イ〖ˇシャトル、少晃奶マイクロ、D2SがEB溪各怠のスル〖プットを5擒に
排灰ビ〖ム溪各禱窖を緘齒ける少晃奶マイクロエレクトロニクスとその瀾隴を懶け砷うイ〖ˇシャトルは、排灰ビ〖ム溪各羹けに肋紛を呵努步するツ〖ルベンダ〖の勢D2S家と寥み、スル〖プットを附哼より5擒笆懼懼げていくプロジェクトを幌める。このほど、3家の捏啡により、2009鉗刨からEB溪各ASICの減廟を倡幌する。その漣にまず、65nmプロセスによるテストチップを活侯し、その銅跟拉を悸沮する。
これまで少晃奶マイクロエレクトロニクスのグル〖プは、EB溪各によるASIC肋紛ˇ瀾隴を渴めてきた。各溪各といえども65nm笆布のデザインル〖ルとなるとマスクセットが肋紛銳も崔めて2~3帛邊と潤撅に光擦になってきた。EB溪各はマスクセットがいらないため、65nm笆布のASICのリソグラフィ禱窖としてEB溪各ビジネスを幌めてきた。しかし、EB溪各は1攙のウェ〖ハ溪各に8~10箕粗もかかることがあり、スル〖プット羹懼が呵庭黎草瑪だった。
かつてのEB溪各怠は材恃臘妨ビ〖ム∈VSB∷と鈣ばれる數恕で、どのようなパタ〖ンも閃いていた。これは、排灰狡からのビ〖ムを峨妨にするための媽1アパ〖チャ、パタ〖ンを閃くための媽2アパ〖チャ、を蝗ってフレキシブルにどのような哭妨も閃けた。しかし、LSI懼の攙烯パタ〖ンすべてを閃くととてつもない箕粗がかかってしまう。そこで、SRAMやレジスタなど帆り手し票じようなパタ〖ンには呵介からキャラクタとしてパタ〖ンを、媽2アパ〖チャに侯り哈んでしまうという嬸尸辦崇溪各という數恕を蝗っていた。これで5擒鎳刨にはスル〖プットは懼がったが、これでもまだ稍澆尸。
海攙、少晃奶グル〖プが寥むD2S家はDFEB∈Design for Electron Beam∷と鈣ぶ數恕を蝗い、キャラクタパタ〖ンを眶驢く侯っておく數恕である。セルライブラリからできるだけ驢くのキャラクタを漣もって侯っておく。ライブラリとキャラクタとのマッピング侯度が澀妥となる。これは、俠妄肋紛が姜わりRTLレベルに皖とす漣の俠妄圭喇ツ〖ルに、セルライブラリ攫鼠を承えさせておく。そのようにするとどのような攙烯のASICにも蝗うことができる。EBに呵努步したライブラリを驢眶脫罷することで、ランダムパタ〖ンの哭妨眶を負らせ、馮蔡弄に鏈攣のショット眶を負らすことができる。これでスル〖プットは附覺の5擒鎳刨に懼がる。これで0.5ウェ〖ハ/箕までアップする。
海攙の禱窖を蝗えば、65nmチップの倡券コストはこれまでより染負できるとしている。
イ〖ˇシャトルの洛山艱涅舔家墓、炮李秸舒會によると、2010鉗には溪各怠の嘿かい劉彌猖紊によってスル〖プットをさらに懼げ、10擒鎳刨の1ウェ〖ハ/箕に懼げていく紛茶だ。さらにマルチコラムセル、マルチビ〖ム禱窖により、2012鉗には2綏/箕へと懼げていき、2014鉗には5綏/箕を謄篩に彌いている。
勢柜ASICメ〖カ〖のeASIC家は芹俐ビアだけでカスタマイズするASICを瀾墑步しており、少晃奶マイクロとイ〖ˇシャトルのEB溪各怠を蝗っている。少晃奶マイクロエレクトロニクス話腳供眷の300mmウェ〖ハ媽2供眷にアドバンテスト瀾EB溪各劉彌F3000を2駱肋彌している。
