浩芹俐脫インタ〖ポ〖ザ〖の瞥掐により3肌傅TSV ICを端泅に
チップ粗儡魯がこれからの3肌傅ICにますます腳妥になり、TSV∈through silicon via∷いわゆる從奶排端が海、廟謄を礁めているが、儡魯の啼瑪だけではなく肋紛の豈しさが回紐され幌めた。TSVでチップ粗を3肌傅數(shù)羹に儡魯すると、拉墻は20~30%羹懼し、ノイズの逼讀を減けにくいなどメリットは端めて絡(luò)きい。しかし悸脫步までには啼瑪が懷姥している。TSV排端を妨喇する箕粗が墓いだけではなく、錢の啼瑪などもこれまで回紐されてきた。呵奪、肋紛懼の極統(tǒng)刨が井さくなるという啼瑪も回紐されている。
CEATECの柴袋面、10奉1×3泣にかけてJissoフォ〖ラム2008が票じ穗磨にあるアパホテル□リゾ〖ト澎疊ベイ穗磨ホ〖ルで倡かれ、その豺を滔瑚した。メモリ〖とロジックICをTSVで儡魯するためには、それぞれの排端パッドの絡(luò)きさと疤彌を琵辦しなければならない。インテルはSEMICON WestでチップのTSVの疤彌を票じにしようと鈣びかけたといわれている。
儡魯疤彌を票じにするためには、剩眶のチップを僥數(shù)羹に儡魯することを改」のチップ肋紛に徒め攔り哈んでおくことが司ましい。しかし、メモリ〖とロジックで票じ疤彌にTSVを肋けることは肋紛懼、絡(luò)きな擴(kuò)腆となり豈しい。そこで、澎疊絡(luò)池欄緩禱窖甫墊疥の葫版誕汞兜鑒は、インタ〖ポ〖ザ〖を拆して稱排端を儡魯しやすいように浩芹俐する澀妥があると揭べた。
これに灤して、インタ〖ポ〖ザ〖を瞥掐するとコストアップになると、NECエレクトロニクスは飛斌する。
コストアップについては海稿、拒嘿に浮皮する澀妥があるものの、ルネサステクノロジはインタ〖ポ〖ザ〖をチップ粗に掐れても悸劉パッケ〖ジ答饒を崔めたト〖タルの更さは、染負(fù)することを績(jī)した。票家は附哼、翁緩面のマイクロコントロ〖ラMCUとメモリ〖SDRAMを姥霖し、ワイヤ〖ボンディングで儡魯したSiPパッケ〖ジと孺秤した。翁緩のSiPパッケ〖ジでは、6霖のプラスチック答饒懼にSDRAMをフリップチップで妨喇し、その懼に冷憋シ〖トを洞んでMCUを很せ、MCUの排端パッドとパッケ〖ジ答饒の山燙排端とはボンディングワイヤ〖で儡魯する。パッケ〖ジ微燙の染拍ボ〖ルを崔めたト〖タルの更さは1.25mmである。
これに灤して、附哼倡券面のTSVによる3肌傅姥霖ICでは、インタ〖ポ〖ザ〖を掐れて浩芹俐してもト〖タルの更さは0.6mmしかなかった。菇隴弄には海刨はMCUを布に彌き、その懼にインタ〖ポ〖ザ〖を拆してSDRAMを很せている。インタ〖ポ〖ザ〖を掐れても泅くなったのは、パッケ〖ジ答饒の芹俐霖眶が驕丸の6霖から2霖に負(fù)ったためだとしている。すなわちインタ〖ポ〖ザ〖の浩芹俐によって布にあるパッケ〖ジ答饒の芹俐霖眶を負(fù)らしたのである。パッケ〖ジ答饒の更さは驕丸の0.46mmから海攙0.2mmに負(fù)警した。芹俐墓はワイヤ〖ボンディングではないため呵も沒(méi)くなったという。
このインタ〖ポ〖ザ〖による浩芹俐緘恕は、3肌傅悸劉のTSVを夸渴する懼で撅佩緘檬になるかもしれない。メモリ〖やロジックなどのチップの排端芹俐肋紛に砷么をかけなくて貉むためだ。ファブレス、ファウンドリ、IDMの染瞥攣メ〖カ〖いずれもTSVのための肋紛を陵緘のチップの排端の芹彌、サイズに炳じて恃えることには豈咖を績(jī)すだろう。となると、インタ〖ポ〖ザ〖肋紛サ〖ビスというビジネスが糠たに欄まれてくる材墻拉がある。
