HBMの喇根の肌はNANDフラッシュへ、と喇墓へ罷丹哈むSK hynix
SK hynixは、肌坤洛スマ〖トフォン羹けのストレ〖ジとなるNANDフラッシュの糠憚呈Zoned UFS∈あるいはZUFS 4.0∷瀾墑を倡券した。エッジAI羹けのストレ〖ジとして、2024鉗媽3煌染袋に翁緩する紛茶である。沸箕昔步を猖紊し瀾墑檻炭は40%墓くなるという。SK HynixはHBMの喇根に魯き、NANDでもAI炳脫メモリでの喇墓を晾う。
哭1 SK hynixの肌坤洛スマホ脫NANDフラッシュのZoned UFS 叫諾¨SK hynix
hynixが倡券したZoned Universal Flash Storage∈ZUFS∷は、デ〖タを跟唯よく瓷妄するNANDフラッシュ瀾墑。OS∈Operating System∷とストレ〖ジ粗のデ〖タ啪流廬刨を呵努步し、エッジAI羹けに倡券した禱窖だという。UFSは辦忍弄なカメラやスマホなどに何脫されているNANDフラッシュに蝗われている憚呈。
ZUFS禱窖は、潑拉に炳じてデ〖タを佰なる撾拌に尸梧し呈羌する禱窖。驕丸のUFS禱窖とは般い、票屯な謄弄と裳刨のデ〖タをグル〖プ尸けして侍」の撾拌に呈羌することで、デ〖タ啪流廬刨を懼げ、毋えばスマホから辦つのアプリを瘤らせる廬刨を、墓い袋粗網(wǎng)脫すると腆45%沒教するという。票じメモリセルへの今き哈み∈W∷粕み叫し∈R∷を閏けられるため、WRの帆り手しによる昔步を4擒笆懼猖簾できるとして、瀾墑檻炭が40%凱びるとしている。
票家は、この禱窖を欄喇AIがブ〖ムになる漣の2019鉗から坤腸弄なプラットフォ〖ムサ〖ビス措度と鼎票倡券してきており、その杠狄と鼎にZUFS 4.0の憚呈をJEDEC∈Joint Electron Device Engineering Council∷篩潔として千沮されたとしている。
叼絡(luò)テック措度は、極漣の欄喇AI禱窖を烹很したデバイス瀾墑に廟蝸しているため、もっといろいろなメモリの聯(lián)買昏を司んでいる、とSK hynixのN-Sコミッティ把鎊墓であるAhn Hyun會(huì)は胳っている。さらに、絡(luò)緘ICT措度とより動(dòng)蓋なパ〖トナ〖シップを蜜き、努磊な箕袋に妥滇を塔たす光拉墻なNANDソリュ〖ションを捏丁することによって、グロ〖バルなAIメモリメ〖カ〖としての孟疤を動(dòng)蓋にしていく、と動(dòng)い瘋罷を揭べている。
