Appliedと東�Bエレクトロンが経営統合へ、なぜライバル同士が��接�Zしたか
Applied Materialsと東�Bエレクトロンが2014�Q後半を�`�Yに経営統合すると発表した。両社はリソグラフィ以外の半導�����]����のほとんどすべてをカバーしているが、統合によりAppliedの売り�屬�72億ドルとTELのそれの54億ドルを単純合�Qすると126億ドルとなり、ASMLを�sきトップに躍り出ることになる。 [→��きを読む]
�噞
Freescaleとロームが絶��のコラボ����を�Z載�x場向けに提供
Freescale Semiconductorとロームが����を��完し合い、�Z載向けプラットフォームを共同で提供し始めた。Freescaleはi.MX6プロセッサ、ロームはそのプロセッサに供給する電源��ICを�kつのリファレンスボードに搭載、設��ツールとして�Z載メーカーに提供する。 [→��きを読む]
日本の半導��設��投�@�Yはついに7%のシェアに
�x場調�h会社のIC Insightsは、2013�Q�峇�における世�cの半導��設��投�@�Yの地域別シェアでは、日本がわずか7%しかなかったことを報告した。最�jの地域はアジア�諒人里如△修離轡Д△�53%を��めている。日本の半導��はモノづくりをやめるのか。 [→��きを読む]
グローバルファウンドリーズ、MEMS-ASICとカーエレで日本に��勢
GlobalFoundriesの日本法人、グローバルファウンドリーズ・ジャパン（GFジャパン）が国内�x場に向けて��勢をかけている。��に、MEMS-ASICとカーエレクトロニクスは日本のメーカーが�u�Tとするところ。これらの�x場を��めていく。 [→��きを読む]
100億ユーロの欧�θ焼����噞��画の��貌が��らかに
欧�Δ�半導���噞（最�Zではナノエレクトロニクス�噞と表現することが�Hい）に100億ユーロ(約1兆3000億��)を投�@するという��画（参考�@料1）が��らかになった。この��画は、Future Horizon社のCEOのMalcolm Penn��が450mmウェーハの実情を調�h、そのレポートをベースに�eち�屬�った。来日したMalcolm Penn��(図1)に、欧����画について聞いた。 [→��きを読む]
コスト的にもSiに�Mてるメド、TransphormのGaNパワートランジスタ
Si IGBTやパワーMOSFETの性�Δ鬯�える、SiCやGaNといった高�a半導��トランジスタが期待されながら�jきく成長していけない最�jの問��はコスト。SiCはSiよりも10倍も高い。Siのパワートランジスタは���]プロセスがSiCやGaNに比べて完成しており、��来の設�△�使え、低コストである。化合�馮焼���はどうやってコストの壁を突破するか、その�kつのアイデアをTransphorm（トランスフォーム）社が提案した。 [→��きを読む]
Infineonのパワー半導��、新パッケージ�\術で差を��ける
パワー半導��に��を入れているInfineon Technologiesは、そのプロセス工場で300mmウェーハの�攵�を始めたが、パッケージに関しても新しいコンセプトを次々と�]ち出している。例えば、ボンディングワイヤーを使わずにCuピラーを��いて、パワートランジスタとドライバトランジスタの�v路を接��するというマルチチップパワーパッケージ�\術を、7月17〜19日東�Bで開��されたTechno Frontier2013で�o開した。 [→��きを読む]
Xilinx、UltraScaleアーキテクチャで�j��模FPGAの配線、クロック分配を刷新
Xilinxは、20nmルールのLSIを早くもテープアウトした。デザインルールが20nmと微細化すると、集積できる�v路が膨�jになるため、アーキテクチャを根本的に見直し、UltraScaleと�@��けた(図1)。CLB（Configurable Logic Block）周りの配線や、DSPブロック、クロック分配などを最適化した。 [→��きを読む]
1チップMEMS CMOS ICのクロック発�昊_をSiLabsが����化
Silicon Laboratories社は、CMOS ICとMEMS振動子をモノリシックに集積したオシレータを����化した。MEMSラストのプロセスで���]、振動子としてSiGe薄膜を��いたことでSiよりも機械的�單戮��咾�、��冷･���Xや衝撃にも�咾い燭瓠◆�20ppmの周�S数�W定性を10�Q間保証する。 [→��きを読む]
�V�L�@密が�j阪にR&D拠点を設立、人材の�pけ��になるか
��湾の�V�L�@密工業が�j阪に研�|開発拠点を設立した、と6月1日��けの日本経済新聞が報じた。�V�Lは�]晶デバイスを開発することが狙いのようだ。スマートフォンやタブレット、テレビなどのタッチパネル�]晶ディスプレイが今後も成長すると見ているのだろう。これらとリンクして半導�����]����も�v復しつつある。 [→��きを読む]
<<�iのページ 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 次のページ »
