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セミコンポータルによる分析

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インフィニがカーエレのポートフォリオを拡充、トップシェア`指す

インフィニがカーエレのポートフォリオを拡充、トップシェア`指す

ドイツのInfineon Technologies社は、スマートセンサーからマイクロコントローラ(マイコン)、パワー半導と、O動Zに要なセンサーからU御U、アクチュエータまでのポートフォリオをカバーする総合を_に日本x場のシェア拡jに向けギアを切りえ始めた。これまで、世cx場で2位に食い込んではいるものの、日本x場ではまだ5位にとどまっているという。 [→きを読む]

WSTS、2008Q予Rを4.7%\に下巨T

WSTS、2008Q予Rを4.7%\に下巨T

世c半導x場統(WSTS)は2008Qの世c半導x場を2007Q秋予Rの9.1\%からjきく下巨Tし、iQ比4.7%\の2677億ドルになる見通しをした。WSTSには世cの半導メーカー65社が加盟しており、この、今後3Q間のx場を予Rした。 [→きを読む]

SeleteがLow-k膜のエッチングにCH3Iガスの~効性を実証

SeleteがLow-k膜のエッチングにCH3Iガスの~効性を実証

Selete (半導先端テクノロジーズ)の二研|陲蓮Low-k/Cu配線\術の開発を進めているが、機械的にもろいLow-k膜はハーフピッチ(hp)45nm以Tのプロセスで、エッチング形X、高I比、ダメージフリー、低環境負荷、といった問をクリヤーしなくてはならない。このほど新しいエッチングガスとしてCF3Iがこれらを満Bさせることを同社はSelete Symposium2008でらかにした。 [→きを読む]

0.7μm以屬離ΕА璽呂i期比でプラスの成長をす

0.7μm以屬離ΕА璽呂i期比でプラスの成長をす

SICAS(世c半導キャパシティ統)から2008Q1四半期の半導ウェーハの攵ξと実績、n働率が発表された。i期比1.7%\の211万7900/月(8インチウェーハ換Q)、iQ同期比で15.1%\というT果であった。SICASのデータをよく見ると新しい半導噞のトレンドがはっきりと見えてくる。 [→きを読む]

デンソーがO社SiCウェーハに1200V/30AのMOSFETを試作

デンソーがO社SiCウェーハに1200V/30AのMOSFETを試作

トヨタO動Zのティア1サプライヤであるデンソーは、O社で成長させたSiCインゴットのウェーハを使って、パワーMOSFETとパワーショットキーダイオード(SBD)をO社開発していることを「人とくるまのテクノロジーt2008」でらかにした。開発した半導デバイスと、それを使った3相モーター~動のパワーモジュールをtした。 [→きを読む]

ルネサス、2008Q度売屐W益ともほぼ横ばい、後半の咾妓えず

ルネサス、2008Q度売屐W益ともほぼ横ばい、後半の咾妓えず

サブプライムローン問に端を発した今vの不況の影xは、2008Qの少なくともi半まではきそうだ。ルネサステクノロジの伊藤達会長兼CEOは、2008Qの見通しについてx場は期待薄で、ルネサスOもiQ度比2%と微\の9700億という売り屬恩込みをした。営業W益はiQの436億に瓦靴呑x場の弱含みと為差を考慮して410億の微を見込んでいる。 [→きを読む]

直径13μm、ピッチ30μmのハンダボール形成\術を菱/ルネサスのチームが開発

直径13μm、ピッチ30μmのハンダボール形成\術を菱/ルネサスのチームが開発

菱電機とルネサステクノロジは、直径13μmと小さなlフリーはんだボールをインクジェットのような擬阿如基屬坊狙する\術を共同で開発し、東Bkツ橋講堂で開かれた2008Q国際3次元システム集積会議(International 3D System Integration Conference 2008)で発表した。マスクを使わずに直径13μmのハンダボールを実現できるため、狭ピッチのHピンパッケージの試作に使うことができる。 [→きを読む]

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