IGBTはSiCでは蝗われないことが績された≈客とクルマのテクノロジ〖鷗∽
極瓢賈エレクトロニクスの尸填で停辦寵券に瓢いている尸填がある。ハイブリッドカ〖と排丹極瓢賈だ。ある嘲獲廢染瞥攣メ〖カ〖のマ〖ケティングマネジャ〖は≈極瓢賈メ〖カ〖にICを積っていっても陵緘にされないが、排丹極瓢賈羹けの染瞥攣を積っていくと、すぐに若びつく∽と咐う。極瓢賈の呵黎眉禱窖を斧せる斧塑輝である≈客とクルマのテクノロジ〖鷗∽では排丹極瓢賈羹け染瞥攣の鷗績が警ない面、澎記はシリコンのIGBTとSiCのショットキ〖ダイオ〖ドの寥み圭わせで祿己が30×40%負ることを績した。
鷗績された排丹極瓢賈は、少晃腳供のプラグイン汾極瓢賈≈スバル ステラ∽と、話嫂極瓢賈の4客捐りの汾極瓢賈≈iMiEV∽だけ。トヨタの糠房プリウスとホンダのインサイトというハイブリッドカ〖の鷗績はもちろんあったが、倡券面の排丹極瓢賈は辦磊嘲嬸に叫していない。これまで鷗績されたり、徹面を瘤っている排丹極瓢賈はすべて汾極瓢賈に尸梧されるような叫蝸の井さなクルマだけ。≈スバル ステラ∽の叫蝸は9.2kWh、≈iMiEV∽は16kWhと井さく、泣緩極瓢賈が2010鉗僵に券卿を徒年している排丹極瓢賈には80kWのモ〖タ〖+インバ〖タが蝗われる。
Liイオン排糜を蝗うスバルステラ∈焊∷とiMiEV∈寶∷の排丹極瓢賈
排糜を木事誤にして光排暗ˇ絡排萎を評るわけだが、排暗に簇しては≈スバル ステラ∽が345.6V、≈iMiEV∽は330Vに懼げている。この木萎の排糜排暗でモ〖タ〖を攙す條だ。モ〖タ〖は冊畔弄な排暗恃步を網脫するデバイスであるため、インバ〖タを蝗って木萎をパルスに恃える澀妥がある。
モ〖タ〖を奧年弄に攙啪させるため、3陵蛤萎のインバ〖タを蝗う。このインバ〖タには、スイッチングトランジスタと嫡排萎を萎すショットキバリヤ〖ダイオ〖ドを嫡事誤に儡魯した1寥のスイッチを6寥澀妥とする。120刨ごとにモ〖タ〖を攙啪させるため、このトランジスタを肌」にオンしていき、モ〖タ〖のコイルに排萎を萎していく條だが、排丹捐脫賈羹けトランジスタに妥滇される拉墻は、1チップ碰たり100Aで卵暗600Vである。附哼のハイブリッドカ〖には200A澀妥なため2チップを事誤に瓢侯させている。
光卵暗ˇ絡排萎を悸附するために、附哼のハイブリッドカ〖には卵暗600Vのシリコンpinダイオ〖ドが蝗われているが、pinダイオ〖ドは警眶キャリヤの眠姥箕粗が荒るため、その尸祿己になる。ショットキ〖ダイオ〖ドは驢眶キャリヤ瓢侯であるため、この眠姥箕粗がなく光廬で祿己が警ないが、600Vという絡きな卵暗は評られない。このためSiCを脫いて600V卵暗を評る。
澎記は、このSiCショットキ〖ダイオ〖ドとSiのIGBTのペアを6寥脫いて4kVA甸の3陵インバ〖タモジュ〖ルを瀾侯、賈嗚を攙すデモを乖った。この寥み圭わせで驕丸のハイブリッドカ〖に蝗われているインバ〖タよりも祿己は30×40%負警したと澎記は咐う。ただし、4kVA甸の排暗ˇ排萎推翁ではクルマを瓢かすパワ〖にはまだ鎳斌い。
SiのIGBTとSiCショットキ〖ダイオ〖ドを蝗った3陵インバ〖タで賈嗚を攙す
さらにトランジスタ嬸尸もSiCにして600V卵暗で100Aをスイッチできるトランジスタを倡券面だ。海攙、鷗績したのは排萎推翁がまだ10A鎳刨の井さなJFET。なぜJFETか。SiCではIGBTは侯れないからだ。IGBTではアノ〖ド嬸尸のpn儡圭にバイポ〖ラのキャリヤを蝗うためSiCはSiよりもエネルギ〖バンドギャップが絡きい尸、界數羹排暗VFも2.5V鎳刨と絡きい。このため、絡排萎を萎すのには努さないとみられる。ドイツのインフィニオンテクノロジ〖ズも極瓢賈脫パワ〖モジュ〖ルを倡券していたが、SiCにはMOSFETかJFETが蝗われると斧ていた。
辦數で、SiC馮窘にMOS菇隴を侯れるほどゲ〖ト煥步遂の劑はまだよくない。MOS腸燙のチャンネル鳥鉤が光く、まだ蝗えるレベルには茫していないという。
2インチのSiCウェ〖ハに活侯された澎記のパワ〖JFET
しかし、JFETはノ〖マリオンデバイスであるため、ゲ〖トに砷排暗をかけなければオフしない。このため賴排暗と砷排暗の企つが澀妥となり、攙烯がやや剩花になる。やはりノ〖マリオフ房のMOSFETが瓦しい。澎記はノ〖マリオフ房のSiC網脫のMOSFETの倡券を渴めている。拒嘿な紛換はまだ乖っていないが、海のところはSiCになるとIGBTは蝗われない、といえそうだ。
