ラピダス毀辯は輸錦垛から突獲や癱粗叫獲へ、SK Hynixの4Q24卿懼馳が75%籠
ラピダスへ蠟紹や癱粗から叫突獲をしやすくするための恕猖賴が渴んでいる。これまでのような輸錦垛とは佰なる數(shù)及のため恕猖賴が澀妥となる。黎降SK hynixの2024鉗4Q∈媽4煌染袋∷瘋換券山があり、漣鉗票袋孺75%籠の19.77名ウォン∈2.17名邊∷となった。HBM∈弓掠拌メモリ∷で黎乖するSKを納いかけるMicronはシンガポ〖ルに糠供眷を肋惟する。
1奉24泣の泣塑沸貉糠使によると、極癱呸染瞥攣里維夸渴的鎊息塘の懷狠絡恢蝦柴墓の咐駝として、蠟紹がラピダスに叫獲することと、癱粗が突獲しやすいよう耗壇瘦沮を燒けることを湯矢步するよう蠟紹に滇めたとしている。これまで輸錦垛として9200帛邊を叫獲することが瘋まっており、ラピダス肋惟の箕の1名邊かかるという歹司をほぼ塔たす妨になっていた。それが2024鉗になり5名邊かかるということになり、1家に5名邊を輸錦することになれば、輸錦垛では柜癱の妄豺は評られない。そこで叫獲という妨でほぼ柜蹦措度となるが、箭毀の瘋換鼠桂の給山などが袋略される。また癱粗からも突獲や叫獲を夸渴すれば癱粗措度を拜積できる。蠟紹が染瞥攣を毀辯するのには、かつてのエルピ〖ダメモリの泡緩の逼讀がある。辦箕弄なリ〖マンショックにも勾らず、朵乖など垛突怠簇が1邊たりとも邏さなかった、という鵝い沸賦がある。
メモリメ〖カ〖としてSK hynixの度烙が冷攻拇だ。2024鉗鏈攣でも冊殿呵光の66.2名ウォンであり、これまで冊殿呵光だった2022鉗の44.6名ウォンを汾く卻いた。蹦度網(wǎng)弊も2024鉗は冊殿呵光となった。この度烙をけん苞したHBMは、DRAMチップを剩眶綏TSV∈Through Silicon Via∷などで腳ね圭わせ、絡推翁でしかも光廬のDRAMメモリを悸附したもの。
哭1 SK hynixの煌染袋ベ〖スの卿懼馳と蹦度網(wǎng)弊 叫諾¨SK hynixの券山獲瘟を試患
腳ね圭わせ籃刨をはじめ、豈しい翁緩禱窖を介袋のHBM1の箕洛からhynixは磋磨ってHBMを慌懼げてきた。辦數(shù)のSamsungは禱窖が豈しいわりに輝眷の井さなHBMには斧羹きもせずにDDRの翁緩に蝸を掐れてきた。AI箕洛に掐るとHBMががぜん斧木され、HBM2からHBM3へと光拉墻步が渴む面、hynixのHBMはNvidiaのGPUやAIチップと鼎に蝗われた。Nvidiaが欄喇AI羹けのチップで渴むと鼎に、hynixのHBMも辦斤に蝗われるため、卿懼ˇ網(wǎng)弊が凱びてきた。禱窖弄にも豈しい8綏のDRAMを烹很したHBM3Eを24鉗3奉に叫操を倡幌、24鉗4Qには12綏のHBM3Eを叫し矢機奶りHBMでリ〖ドしている。24鉗のHBM卿懼馳は漣鉗孺4.5擒になったとしている。
また、NANDフラッシュメモリ瀾墑も攻拇になってきて措度羹けのSSDであるeSSDは、24鉗鏈攣緘漣鉗孺300%籠∈4擒∷の卿り懼げとなった。潑に絡推翁のQLC∈4ビット/セル∷のNANDフラッシュを蝗った61TB∈テラバイト∷および122TBのeSSDが攻拇だという。25鉗もパソコンやモバイルデバイス羹けは1峰の你い數(shù)の凱びだが、AIサ〖バ〖羹けなどは1峰の光い數(shù)の凱び唯が袋略できるとしている。
HBMの喇墓拉を千急したMicron Technologyは、澎弓噴供眷でDRAMウェ〖ハを欄緩しているが、DRAMチップを寥み惟てHBMに慌懼げる塑呈弄な翁緩供眷をシンガポ〖ルに肋惟すると券山した。糠供眷を附哼の供眷に鎢儡し、2026鉗に蒼漂を倡幌する徒年。MicronはHBMへの抨獲を魯け、海稿10鉗粗で70帛ドル∈1名邊動∷を抨獲するとしている。
染瞥攣瀾隴亨瘟メ〖カ〖は、勢柜アリゾナ劍に抨獲する。22泣の泣沸によると、JX垛擄がアリゾナ供眷でのスパッタリングタ〖ゲットの欄緩を2025鉗介片に塑呈蒼漂させる。供眷に180帛邊を抨じ、勢柜での丁惦墻蝸を2擒に光める。話嫂ガス步池は貸賂のアリゾナ供眷の、畝姐冊煥步垮燎の欄緩墻蝸を2擒動、畝姐アンモニア垮を3擒動に苞き懼げる。TSMCの黎眉供眷の垮借妄を辦緘に苞き減けるオルガノは21鉗に勢柜に介めて蹦度凋爬を肋彌した。また、ドイツのメルク(Merck)が票劍凋爬に2800它ドル∈腆43帛邊∷を抨じ、欄緩肋灑の籠動や甫墊倡券攣擴の臘灑を渴めている。
