ロジック�v路を時分割に�~動して小さなチップで�j��模FPGA相当のロジックを実現する�盜颪離戰鵐船磧�Tabula社がIntelの22nm FINFETプロセスを使い100Gbpsクラスの����を3���|開発した。100Gbpsのイーサネットブリッジファミリと4チャンネルの100GigEスイッチ、40Gbpsのレギュラーエクスプレッション（����表現）アクセラレータの��つ。 [→��きを読む]
9月2日、ルネサスエレクトロニクスが国内半導��メーカーとして初めての�j��模な開発�v会議「Renesas DevCon Japan 2014」を開��、翌日の株価が�jきく�屬�り、ストップ高にまで達した。3日の日刊工業新聞は、リストラから成長軌�Oへ、と報じた。また、電気�O動�Z（EV）のTesla Motorsの新工場、新����のニュースもあった。 [→��きを読む]
ルネサスエレクトロニクスが国内半導��メーカーとしては初めての開発�v会議「Renesas DevCon JAPAN 2014」を東�Bのザ･プリンスパークタワー東�Bで9月2日開��した。これまで、�L外企業ではIntelやFreescale Semiconductor、Texas Instruments、Apple、ARMなどが積極的にプライベートセミナーを開��してきたが、日本の半導��メーカーが主��したことはグローバル企業と�B並みを揃えたといえる。 [→��きを読む]
パワー半導��が�u�TなInfineon Technologiesが、パワー半導��だけに��化しているInternational Rectifierを�A収することで合�Tした。なぜ、パワー半導��同士で�A収合��するのだろうか。そもそもIR社は現在の�e型パワーMOSFETの源流であるHEXFETを開発した会社である。 [→��きを読む]
2014�Q8月に最もよく読まれた記��は、「Samsung、東��とのNANDフラッシュの売り�屬穏垢魍判j」であった。Samsungと東��の差が1�Qほど�iは詰まってきていたが、ここ最�Zは少し広がったが、比較的�W定な差であった。それが先月よりも再び少し開いた。 [→��きを読む]
7月31日に富士通は、半導����業の再��について発表、この「週間ニュース分析」コラムで報�Oおよびコメントしたが(参考�@料1)、その時には300mmラインを�eつ���_工場の再��はまだ��定していなかった。8月29日にUMCが�@本参加することが��定した。 [→��きを読む]
ルネサスエレクトロニクスは、�Z載に��化したビジネスを�t開してきているが、このほどクルマのADAS（先進運転�мqシステム）システムに向け、これまでよりも処理�ξ�の高いシステムLSI、R-Car V2Hを開発した。�咾ぅ�ルマ��業をますます�咾�するルネサスの�T向を反映したチップとなっている。その理�yをこれからじっくり解説する。 [→��きを読む]
Michael L. Santori��、��National Instruments社フェロー兼����マーケティング担当バイスプレジデント Software-Designed Instruments（ソフトウエアで設��する�R定�_）を���C的に�]ち出しているNational Instruments社。同社の�R定�_は、コンピュータとソフトウエアを基本として���R�霾�のみモジュールで構成するというコンセプトだ。最�Z、よく聞く言��として「Software-Defined xxxx」がある。時代がNI社に�Zづいてきたという感じさえある。同社����開発を指導するフェローにこれからのNIのあり�気鯤垢い�。 [→��きを読む]
たかが、電源というなかれ。電子�v路を動かす電源では、微細化が進んだ高集積LSIであればあるほど、低電圧ながら動作電流は�jきくなる。IntelのプロセッサやFPGAなどのLSIにはこういったハイパワーの電源が要求される。しかもデジタル�U御だと、CPUから消�J電��を下げることが可�Δ�。このニッチな�x場を狙う電源モジュールメーカーがいる。 [→��きを読む]
NANDフラッシュの�Q社のロードマップを�毫x場調�h会社のIC Insightsがまとめた。これによると、Samsungが3Dメモリで先行しているが、IM FlashとSK Hynix、東��・SanDiskグループも2015�Q〜2016�Qには3次元化する��画だ。 [→��きを読む]
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