AMAT、3D菇隴のFinFET、NANDフラッシュに羹け糠CMPとCVDを券山
Applied Materialsは、ロジック羹けのFinFETプロセス、メモリ羹けの3D NANDフラッシュプロセスという絡(luò)きな企つの3肌傅菇隴(哭1)を悸附するためのプロセス劉彌¨ CMP∈步池弄怠常弄甫酸∷とCVD∈步池弄丹陵喇墓∷の糠瀾墑を券山した。
哭1 スマホのキモとなる3肌傅菇隴デバイスFinFETと3D NAND 叫諾¨Applied Materials
AMATは、これからの染瞥攣輝眷を福苞するエレクトロニクスはやはりスマ〖トフォンであり、その輝眷は2017鉗には70帛駱にも茫する、と斧ている。これを福苞する染瞥攣チップはアプリケ〖ションプロセッサとNANDフラッシュメモリである。どちらも3肌傅步する數(shù)羹にある。アプリケ〖ションプロセッサの呵黎眉は20nmのプレ〖ナプロセスであるが、その肌の14/16nm坤洛はFinFET禱窖に乖くと斧る羹きが驢い。またNANDフラッシュは、メモリセルを玻數(shù)羹に侯り哈んできたこれまでのプロセスに灤して、セルを僥數(shù)羹に姥むことで礁姥刨を懼げる數(shù)羹に羹かっている。Samsungは3D NANDを叫操しそれを蝗ったSSDを候鉗すでに券山している(徊雇獲瘟1)。海鉗は候鉗の24霖から、辦殊渴んで32霖のメモリを倡券している。このため、AMATは3肌傅菇隴を裁供するための劉彌倡券に蝸を掐れてきた。この黎もFinFETと3D NANDフラッシュ脫ウェ〖ハは籠裁していくとAMATは斧ている(哭2)。
哭2 3D FinFETと3D NANDフラッシュのウェ〖ハは籠えていく 叫諾¨Applied Materials
3肌傅菇隴を裁供することは詞帽ではない。FinFETでは付灰霖レベルの更さの泅遂を妨喇しなければならない。そのための糠CVD劉彌、Applied Producer XP Precisionは喇遂の籃刨を懼げ、亨瘟の風(fēng)促などの草瑪を豺瘋するという。FinFETプロセスでは、10nm笆慣のトランジスタにはFinFETのチャンネルにキャリヤ敗瓢刨の光いIII-V步圭濕染瞥攣を?qū)\姥させる禱窖を蝗うことになろう。このため、CVDエピタキシャル劉彌も風(fēng)かせない。劉彌の拒嘿は湯らかにしていない。
NANDでは、60:1と端めてシャ〖プなアスペクト孺のコンタクト功を裁供し排端をつなげた稿、CMPで士貿(mào)に裁供する澀妥がある。CMP供鎳は、FinFETと3D NANDでは呵絡(luò)10供鎳も蝗われる材墻拉があるとする。海攙AMATが券山したツ〖ルReflexion LK Primeには、6つの甫酸ステ〖ションと8つの麗爵ステ〖ションを積つ。ナノメ〖トル籃刨での3肌傅ゲ〖トの光さ擴(kuò)告では、堆辦拉が驕丸よりも50◇羹懼したとしている。鏈14ステ〖ションの供鎳を乖うとして、驕丸怠鹼と孺べると、スル〖プットは2擒に懼がるという。
なお、AMATは海稿琵圭する澎疊エレクトロンとの糠柴家の嘆漣を≈Eteris∽にすると券山している。Eteris∈エテリス∷は、Eternal Innovation for Societyからきている。
徊雇獲瘟
1. サムスン、3肌傅NANDを64改烹很したSSDを翁緩倡幌 (2013/08/15)
