで孺べるとSiCは光い。しかし、システムあるいはモジュ〖ルでのコストが奧ければ、ユ〖ザ〖には絡きなメリットになる。もちろん拉墻は光い。Infineon Technologiesが雇えるSiC里維は輝眷付妄に答づいている。
哭1 SiCデバイスを倡券してきたInfineon Technologies家SiCシニアディレクタのPeter Friedrichs會
これまでの疥、Infineonが雇えるコストˇパフォ〖マンスは、SiのトランジスタとSiCのショットキバリヤダイオ〖ド∈SBD∷の寥み圭わせだという。≈テクノロジ〖がベストだとか糠しいとかではない∽と、票家SiC嬸嚏シニアディレクタのPeter Friedrichs會(哭1)は揭べている。票家は2002鉗からSiCのSBDを叫操してきており、システムレベルでSiC SBDのコストˇパフォ〖マンスについて浮皮している。
息魯瞥奶モ〖ドの400W蝸唯猖簾∈PFC∷擴告システムの毋 (哭2)では、トランジスタにSiのパワ〖MOSFETであるCoolMOS C3とSiCのSBDとの寥み圭わせと、驕丸のバイポ〖ラパワ〖トランジスタ≤ダイオ〖ドの寥み圭わせを孺べると、コストは8%猴負できたと斧姥もった。CoolMOSとSiCのSBDの圭紛擦呈は懼がったが、光廬瓢侯できることからスイッチング件僑眶を驕丸の140kHzから500kHzに懼げることができ、その馮蔡PFCチョ〖クコイルを井房步できたためにコイルのコストが楓負した。
哭2 蝸唯猖簾システムではSiCのダイオ〖ドを蝗う數が你コストに 叫諾¨Infineon Technologies
票家はSiCのトランジスタとして、MOSFETとJ(儡圭房)FETの企つについて1992鉗から浮皮してきた(哭3)。MOSFETは染瞥攣山燙チャンネルを排萎が萎れるデバイスであり、JFETはバルクを萎れるデバイスである。MOSFETでは、山燙チャンネルは山燙の療さや腸燙潔疤などによって鳥鉤が籠裁したり慨完拉が礙くなったりするといった啼瑪がある。JFETの排萎はバルクだけを奶るためそのような啼瑪はないが、ノ〖マリオン瓢侯 (ゲ〖ト排暗がゼロでも排萎が萎れるため、オフにするには嫡バイアスが澀妥) が蝗いづらいといった侍の啼瑪がある。MOSFETかJFETか、Infineonは浮皮した。腸燙風促は介袋稍紊だけではなく、デバイスが瓢侯を魯けている面で昔步していくという慨完拉の啼瑪に灤して、漓脫のスクリ〖ニング供鎳が澀妥となる。その馮蔡、MOS腸燙の風促はそう詞帽になくなりそうもない、と雇え、JFETを夸渴した。
哭3 MOSFETとJFETを孺秤浮皮 叫諾¨Infineon Technologies
JFETのノ〖マリオン瓢侯を豺瘋するため、Infineonは掐蝸ゲ〖ト攙烯を供勺して、嫡バイアスされるような菇喇のドライバICを倡券した(哭4)。このICとSiの你卵暗pMOSFETをJFETのソ〖ス婁に儡魯する菇喇によって、悸劑弄にJFETをノ〖マリオフ瓢侯できる攙烯を雇捌した。この馮蔡、卵暗1200VでTO-247モ〖ルドパッケ〖ジに掐れたSiC JFET瀾墑をリリ〖スした。さらに木儡額瓢できるICを柒壟したハ〖フブリッジモジュ〖ルも2014鉗面にリリ〖スする紛茶だ。
哭4 ドライブ攙烯を供勺、禍悸懼のノ〖マリオフをJFETで悸附 叫諾¨Infineon Technologies
票家は、ソ〖ラ〖システムへの炳脫として、3陵インバ〖タ菇喇で蝗う眷圭を驕丸のSi IGBTシステムと孺秤した。その馮蔡、1200Vの光卵暗染瞥攣を澀妥とする眶は、驕丸システムでは12改のIGBTと12改のショットキダイオ〖ド、12改のドライバが澀妥で、SiCシステムではそれぞれ6改のJFETトランジスタと6改の你卵暗MOSFET、6改のドライバが澀妥であった。さらにスイッチング件僑眶は驕丸が16kHzに灤して、SiCシステムでは32kHzに懼げることができた。その尸、コイルは井さくて貉む。
