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半導���v路の国際会議ではずっと�iからISSCC（International Solid-State Circuits Conference）が誰もが応募して�\術��を��(j┤)したい発表の場であるが、最�Zはアジアのプレゼンスの高まりと共にA-SSCC（Asian Solid-State Circuits Conference）もエンジニアにとって権威のある国際会議になりつつある。 [→��きを読む]
21�vを迎えたISSMと、��湾TSIA主��(h┐o)のe-Manufacturing & Design Collaboration Symposium (eMDC)のジョイントシンポジウムが9月6日、��湾、新�艚xのAmbassador Hsinchu Hotelにて開��(h┐o)され、260�@の参加�vが集った。会場はTSMCを中心とした��湾の�{いエンジニアが����の8割以�屬鰒�め、��気溢れる会合であった。 [→��きを読む]
ミニマルファブのプロジェクトが組�E化され、昨�Q12月のセミコンジャパンにおいて初めて����のモックアップが�t��(j┤)された。今どこまで進�tしたのか。その��1�vの報告会とも言うべき「ミニマルファブ・シンポジウム2013」が東�B��川で開��(h┐o)された。 [→��きを読む]
フォトレジストでは、昨�Qまではポジ型レジストを使い、解�掬�16nm以下、LWR（線幅の��さ：line width roughness）1.3nm以下、感度10mJ/cm2以下、という数値を�u(p┴ng)ていた。解�掬戮�LWR、感度の��つのパラメータはトレードオフの関係にあるため、��つのパラメータを最適化させる��要がある(図8)。今�Qは、ネガ型レジストを使ってどこまでいけるかの実�xである。 [→��きを読む]
EUVは����を透��(c┬)しやすいX線の�k�|であるため、光学�Uにはレンズではなく反�o(j━)��を�W(w┌ng)��する。反�o(j━)光学�Uのマスクブランクスは、W/Moの繰り返し積層構�]を採っている。ここに�L(f┘ng)陥が入るとパターンが歪んでしまうため、無�L(f┘ng)陥にしたい。マスク検�hは不可�L(f┘ng)である。 [→��きを読む]
EUVのマスク、レジスト�\術開発のコンソーシアムである、EUVL基盤開発センター（EIDEC）が最�Zの��動報告を行った(図1)。�S長13.4nmのX線を使うEUVリソグラフィでは、ASMLだけが露光����を開発しているが、EIDECは露光����以外のEUV基本�\術を�pけ�eつ。出�@は国内13社で、�L(zh┌ng)外5社も共同研�|で参加、��原��作所とレーザーテックは����開発パートナーとして参加、3�j(lu┛)学と�噞�\術総合研�|所も参加する�k�j(lu┛)コンソーシアムだ(図2)。 [→��きを読む]
