![��易�肝�の�咾泙蠅��pけて�O国の半導�����]を�啣修垢��歟�](/assets_c/900px/250623-uschina.png "��易�肝�の�咾泙蠅��pけて�O国の半導�����]を�啣修垢��歟�")
�歟��肝�から、サプライチェーンをできる限り�O国に�eってこようとする�歟罎瞭阿�が顕著になってきた。�櫂▲螢哨��Δ�TSMC工場は��2工場がすでに動き出し、��3工場への投�@も出ているという。テキサス�Δ任�IT�Q社による「スターゲート��画」と�}ぶAIデータセンターの莂鮑遒觴�画がある。中国の�O動�Zは国�滹導��を100%に�屬欧���(sh┫)向にある。国内でもソニーが22nmのラインを動かし始める。 [→��きを読む]
東�B�j(lu┛)学とTSMCが共同のラボを浅野キャンパスに設けると発表した。TSMCと��湾以外の�j(lu┛)学との共同ラボは初めて。東�j(lu┛)にはこれまで材料や半導���駘�、電子�v路などで�l富な研�|�vがおり、TSMCにとっては共同できることが1.4nm以下のプロセスノードとなると東�j(lu┛)とのコラボは心�咾ぁＥ貊j(lu┛)にとってもVDECを通してチップ試作を依頼してきた。今�vの��長は何か。 [→��きを読む]
��Intelがファウンドリをビジネスとして確立するためのパートナーとのエコシステムを、新CEOであるLip-Bu Tan��が、このほど開��したIntel Foundry Direct Connectで��らかにした。同��はIntelを、�\術、カスタマフォーカスだけではなく企業文化も変えることを訴えており、ファウンドリとしてのパートナーとして、EDAトップ3社に加え、PDF Solutionsを紹介した。 [→��きを読む]
2024�Qにおけるシリコン半導��ウェーハの出荷�C積が�i�Q比2.7%��(f┫)の122億6600万平��(sh┫)インチだったとSEMIが発表した。その�Qのウェーハ売�幢Yは同6.5%��(f┫)の115億ドルだった。出荷�C積の��(f┫)少よりも出荷売�幢Yの��(f┫)少の��(sh┫)が�j(lu┛)きいということは、在�U調�Dがゆっくりで、ファブの�n働率を�屬欧襪茲Δ塀j(lu┛)量�攵����`のデバイス��要が弱かったことを�T味する。 [→��きを読む]
JEITA（電子情報�\術�噞協会）が12月19日に発表した世�cの電子機�_(d│)とソフトウエアやソリューションを合わせた電子情報�噞の�x場は、2025�Qに�i�Q比8%�\の3兆9909億ドルになる。TSMCの�y本工場が�n働し始めているが、九�Δ又�々半導��プロセスに使う����や材料の企業が��々集まっている。ラピダスにEUV����が入り始め、関連企業もEUVに�△┐討い襦�キオクシアは18日、東�B証�w�D引所の東証プライム�x場に�崗譴靴拭� [→��きを読む]
�噞�\術総合研�|所がEUVリソグラフィを導入して5nm以下のプロセス開発を�мqする、と22日の日本経済新聞が報じた。これはIntelとの共同で�D�△垢訐菽屡焼���の研�|開発拠点に導入する。1000億��を投じるという。�k��(sh┫)、日本にファウンドリ工場を新設するとしていた��湾のPSMCがSBIとの提携解消について理�y(t┓ng)を述べている。また、QualcommとArmとの係争が��化している。 [→��きを読む]
メーカーとサプライヤとの関係がひっくり返る��例がNvidiaとTSMCとの間に見られる。これまではファブレス半導��としてのNvidiaが設��したチップをTSMCが���]するという関係だった。今度はTSMCがメーカーとなり、プロセス中によく使うリソグラフィ工��でより��確なマスクを作��するための���Qに、サプライヤであるNvidiaのGPUを�W(w┌ng)��するのだ。 [→��きを読む]
IEDM（International Electron Devices Meeting）2024の内容が��らかになった。70周�Qを迎える今�Qは、「��日の半導���\術を形作る」という����テーマで、基調講演、�k般講演だけではなく、フォーカスセッションやチュートリアル、ショートコースなど270�Pの講演が予定されている。例�Q通り�櫂汽鵐侫薀鵐轡好海離劵襯肇鵐曠謄襪�12月7日から開��される（図1）。 [→��きを読む]
�噞�\術総合研�|所は、ペロブスカイト構�]の�陵枦澱咾亮唾�化に向け、�O動作��システムを試作した。ペロブスカイト�陵枦澱咾蓮∧儡晃�率がシリコン以�屬旅發じ�率を��す試作は�Hいが、バラつきが�j(lu┛)きいと共に、経時変化が�j(lu┛)きく劣化しやすい、�j(lu┛)�C積が�Mしいなどの問��が�兩僂漾�少しでも�}作業による作��ではなく�O動機によってバラツキを��(f┫)らす狙いで����を開発した（図1)。 [→��きを読む]
リソグラフィ最�j(lu┛)�}ASMLはIntelのオレゴン工場にHigh-NA（Numerical Aperture：開口数）のEUV����を初出荷したが、�L外複数のメディアによると、早くも次のHyper-NAのEUV����開発が始まりそうだ。��来のEUV����のNAは0.33でHigh-NA����は0.55、そしてこれから開発するHyper-NAは0.75となり、これまで以�屬鉾�細加工が可�Δ砲覆襦� [→��きを読む]
