メーカーとサプライヤとの関係がひっくり返る��例がNvidiaとTSMCとの間に見られる。これまではファブレス半導��としてのNvidiaが設��したチップをTSMCが���]するという関係だった。今度はTSMCがメーカーとなり、プロセス中によく使うリソグラフィ工��でより��確なマスクを作��するための���Qに、サプライヤであるNvidiaのGPUを�W(w┌ng)��するのだ。 [→��きを読む]
IEDM（International Electron Devices Meeting）2024の内容が��らかになった。70周�Qを迎える今�Qは、「��日の半導���\術を形作る」という����テーマで、基調講演、�k般講演だけではなく、フォーカスセッションやチュートリアル、ショートコースなど270�Pの講演が予定されている。例�Q通り��(sh━)サンフランシスコのヒルトンホテルで12月7日から開��(h┐o)される（図1）。 [→��きを読む]
ラピダスは、���L(zh┌ng)�O�h歳�xにあるセイコーエプソンの��業所内で、先端パッケージ�\術の研�|開発ライン（クリーンルーム）の��工を開始した。��湾TSMCは、アリゾナ�Δ埜綛���のAmkor Technologyと先端パッケージングとテスト工��で協業すると発表した。半導��プロセス�U(ku┛)御�\術の�j(lu┛)�}KLAがシンガポールに建設中の新工場の��1期棟が完成した。 [→��きを読む]
オープンソースでカスタマイズしやすいISA（Instruction Set Architecture）を�eつ新しいRISC（Reduced Instruction Set Computer）ベースのCPUアーキテクチャ、RISC-VコアIPベンダーの��湾Andes Technologyが�T在感を�\している��新����のロードマップを��実に�]ち出し、実績を伴ってきた。すでに30�|類以�屬離灰△鯊靴─�AIチップのコアを充実させている。来日した同社社長兼CTOのCharlie Su��(hu━)に聞いた。 [→��きを読む]
��(sh━)Micron Technologyの2024�Q度��4四半期（2024�Q6〜8月期）の業績が日本時間26日に発表された。これによると、売�幢Yは�i�Q同期比93%�\の77.5億ドルとなった。営業�W(w┌ng)益も同�W(w┌ng)益率19.6%の15.2億ドルとほぼ復調した。またキオクシアが東�B証�w�D引所への�崗貉�期を11月以�Tに��期すると25日の日本経済新聞が報じた。 [→��きを読む]
「次の5�Qに向け、半導��や電子・機構����の倉�Uに投�@する」（Mouser Electronics Marketing 担当Senior VPのKevin Hess��(hu━)）との思いから、Mouser Electronicsは、����を保�Tしておく倉�Uのフロア�C積を�J�T施設57,000m2から約2倍の93,903mm2に拡張中である。��(sh━)テキサス�Δ魑鯏世砲垢�Mouserは24�Qの��2四半期に�fを�]ちこれから�峺�いていくと見ている。 [→��きを読む]
国内での半導��投�@や人材育成が��発になってきた。半導�����]����メーカーのKokusai Electricは富�儻����S�xで新工場の�A工式を行った。Siウェーハ���]のSumcoは佐賀�j(lu┛)学、�噞�\術総合研�|所と半導��シリコンウェーハの���]におけるAI（人工��(m┬ng)�Α�����などで組�E的な連携を推進する。Intelがファウンドリ�靆腓鯤�社化することが��まった。 [→��きを読む]
2024�Q��2四半期（2Q）における世�c半導���x場は、�i四半期比（QoQ）で6.7%�\の1621億ドルという史�嶌嚢眞佑肪�した。これまで最高だった2021�Q4Qでの売�幢Yより5億ドル�\えた。�x場調�h会社のOmdiaは、この好調さはNvidiaによるものと考えている。その根拠として、Nvidiaの売�幢Yを含めるか含めないかで�j(lu┛)きく違うからだ。 [→��きを読む]
半導��を含む��湾主要IT企業19社の8月の月次売�幢Yを日本経済新聞がまとめ12日に報じた。これによると19社����では�i�Q同月比22.5%�\の1兆4079億��湾元（約6兆2000億��）で6カ月連���\加��向を��(j┤)した。Appleが日本時間9月10日にApple Eventを開��(h┐o)、iPhone16やApple Watch「シリーズ10」などを発表、その��要が�j(lu┛)きいようだ。 [→��きを読む]
パワー半導���j(lu┛)�}のInfineon Technologiesが300mmのGaNウェーハを開発したと発表した。同社はSiCだけではなく、GaNデバイスも開発しているが、昨�QカナダのGaN Systemsを�A収したことで、GaN開発が加�]した。GaNパワー半導��は高�]ゆえに高効率で、Si並みに低コスト、高耐圧という��長を��せ�eつ。 [→��きを読む]
