3D-NANDの発表相次ぐ

先週、東が3D-NANDのを発表した翌日にMicron TechnologyとIntelのグループからも3D-NANDの発表があった。3D-NANDは3D-ICとは違い、モノリシックのSi内にe妓にメモリを直`接した構]で、リソグラフィをH少緩くしても容量を屬欧蕕譴襦ただし、2グループの間で、3次元と言ってもメモリセル構]にjきな差があった。 [→きを読む]
先週、東が3D-NANDのを発表した翌日にMicron TechnologyとIntelのグループからも3D-NANDの発表があった。3D-NANDは3D-ICとは違い、モノリシックのSi内にe妓にメモリを直`接した構]で、リソグラフィをH少緩くしても容量を屬欧蕕譴襦ただし、2グループの間で、3次元と言ってもメモリセル構]にjきな差があった。 [→きを読む]
2014Qの世cMEMSメーカーのトップ30社ランキングが発表された。トップはRobert Boschで、2位のSTMicroelectronicsにj差をつけた。Boschの売り屬欧STの1.5倍にあたる12億ドル。iQは10億ドルで並んでいたが、14QのSTの売り屬欧8億ドルに少した。これは、フランスのx場調h会社Yole Developpementが発表したもの。 [→きを読む]
東が48層のNANDフラッシュメモリを3月26日からサンプル出荷すると発表した。128Gビットので2ビット/セル構]をeち、当社の3次元メモリBiCS\術で攵する。これはモノリシックにメモリセルをeに積み屬欧擬阿如△い錣罎3D-ICとは違う。 [→きを読む]
低電圧デバイス\術研|組合(LEAP)のプロジェクト「低炭素社会を実現する低電圧デバイスプロジェクト」は平成22Q度から本Q度までの5Q間に渡って研|されてきた。LEAPが主する「4v 低炭素社会を実現する低電圧デバイスプロジェクト成果報告会」がこのほど開かれ、その開発されたデバイスが披露された。 [→きを読む]
クルマの電子化、すなわちカーエレクトロニクスの進tが加]している。この分野のリーダーである欧Δ離謄ア1サプライヤのj型A収が進み、カーエレに出れたドイツのZFがTRWオートモーティブをA収する。日本経済新聞などからカーエレ加]の実をRう。 [→きを読む]
医機_向けの半導は2013Qから2018QにかけてQ平均成長率CAGRで12.3%という高い割合で成長すると歡h会社IC Insightsが発表した。2018Qには82億ドル(約1兆になり、この内ICチップは10.7%\の66億ドル、ディスクリート(O-S-D)は20.3%\の16億ドルになると見込む。その理yは2つのjきなトレンドによる。 [→きを読む]
NANDフラッシュをj量に使う、フラッシュアレイストレージがこれまでハイエンドのティア0ストレージから、1次ストレージのティア1ストレージへと下位t開を図ろうとしている。これはNANDフラッシュが今後、j量に使われることをT味する。これまでは]度(レイテンシ)を優先するハイエンドのティア0レベルがメインだった。 [→きを読む]
ビデオ映気料p信に使う高]インターフェース格争いがまたk段としくなりそうだ。MHLが、我こそは次世代高]ビデオ通信格なり、と主張するsuperMHLという仕様がそれである。最j8K、120fpsと高]のビデオ映気鬟汽檗璽箸垢襦 [→きを読む]
いよいよ、IoTシステムのビジネストピックスが々登場してきた。日立作所がIoTを]現場でするためのシステム開発に乗り出し、東Bエレクトロンデバイスは工業IoTの中核となるワイヤレスセンサネットワークのゲートウェイ機_の開発、ロームはIoTのセンサを使う企業との協業を探るマッチング会を開する。IoTからのデータをpけDり加工するデータセンター向けのトピックスもある。 [→きを読む]
低電圧、j電流の最先端LSI向けの電源は、今やデジタルU御する時代になった。数10mV度のわずかな電圧単位で、電源電圧を屬欧燭蟆爾欧燭蠅垢襪らだ。AlteraがA収したEnpirionは最微細化Gen10のFPGA向け30Aの電源モジュールEM1130を発売した。このT圧DC-DCコンバータは並`仕様で電流容量を拡張できる。 [→きを読む]
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