GaNの殊偽まり90%や、卵暗1200Vの僥房菇隴など糠GaNパワ〖FET
GaNの殊偽まりを90%に懼げられる材墻拉のある肋紛緘恕、GaNの卵暗を1200Vまで懼げてもオン鳥鉤が1.8mΩcm2とSiC事みに奪づけることのできるMOSFETなどが活侯され、GaNデバイスの撅急が恃わりつつある。籬駝俯穗磨メッセで倡號(hào)されたテクノフロンティア2015では、糠しいパワ〖染瞥攣GaNに絡(luò)きな渴殊がみられた。
哭1 6インチGaN-on-Siで侯瀾したGaN SystemsのGaN FET
GaNの風(fēng)促は、布がってきたとはいえ、まだ驢い。啪疤泰刨で帽疤燙姥碰たり10の6捐cm-2もあり、SiCと孺べると3ケタ驢いという。このためデバイスの殊偽まりは你く、輝眷に叫すためには擦呈が光賄まりになっている。舍第するためにはまだ箕粗がかかる。こういった風(fēng)爬を豺久するための禱窖倡券が陵肌いでいる。
嘿かいセル數(shù)及で殊偽まりを懼げる
カナダのGaN Systems家が、6インチのSiウェ〖ハ懼に妨喇したGaNパワ〖トランジスタの殊偽まりを懼げるためのユニ〖クなデザイン緘恕は、≈アイランド禱窖∈Island Technology∷∽と鈣ばれている。これは、GaNエンハンスメント房MOSパワ〖トランジスタを井さな井慨規(guī)トランジスタに尸充し、それらをつなぎ圭わせた菇隴を積つ。傅」パワ〖トランジスタの霹擦攙烯は、井慨規(guī)トランジスタを驢眶事誤儡魯したものとみなすことができる。
儡魯の慌數(shù)に供勺があり、哭2のように井さなMOSトランジスタのソ〖ス排端を山に叫したセル(渦咖)と、ドレイン排端を山に叫した濫いセルを蛤高に事べ、爾房菇隴でドレイン、ソ〖ス芹俐をつないでいく。ゲ〖トは侍の眉灰として山燙から艱り叫すという。たとえ、セルの辦つが肝俱しているとしてもドレインまたはソ〖スの芹俐として儡魯されているため、排萎が警し負(fù)警するだけで稍紊にはならない。このため、殊偽まりが90%くらいになるという。驕丸のGaNトランジスタなら眶%しか殊偽まりはなく、光コストとなっている。
哭2 アイランドのセルごとにドレインかソ〖スの排端が山に叫ており、それをつなげて芹俐排端とする 叫諾¨GaN Systems
パッケ〖ジングもユニ〖クで、ボンディングワイヤ〖を鏈く蝗わず、弓い升のドレイン、ソ〖スの萍芹俐に木儡錢暗緬するため、大欄インダクタンスが井さく、光廬炳批が材墻になるだけではなく、錢鳥鉤も井さくできる。ちなみにdV/dtは100V/nsと端めてシャ〖プな惟ち懼がり潑拉を積つ。卵暗は100Vと650V、排萎推翁は8A~250Aまで路えている。
誰(shuí)拍圭喇は僥房で1200V悸附
GaNの馮窘風(fēng)促がSiCよりも驢いことは禍悸だが、誰(shuí)拍圭喇によると、風(fēng)促が驢くてもSiCよりは瓢侯しやすいという。誰(shuí)拍圭喇は、まだ2インチだがGaNを答饒馮窘とするMOSFETを活侯した。ドレイン-ソ〖ス粗に馮窘風(fēng)促が100改鎳刨圭ってもMOS瓢侯を乖うという。票家は、ゲ〖ト煥步遂としてALDなどの泅遂喇墓で侯った?jī)e房MOSFET(哭3)で、卵暗1200Vを評(píng)ている。栗いトレンチだが、GaNのFETを驕丸の玻房ではなく、SiCと票屯、僥房に活侯したため、卵暗を絡(luò)きくとることができた。
哭3 誰(shuí)拍圭喇が倡券した?jī)e房GaN MOSFET 栗いトレンチを網(wǎng)脫 叫諾¨誰(shuí)拍圭喇
これまで、SiCは 1200V笆懼、600VまではGaNという芭疼の惰尸けがあったが、驕丸のSiCは僥房、GaNは玻房であったためにGaNにおいて澆尸な卵暗を澄瘦しようとするとオン鳥鉤を稻婪にせざるを評(píng)なかった。海攙、誰(shuí)拍圭喇は、GaNのバルク馮窘を侯り、その懼に僥數(shù)羹に排萎を萎す菇隴のトランジスタを侯り哈むことで、オン鳥鉤を布げた覺輪で卵暗を1200Vに懼げることができるようになった。哭4には1200Vを畝える卵暗を績(jī)している。この箕のオン鳥鉤は1.8mΩcm2とSiC事みの井ささである。謄篩は0.4mΩcm2。
哭4 1200Vの卵暗でオン鳥鉤1.8mΩcm2と你い僥房GaN MOSFET 叫諾¨誰(shuí)拍圭喇
GaN答饒の馮窘喇墓には、Na拖閉面でGaN鹼馮窘を傅にGaNを喇墓させていく數(shù)恕を何った。GaNはSiCよりもバンドギャップが弓く、冷憋卵暗も付妄弄に絡(luò)きい。このため妄俠弄にはSiCの妄俠嘎腸よりもGaNのそれの數(shù)がさらに嘎腸が弓い。
