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A-SSCC、初めてシンガポールで開、ハイレベルの\術発表を予定

半導v路の国際会議ではずっとiからISSCC(International Solid-State Circuits Conference)が誰もが応募して\術をしたい発表の場であるが、最Zはアジアのプレゼンスの高まりと共にA-SSCC(Asian Solid-State Circuits Conference)もエンジニアにとって権威のある国際会議になりつつある。

図1 A-SSCCのb文投M数、採I数の推 ―儘Z:IEEE A-SSCC

図1 A-SSCCのb文投M数、採I数の推 ―儘Z:IEEE A-SSCC


A-SSCCは、リーマンショックと共にb文投M数はりつつあったが、2011Qにrり返す向がみられ、2012Qは少し落ち込んだものの、2013Qは2008Qの投Mb文数をえた(図1)。採I数は毎Qjきな差はないと思われるが、それでも投Mb文数が少なければ採I率は{J高まる向がある。今Qは投Mb文数がrり返し、採I率は35%とリーマンショックiのレベル(32〜34%)に戻ってきた。

今Qは11月11〜13日、初めてシンガポールで行われる(図2)。これまでは、湾、中国、f国、日本を繰り返して開されてきたが、今vからシンガポールが加わることになった。シンガポールは、国のlかさを表す、国ck人当たりのGDPが日本のそれを数Qiにえた国である。この都x国家は、国際会議場のT在や、地域本社機Δ覆疋咼献優垢竜鯏世箸靴討離ぅ鵐侫蕕鯏Dえている。A-SSCCはリゾート施設のあるセントーサのコンベンションセンターで開かれる。


図2 シンガポールの発表会場 セントーサのコンベンションセンターで開 出Z:IEEE A-SSCC

図2 シンガポールの発表会場 セントーサのコンベンションセンターで開
出Z:IEEE A-SSCC


今Qのテーマは、「Integrated Circuits and Systems for a Mobile Society(モバイル社会に向けた半導LSIとシステム)」である。11日はチュートリアルセッションであるが、12日と13日にはそれぞれ基調講演が2Pずつある。それぞれ、「Future Mobile Society Beyond Moore’s Law(ムーアの法Г鬯える未来のモバイル社会)」(シンガポールIME)、「The Evolution of CMOS Image Sensors(CMOSイメージセンサーの進化)」(ソニー)、「SW-SoC Convergence Platform for Next Generation Smart Devices Design(次世代スマートデバイス設に向けたソフトウエアとSoCの融合プラットフォーム)」(f国ETRI)、「Collaborative Innovation for Future Mobile Applications(未来のモバイル応に向けた協業イノベーション)」(シンガポールGlobalFoundries)、である。て未来志向のテーマとなっており、今後の成長が期待される。

パネルディスカッションのテーマも未来志向であり、「From Sensor to Cloud; What is a Role of Integrated Circuits?(センサからクラウドまで;半導LSIの役割は何か?)」としてIoT(Internet of Things)に係わる問を議bする。

k般講演では、アナログ、データコンバータ、デジタル、SoC、RF、~線、新\術・応、メモリという分野に加え、今Qもインダストリープログラムを設け、企業からの発表を集めた。今vは、オラクル(A収したサン・マイクロシステムズ)が128スレッドのSPARC T5プロセッサ、TI/TSMCのグループはFRAMマイコンでき屬り384nsと高]のアーキテクチャ、IBMは次世代PCIe4.0格を狙う16Gbpsレシーバーなどについて発表する。

アナログではTHD+Nが0.004%とA級アンプ並みに低い雑音のD級アンプをBroadcom、医mめ込みデバイス向けにインダクタWのワイヤレス給電を湾交通j学が発表する。シンガポールのA*STAR/南洋工科j学のグループはECG(心電図)センサからの信ス萢プロセッサを発表し、日本の早稲田j学からは最新のH.265エンコーダ動き検出アーキテクチャ、湾交通j学から高]の誤りル処理チップ、中国@華j学からも47.6〜71GHzの広帯域VCOなど最新\術が集まる。

IoTをT識して、新\術・応分野ではセンサ関係がHい。A*STARはN内莟Rに圧/素/a度センサを1チップにし、ドイツのUniversity of UlmはNMRのスピンセンサーを発表する。メモリはセンスアンプの発表がHい。300度まで動作可ΔSOI-SRAMや不ァ発性のReRAMなどの発表がある。

(2013/09/20)
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