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\術分析(デバイス設& FPD)

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グーグル、アドビに接Zするアーム、モバイルインターネット向けコアを拡充

グーグル、アドビに接Zするアーム、モバイルインターネット向けコアを拡充

英国のアーム社が来に渡ってIPを維eし拡張していくロードマップをすとともに新しい応分野についても触れ、実に成長していくさまをARM Forum2009において見せつけた。11月10日に開かれたARM Forumでは700@Zいエンジニアを集めた。この不況期を通圓靴燭里砲發かわらず、アームのプロセッサコアを搭載した半導チップは150億個をえていると同社峙薀丱ぅ好廛譽献妊鵐箸離ぅ▲鵝Ε疋螢紂は述べた。 [→きを読む]

アマゾンのキンドルでjブレークした電子ペーパーにR`が集まったFPD 09

アマゾンのキンドルでjブレークした電子ペーパーにR`が集まったFPD 09

アマゾンの電子ブックである「キンドル」が盜颪嚢ツ瓦鶯けていることを反映して、FPD International 2009では、電子ペーパーがR`を集めた。キンドルのディスプレイを提供しているEインク社は、フリースケール・セミコンダクタ、セイコーエプソンなどのチップメーカーと提携しているだけではなく、ポーランドのMpicosys社のようなスマートカードのベンチャーなど、々とパートナーシップをTび、ビジネス拡jを図っている。 [→きを読む]

SiCのMOSFET、GaNのHEMTをサンケン、ローム、富士通研がCEATECに出t

SiCのMOSFET、GaNのHEMTをサンケン、ローム、富士通研がCEATECに出t

サンケン電気、ローム、富士通研|所などがGaNやSiCなどの高a動作可Δ淵僖錙FETをCEATECでtした。に、サンケン電気はGaNのノーマリオフ型2次元電子ガスFET(いわゆるHEMT構])とSiCのMOSFETの両気鵁tした。ロームもSiCのMOSFETをtし、来よりもいっそう低いオンB^を実現するためトレンチ構]を使った。 [→きを読む]

メンター、Androidを携帯から組み込み機_へt開し、ソフト開発を膿

メンター、Androidを携帯から組み込み機_へt開し、ソフト開発を膿

「Androidの登場でアプリケーションソフト開発が楽になるはずだ」。こう見るのは櫂瓮鵐拭次Ε哀薀侫ックス(Mentor Graphics)社Embedded Software Divisionのワールドワイドディレクタ、Daniel McGillivray。パソコンがMS-DOSからWindowsへ変わった時のようにLinux屬Androidが載った今、Androidは携帯電Bやスマートフォンだけではなく組み込み機_に載せるソフト開発の主役プラットフォームになるとみている。 [→きを読む]

ARMがシリアルポートDRAMのコンソシアムSPMTに参加

ARMがシリアルポートDRAMのコンソシアムSPMTに参加

シリアルポートDRAM格のライセンシングとそのコンソシアムを運営するSPMTは、英国のプロセッサIPベンダーであるARMがSPMTコンソシアムにプロモータメンバーとして参加したと発表した。SPMTはSerial Port Memory TechnologyのSで、メモリーの端子数をらし、コスト低を図るのが狙いで、主に携帯機_向けの仕様となる。 [→きを読む]

ケイデンス、SoC設期間のれによりj幅なコスト\を指~、解策を提案

ケイデンス、SoC設期間のれによりj幅なコスト\を指~、解策を提案

SoCのコストを削するため、ケイデンス・デザイン・システムズ社が主した「DA Show CDNLive! Japan 2009」において、同社バイスプレジデントのSteve GlaserはIPの再Wとその検証性、高い抽性が開発期間の]縮に効果的と説した。さらにx場への投入がれるとコストが屬ることをし、期間]縮がいかに_要かについて述べた。 [→きを読む]

メンター、SoCのデータパスUだけではなくコントロールUにもC言語設を拡張

メンター、SoCのデータパスUだけではなくコントロールUにもC言語設を拡張

メンター・グラフィックスは、C言語によるLSI設}法や検証を、来のデータパスUv路だけではなく、コントロールUv路にも適できるようにCatapult C Synthesisを拡張、これによりフルチップの高位合成ができるようになった。極めて雑なデジタルLSI、SoCを開発する屬、RTL作成までの工数が]くなり、また設データを再Wしやすくなる。 [→きを読む]

NECエレ、賢い90nmCMOSで2.7Gsps/50mWのフラッシュA-Dコンバータ実現

NECエレ、賢い90nmCMOSで2.7Gsps/50mWのフラッシュA-Dコンバータ実現

微細化するとバラつきが\え、アナログv路を作りにくくなるX況を]破するようなA-Dコンバータv路アーキテクチャをNECエレクトロニクスが開発、VLSI Symposiumで発表する。この\術を90nmCMOSアナログプロセスに適、変換]度2.7Gサンプル/秒と高]ながら消J電が50mWと少ない6ビットのフラッシュ擬A-Dコンバータを試作した。B^のトリミングはく使っていないため、攵掚が高い。 [→きを読む]

システム的な菘世らエネルギー削を図るケーススタデ;携帯通信\術

システム的な菘世らエネルギー削を図るケーススタデ;携帯通信\術

「携帯電B通信の低消J電化は、出来たや端の消J電だけではなく、それらのを作るためにかかったエネルギーも考えてみなくてはならない」。英ブリストルj学の通信研|センターのセンター長であるJoe McGeehan教bが5月中旬、パシフィコ横pで行った講演は、半導噞にも唆の富むものであった。半導チップの低消J電化はシステム的見地から検討しなくては省エネにはならない。 [→きを読む]

IGBTはSiCでは使われないことがされた「人とクルマのテクノロジーt」

IGBTはSiCでは使われないことがされた「人とクルマのテクノロジーt」

O動Zエレクトロニクスの分野で唯k発に動いている分野がある。ハイブリッドカーと電気O動Zだ。ある外@U半導メーカーのマーケティングマネジャーは「O動ZメーカーにICをeっていっても相}にされないが、電気O動Z向けの半導をeっていくと、すぐに飛びつく」と言う。O動Zの最先端\術を見せる見本xである「人とクルマのテクノロジーt」では電気O動Z向け半導のtが少ない中、東はシリコンのIGBTとSiCのショットキーダイオードの組み合わせで失が30〜40%ることをした。 [→きを読む]

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