SiCのMOSFET、GaNのHEMTをサンケン、ローム、富士通研がCEATECに出�t
サンケン電気、ローム、富士通研�|所などがGaNやSiCなどの高�a動作可�Δ淵僖錙�FETをCEATECで�t��した。��に、サンケン電気はGaNのノーマリオフ型2次元電子ガスFET（いわゆるHEMT構�]）とSiCのMOSFETの両�気鵁t��した。ロームもSiCのMOSFETを�t��し、��来よりもいっそう低いオン�B�^を実現するためトレンチ構�]を使った。
サンケン電気が��した2次元電子ガスFETは、富士通研�|所が発��したHEMT構�]と�瑤討い襪發里�、ショットキーゲートではなくp型ゲートを使っている。電子の流れるチャンネルはi-GaNとAlGaNとの�c�CのGaN�笋鯀�行する、HEMT的な動作を��す。��性は、ドレイン耐圧600V、ゲートしきい電圧+1V、電流15〜20Aだとしている。
このFETとショットキーダイオードを1組合��6組使って、200V/5A、2.2kWのモーターを3相交流で動かすデモも行った。�t��したのはGaNで作ったこのFETと、ショットキーダイオードを逆�妓�に並�`接��させた逆導通FET、双�妓�にスイッチングできるGaN交流FETスイッチ、ショットキーダイオードである。
サンケン電気のデバイスの��長は5インチSi基���屬�GaN層を形成したことで、NEDOのGaN基��プロジェクトに参加した成果だという。もちろん、GaNは格子定数がSiとは����違うためSi�屬縫丱奪侫〜悗鮴澆韻討�らGaN層を形成している。Si�屬坊狙�することで�j口径化が容易で、今�vは5インチSiウェーハを基��とした。
サンケンはさらに3インチのSiCでもSBDとMOSFETを作った。耐圧は600Vだが電流は4Aどまりで、このMOSFETの試作�t��は今�vが初めて。SiCウェーハは外�陲�ら�P入したとしている。
ロームは5mm角で、40AのSiC DMOSFETを�t��しただけではなく、SiのIGBTと比べ、��失が半分になることを��した。250℃の高�a動作で1000Vの耐圧でもリーク電流の�\加は顕著には見られず、300℃まではリークの�\加を見ずに1000Vの耐圧�S形を�莟Rできるとしている。このプレーナMOSFETを早ければ2010�Qにも商��化したいとしている。
��にスイッチングロスが少ないことから、電流容量70AのDC-DCコンバータを周�S数200kHzという高周�Sで動かすことができるため、リアクトル(コイル)の�jきさを��来の1/10と小さくできるようになった。このDC-DCコンバータは�盜颪離◆璽�ンソー�j学と共同で試作したもの。
ロームはSiCのトレンチMOSFETも試作している。これは、4.8mm角で電流容量は300Aと�jきい。これも3インチウェーハを使っている。オン�B�^は1.7ミリオームcm2で耐圧は790Vである。
富士通研�|所が6月にプレスリリースで発表した、600VのHEMTはSiC基���屬�GaN/AlGaNを成長させたもの。N型AlGaN層の中までゲートにリセスを入れ込むため、ゲート電圧がチャンネル内に�jきく影�xを及ぼすことで、しきい電圧を３Vと�科�に高く�屬欧襪海箸�できたという。オン�B�^を下げるため電子密度の�\加には、n-GaN/AlN/n-GaNのサンドイッチ層を設け、この層をプラス電荷に変えることでチャンネルの電子を�\やしたという。
