低電圧、�j(lu┛)電流の最先端LSI向けの電源は、今やデジタル�U(ku┛)御する時代になった。数10mV��度のわずかな電圧単位で、電源電圧を�屬欧燭蟆爾欧燭蠅垢襪�らだ。Alteraが�A収したEnpirionは最微細化Gen10のFPGA向け30Aの電源モジュールEM1130を発売した。この�T圧DC-DCコンバータは並�`仕様で電流容量を拡張できる。 [→��きを読む]
DRAMのデータレート（バンド幅）を1ピン当たりDDR4の8.5倍�]いHMC（Hybrid Memory Cube）の���Sが��らかになった。HMCは、TSV（Through Silicon Via）を使ってDRAMチップを�eに積み�屬欧�3D-ICの�k�|で、基地局やデータセンターなどに向け消�J電��を�屬欧困帽��]性を�u(p┴ng)るRAMメモリである。詳細は3月25日に開��(h┐o)されるSPIフォーラム「3次元実�△悗量O」で��らかになる。 [→��きを読む]
2014�Qにおける世�c����のスマートフォンの出荷��数は12億4489万��と、パソコンの4倍にもなった。�x場調�h会社のGartnerが発表したものだが、これによると、世�cのスマホの出荷��数は2013�Qの9億6972万��から28.4%も�Pびた。 [→��きを読む]
��(sh━)国時間3月2日、世�cの半導��業�cは、オランダのNXP Semiconductorsが��(sh━)国のFreescale Semiconductorを吸収･合��すると発表したことに驚いた。日本では新聞よりも早く、EE Times Japanが同日そのニュースを翻�l・掲載した。新聞では日本経済新聞が3日�D刊に�]く「オランダ半導��NXP、��(sh━)同業を2兆��で�A収」と掲載したのが最も早かった。 [→��きを読む]
「1/fノイズを�Rりたい」と思うエンジニアに福音。Agilent Technologiesから�R定�_(d│)�靆腓�独立したKeysight Technologiesの日本法人、キーサイト・テクノロジーは、低周�S雑音が極めて低い1/f�R定�_(d│)を開発した。1/fノイズの�莟Rできる周�S数が20Hz以下と低く、ホワイトノイズが��めるノイズフロアも��来の-177dB2/Hzから-183dB2/Hzと下がった。 [→��きを読む]
2015�Q2月に最もよく読まれた記��は、「NANDフラッシュ、�j(lu┛)�}トップ3社を下位3社が�{いかける」であった。NANDフラッシュは長�Q、1位Samsung、2位東��、3位San Disk、4位Micron、5位SK Hynix、6位Intelという順位であった。�岼�3社は�i�Q比ややマイナス成長だが、下位3社は2桁成長という勢いである。 [→��きを読む]
2月22日から26日まで��(sh━)国サンフランシスコ�xではISSCC（International Solid State Circuits）が開��(h┐o)され、新聞�L�屬��發錣靴拭Ｆ�本の企業や�j(lu┛)学の��躍が報じられている。また、中国やインドなどの電子�噞が変わろうとしている。 [→��きを読む]
EUVが��実に進歩している。��湾のTSMCがASMLのNXE:3300B EUVリソグラフィ����を使って、1日に1000��以�屐∀�光できたことを、オランダのASMLが発表した。また日本のギガフォトン(小松��作所の100%子会社)は半導��量��レベルに�Zい140W、デューティ比50%で連��運転を達成したと発表した。 [→��きを読む]
電磁�c�T合、磁�c共鳴、キャパシタンス�T合などでチップ同士やワイヤレス給電などの�\術がこれまであったが、まさかと思えるクロストーク�T合によるワイヤレス�\術が登場した(図1)。�葼�j(lu┛)学の��田忠広教�bが提案、ISSCC（International Solid-State Circuits Conference）2015でその�~効性を��らかにした。 [→��きを読む]
16nm FinFETプロセスがいよいよFPGAを�}始めに量��が始まる。昨�Q出荷されたIntelの新しいプロセッサ「Broadwell」にも14nm FinFETプロセスが使われたが、�攵妌場がパイロット�攵妌場であり、量�妌場ではなかった。このほどXilinxが出荷する16nm FinFETプロセスのUltraScale+ファミリ(図1)が量��チップといえそうだ。 [→��きを読む]
<<�iのページ 212 | 213 | 214 | 215 | 216 | 217 | 218 | 219 | 220 | 221 次のページ »
