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カーエレクトロニクス

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SIM-Driveが先行開発4(gu┤)Zを発表、400kmの踉{(di┐o)`へ

SIM-Driveが先行開発4(gu┤)Zを発表、400kmの踉{(di┐o)`へ

電気O動Zの売れ行きがやや停]し、\料電池O動Zにトヨタ、ホンダ、日がを入れている中、400km度の踉{(di┐o)`(JC08モードでのQ値)を実現できそうな電気O動Zが試作された。モータをZ茲瓦箸冒箸濆む、インホィールモータ(sh┫)式のクルマを開発しているSIM-Driveが発表した4番`の先行開発ZSIM-HALがそれだ(図1)。 [→きを読む]

メモリ給が緩み始め、クルマ\術が発に動く

メモリ給が緩み始め、クルマ\術が発に動く

2013Qの半導x場はDRAMやフラッシュなどのメモリがけん引したが、メモリの給が緩み始めている。また、クルマ向けのカーエレクトロニクスは依として発であり、ルネサスが28nmのフラッシュメモリIPを開発した。欧Δ任流小型EV(電気O動Z)の実xにはトヨタが参加し、ホンダが参加を`指す。 [→きを読む]

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