これからも成長が��くと期待されるスマートフォンやタブレット向けに、アナログ�\術を�u�Tとする半導��メーカーならではの����をON Semiconductorが相次いで投入している。ON Semiが�A収した旧��洋電機半導���靆腓蓮�System Solution Groupに�錣掘�統括するシニアバイスプレジデントのMamoon Rashid��は日本で指ｧをとっているという。 [→��きを読む]
Mentor Graphicsは、CPUコアが異なるヘテロジニアスで、かつマルチコアのICを容易に設��できる包括的なソリューションを発表した。異なるOS（operating system）の�屬飽曚覆�CPUコアを集積するマルチコアICを設��・検証するのに向く。 [→��きを読む]
![AMAT、3D構�]のFinFET、NANDフラッシュに向け新CMPとCVDを発表](/assets_c/900px/140715-amat.png "AMAT、3D構�]のFinFET、NANDフラッシュに向け新CMPとCVDを発表")
Applied Materialsは、ロジック向けのFinFETプロセス、メモリ向けの3D NANDフラッシュプロセスという�jきな二つの3次元構�](図1)を実現するためのプロセス����： CMP（化学的機械的研磨）とCVD（化学的気相成長）の新����を発表した。 [→��きを読む]
IBMが今後5�Q間に渡り30億ドルを半導��・ナノエレクトロニクスに投�@すると7月10日に発表、日本経済新聞は11日に報じた。これまで、IBMは半導���靆腓�GlobalFoundriesに売却するといううわさがあり、今�vの発表について、どう見るか�T見が分かれている。 [→��きを読む]
7月9日に日立��作所が発表した、効率96%と高い、アモルファス鉄心を使ったモータ(図1、2)は、材料の加工がカギだった。今�v試作したモータは、国際高効率��格の最高レベルに相当するIE 5をクリアしている。これまでの最高クラスといえよう。 [→��きを読む]
「SiCパワー半導��の価値は、コスト・パフォーマンスで考えよう」。SiCのショットキダイオードやFETを、SiのIGBTと単価だけで比べるとSiCは高い。しかし、システムあるいはモジュールでのコストが�Wければ、ユーザーには�jきなメリットになる。もちろん性�Δ蝋發ぁ�Infineon Technologiesが考えるSiC戦�Sは�x場原理に基づいている。 [→��きを読む]
![2014�Qの半導�����]�����x場、Q3の低迷を考慮しても20.8%�\](/assets_c/900px/140708-semi.png "2014�Qの半導�����]�����x場、Q3の低迷を考慮しても20.8%�\")
SEMIは�盜饂�間7月8日から始まるSEMICON West 2014に先�~けて記�v会見を開き、半導�����]����の�x場予�Rを発表した(表1)。今�Qの半導�����]����の販売�Yは�i�Q比20.8%�\の384億ドルになり、2015�Qはさらに成長し10.8%�\の426億ドルを��えると見ている。 [→��きを読む]
先週、Qualcommが、60GHzのWi-Fi��格である、IEEE802.11ad（別�@WiGig）を�}に入れたというニュース発表があった。LTEの�����耀uにもアグレッシブに動く同社が今�v、数Gbpsという��常に高いデータレートをサポートする60GHz帯の企業Wilocityを�A収した。�咾だ�長分野をますます�咾�するQualcommは��め��けている。 [→��きを読む]
2014�Qの��1四半期におけるNANDフラッシュの売り�屬欧任蓮�1位のSamsungが21億7500万ドル、2位の東��は15億4770万ドル、3位のSanDiskは13億6700万ドルであった。これは、シンガポールを拠点とするメモリの�x場調�h会社DRAMeXchangeが発表したもの。 [→��きを読む]
スマートフォンや携帯電�Bの加入契約�P数は2014�Q��1四半期時点で68億�P(図1)、と世�cの人口71億人に��る勢いで�\えている。世�cの人口は間もなく72億人となるが、今�Q中にはモバイル加入契約数は人口を��えるに違いない。2014�Q��1四半期に新��にモバイルに加入した�P数は1億2000万�Pになり、通�Qでは単純に4倍にしても4億8000万�Pにもなるからだ。 [→��きを読む]
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