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易肝の咾泙蠅pけてO国の半導]を啣修垢歟

易肝の咾泙蠅pけてO国の半導]を啣修垢歟

歟肝から、サプライチェーンをできる限りO国にeってこようとする歟罎瞭阿が顕著になってきた。櫂▲螢哨ΔTSMC工場は2工場がすでに動き出し、3工場への投@も出ているという。テキサスΔ任ITQ社による「スターゲート画」と}ぶAIデータセンターの莂鮑遒觴画がある。中国のO動Zは国滹導を100%に屬欧妓にある。国内でもソニーが22nmのラインを動かし始める。 [→きを読む]

東jとTSMCとの共同ラボの狙いはFinFET設可Δ平雄牋蘋

東jとTSMCとの共同ラボの狙いはFinFET設可Δ平雄牋蘋

東Bj学とTSMCが共同のラボを浅野キャンパスに設けると発表した。TSMCと湾以外のj学との共同ラボは初めて。東jにはこれまで材料や半導駘、電子v路などでl富な研|vがおり、TSMCにとっては共同できることが1.4nm以下のプロセスノードとなると東jとのコラボは心咾ぁE貊jにとってもVDECを通してチップ試作を依頼してきた。今vの長は何か。 [→きを読む]

Intel、ファウンドリのビジネスt開への覚悟をす、14AのIPだけじゃない

Intel、ファウンドリのビジネスt開への覚悟をす、14AのIPだけじゃない

Intelがファウンドリをビジネスとして確立するためのパートナーとのエコシステムを、新CEOであるLip-Bu Tanが、このほど開したIntel Foundry Direct Connectでらかにした。同はIntelを、\術、カスタマフォーカスだけではなく企業文化も変えることを訴えており、ファウンドリとしてのパートナーとして、EDAトップ3社に加え、PDF Solutionsを紹介した。 [→きを読む]

2024Qのシリコンウェーハ出荷C積はiQ比で少、そのT味は何か

2024Qのシリコンウェーハ出荷C積はiQ比で少、そのT味は何か

2024Qにおけるシリコン半導ウェーハの出荷C積がiQ比2.7%の122億6600万平汽ぅ鵐舛世辰燭SEMIが発表した。そのQのウェーハ売幢Yは同6.5%の115億ドルだった。出荷C積の少よりも出荷売幢Yの少の気jきいということは、在U調Dがゆっくりで、ファブのn働率を屬欧襪茲Δ塀j量攵`のデバイス要が弱かったことをT味する。 [→きを読む]

JEITAの電子情報噞x場は8%成長の3.99兆ドル

JEITAの電子情報噞x場は8%成長の3.99兆ドル

JEITA(電子情報\術噞協会)が12月19日に発表した世cの電子機_とソフトウエアやソリューションを合わせた電子情報噞のx場は、2025QにiQ比8%\の3兆9909億ドルになる。TSMCのy本工場がn働し始めているが、九Δ又々半導プロセスに使うや材料の企業が々集まっている。ラピダスにEUVが入り始め、関連企業もEUVに△┐討い襦キオクシアは18日、東B証wD引所の東証プライムx場に崗譴靴拭 [→きを読む]

旟研がEUVリソを導入、c間Wを任

旟研がEUVリソを導入、c間Wを任

噞\術総合研|所がEUVリソグラフィを導入して5nm以下のプロセス開発をмqする、と22日の日本経済新聞が報じた。これはIntelとの共同でD△垢訐菽屡焼の研|開発拠点に導入する。1000億を投じるという。k機日本にファウンドリ工場を新設するとしていた湾のPSMCがSBIとの提携解消について理yを述べている。また、QualcommとArmとの係争が化している。 [→きを読む]

メーカーとサプライヤの関係が逆転するTSMCとNvidiaの新\術

メーカーとサプライヤの関係が逆転するTSMCとNvidiaの新\術

メーカーとサプライヤとの関係がひっくり返る例がNvidiaとTSMCとの間に見られる。これまではファブレス半導としてのNvidiaが設したチップをTSMCが]するという関係だった。今度はTSMCがメーカーとなり、プロセス中によく使うリソグラフィ工でより確なマスクを作するためのQに、サプライヤであるNvidiaのGPUをWするのだ。 [→きを読む]

AIがけん引する半導、集積化\術、先端パッケージングのIEDM 2024

AIがけん引する半導、集積化\術、先端パッケージングのIEDM 2024

IEDM(International Electron Devices Meeting)2024の内容がらかになった。70周Qを迎える今Qは、「日の半導\術を形作る」というテーマで、基調講演、k般講演だけではなく、フォーカスセッションやチュートリアル、ショートコースなど270Pの講演が予定されている。例Q通り櫂汽鵐侫薀鵐轡好海離劵襯肇鵐曠謄襪12月7日から開される(図1)。 [→きを読む]

ペロブスカイト陵枦澱咾亮唾化を`指すO動成膜を旟研が試作

ペロブスカイト陵枦澱咾亮唾化を`指すO動成膜を旟研が試作

噞\術総合研|所は、ペロブスカイト構]の陵枦澱咾亮唾化に向け、O動作システムを試作した。ペロブスカイト陵枦澱咾蓮∧儡晃率がシリコン以屬旅發じ率をす試作はHいが、バラつきがjきいと共に、経時変化がjきく劣化しやすい、jC積がMしいなどの問が兩僂漾少しでも}作業による作ではなくO動機によってバラツキをらす狙いでを開発した(図1)。 [→きを読む]

High-NAのEUVリソグラフィの次となるか、Hyper-NAのEUV開発画

High-NAのEUVリソグラフィの次となるか、Hyper-NAのEUV開発画

リソグラフィ最j}ASMLはIntelのオレゴン工場にHigh-NA(Numerical Aperture:開口数)のEUVを初出荷したが、L外複数のメディアによると、早くも次のHyper-NAのEUV開発が始まりそうだ。来のEUVのNAは0.33でHigh-NAは0.55、そしてこれから開発するHyper-NAは0.75となり、これまで以屬鉾細加工が可Δ砲覆襦 [→きを読む]

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